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公开(公告)号：CN109518270A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811179140.4
申请日：2018-10-10
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶光纤的包层制备方法，包括以下步骤：(1)包层的制备：将单晶光纤作为预制棒原料，并在其中心轴线上钻孔，得到包层；(2)预制棒的制备：将外径与包层中心孔径相当的单晶体作为纤芯，插入包层中心孔内，得到预制棒；(3)单晶光纤的制备：将预制棒作为籽晶进行晶体生长，形成具备包层结构与纤芯结构的单晶光纤。与现有技术相比，本发明具有使用原料少，生长速度快，使用小尺寸的贵金属坩埚可降低成本等优点。
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公开(公告)号：CN109143459A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811025781.4
申请日：2018-09-04
Applicant: 同济大学
IPC: G02B6/02
Abstract: 本发明涉及一种稀土离子掺杂的低温石榴石晶棒的包层方法，包括以下步骤：S01，用微下拉得到稀土离子掺杂的低温石榴石晶体光纤；S02，订做特定尺寸的Pt管和Pt丝；S03，将步骤1得到的晶体光纤插入步骤2得到的Pt管中，并用Pt丝固定；S04，将融制的玻璃溶液浇筑于步骤3的Pt管中，加工即得所需尺寸玻璃包层的稀土离子掺杂的低温石榴石晶棒。与现有技术相比，本发明具有方法简单、所得光纤可获得高功率的晶体光纤激光器等优点。
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公开(公告)号：CN108456926A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810163892.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法，包括以下步骤：(1)采用微孔晶体生长方法得到长度40-160mm的微孔晶体，微孔晶体内径小于等于1mm，或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的微孔晶体；(2)将步骤(1)得到的微孔晶体安装在微下拉炉籽晶杆上；(3)坩埚内装入1-2g原料；(4)升温熔化坩埚内的原料；(5)籽晶杆上升，使微孔晶体接触坩埚底的小孔，坩埚内的熔体即在重力和毛细作用下进入微孔晶体的孔内；(6)控制后加热器的温度以100-300℃/h的降温速率降到室温，完成整个长晶过程。与现有技术相比，本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。
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公开(公告)号：CN108441937A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810184308.4
申请日：2018-03-06
Applicant: 同济大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明涉及一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6)，所述的坩埚(5)内设有搅拌原料(4)的搅拌器(7)。与现有技术相比，本发明在传统坩埚与熔体相对静止的基础上增加了坩埚旋转功能，增加坩埚与国内熔体的相对运动，更加容易排除熔体中的气泡，同时使得原料中的掺杂元素分布更加均匀，有利于生长出高质量晶体。
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公开(公告)号：CN105603528B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201610123698.5
申请日：2016-03-04
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及种具有热释光性能的氧化镓晶体及其制备方法,所述的氧化镓晶体包括氧化镓和掺入在氧化镓中的Ge,其掺杂浓度优选为0.1~10mol%;上述的氧化镓晶体由导模法制备而成。与现有技术相比,本发明掺锗氧化镓晶体具有较好的热释光性能,Ge掺杂浓度可控;通过采用Ar和CO混合气氛并结合分不同阶段充入Ar气和CO气体,有效抑制了生长过程中氧化镓晶体的分解挥发,晶体生长周期短,成本低等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105568382A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201511026629.4
申请日：2015-12-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种致色均匀的蓝色宝石晶体，该蓝色宝石晶体由氧化铝、致色组分和调色组分组成，所述的致色组分用以提供致色离子Fe2+和Ti4+，所述的调色组分用以提供调色离子Si4+、Be2+或Ga3+中的一种；上述蓝色宝石晶体通过将氧化铝、致色组分和调色组分混合研磨，冷干压成型，烧结，获得多晶陶瓷原料，将多晶陶瓷原料采用熔体法进行晶体生长，即可得到目的产物蓝色宝石晶体。与现有技术相比，本发明具有蓝色宝石晶体蓝色均匀纯正，鲜艳，工艺流程大大简化等优点。
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公开(公告)号：CN116791205A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310782026.5
申请日：2023-06-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种提高Mn4+离子发光性能的共掺杂氧化镓晶体及其制备，该晶体的化学式为β‑(Ga1‑x‑yMnxGey)2O3，0.0001＜x＜0.1，0.0001＜y＜0.1。与现有技术相比，本发明在氧化镓晶体中共掺锰、锗离子，锰离子作为激活离子，锗离子作为晶体场调控离子，获得一种全新的性能优良的激光增益介质，在可调谐激光领域十分具有潜力。
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公开(公告)号：CN115102022A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210802293.X
申请日：2022-07-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种镨离子掺杂的氟铝钙锂型可见波段超快激光晶体及其生长方法与应用。该超快激光晶体的化学式为PrxLiM1‑xNF6，其中，x的范围为0.003‑0.03，M为Mg、Ca、Sr或Ba中的至少一种或两种组合，N为Al、Sc或Ga中的至少一种。采用坩埚下降法生长，包括以下步骤：按化学计量比称量PrF3、LiF、MF和NF原料，混合均匀，然后装入坩埚；将坩埚至于惰性气氛中，升温化料、排杂，然后下降进行生长，生长结束后，降至室温，得到镨离子掺杂的氟铝钙锂型可见波段超快激光晶体。该超快激光晶体应用于加快可见波段全固态飞秒超快激光。与现有技术相比，本发明在可见橙红光及深红光波段表现出非常宽的荧光带，可解决目前镨离子掺杂激光晶体荧光带窄的难题。
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公开(公告)号：CN113445125A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110796683.6
申请日：2021-07-14
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法，装置包括单晶炉、铱金坩埚、热场部件、气氛控制单元，热场部件围绕铱金坩埚设置，由独立加热的上温区和下温区组成。本装置采用上、下双温区独立加热，上温区为高温区具有较小的轴向温度梯度，能够有效控制由于熔体温度过高而导致氧化镓原料分解挥发的加剧；下温区为低温区，能够对晶体进行原位退火减少晶体内部应力，上、下温区加热功率相互匹配调节能够更灵活地调控热场的轴向、径向温度梯度。与现有技术相比，本发明能够有效抑制高温晶体生长过程中氧化镓原料的分解挥发，提高晶体的结晶完整性，延长坩埚使用寿命。
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公开(公告)号：CN110331443B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910615149.3
申请日：2019-07-09
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种稀土离子掺杂锗酸盐共晶材料及其制备方法，该共晶材料的化学式为Re4xBi4(1‑x)Ge3O12/GeO2，其中x的范围为0.003‑0.07，Re为Nd、Yb、Tm、Ho、Er、Pr、Dy或Sm稀土离子的一种或多种。材料的制备方法主要为微下拉法，包括以下步骤：(1)按配比准备原料，并将原料研磨；(2)将研磨好的原料装入Pt坩埚内；(3)将Pt坩埚装入炉中进行升温化料；(4)设置长晶程序生长晶体；(5)降温，取出晶体。与现有技术相比，本发明制得的共晶材料由于在材料内部存在两种晶粒，故稀土离子的发光带比在单晶材料中更宽，可用于可调谐激光输出。
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