公开(公告)号：CN119822800A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202510034006.9

申请日：2025-01-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张剑 ,  邢旭宏 ,  李艳伟 ,  崔航 ,  吕行 ,  王道阔 ,  闫欣宇 ,  邹栋轩 ,  张曦文

IPC: C04B35/117 ,  C09K11/64 ,  C04B35/115 ,  C04B35/622 ,  C04B38/00

Abstract: 本发明提供一种Cr3+离子掺杂的透明γ‑Al2O3发光纳米陶瓷的制备方法，并且提供一种由该方法制备得到的Cr3+离子掺杂的透明γ‑Al2O3发光纳米陶瓷，入射波长超过700nm时，光线透过率大于66％。首先将1gAlCl3和0‑0.01g CrCl3·6H2O加入到40mL无水乙醇混合均匀；再将混合溶液倒入反应釜，180℃密封保温36小时；反应结束后收集产物并分散在无水乙醇中离心；将离心得到的胶状产物平铺在培养皿中，60℃干燥12小时；将干燥得到的小块放入坩埚，800℃煅烧1小时得到Cr3+离子掺杂的透明γ‑Al2O3发光纳米陶瓷。本发明制得的Cr3+离子掺杂的透明γ‑Al2O3陶瓷是由纳米带交织形成的块体，在530nm的绿光照射下陶瓷发出红色荧光。

公开(公告)号：CN115924946B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202211539610.X

申请日：2022-12-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张剑 ,  邢旭宏 ,  李艳伟 ,  罗亚肖 ,  李萌萌 ,  王雪 ,  崔航 ,  崔啟良

IPC: C01F7/02 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的一种钒掺杂的羟基氧化铝纳米带及其制备方法属于ⅢA族羟基氧化物纳米材料的制备与掺杂技术领域，提供一种钒掺杂的羟基氧化铝纳米带及其制备方法。以无水AlCl3、无水VCl3和无水乙醇为原料，将无水氯化铝和无水乙醇混合均匀；然后加入无水VCl3混合均匀，倒入聚四氟乙烯内衬中，将内衬置于反应釜外壳中，设置温度为200℃的电热恒温干燥箱中，保温48小时后冷却到室温，取出聚四氟乙烯内衬中的产物，清洗、干燥、研磨后分别得到钒掺杂的羟基氧化铝纳米带粉末。纳米带的长度为50‑300nm，宽度为5‑55nm，厚度为2‑5nm，本发明的方法操作简单易行、重复性好、成本低廉且制备出样品具有产量高的优点。

公开(公告)号：CN115201241A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210839004.3

申请日：2022-07-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张剑 ,  邢旭宏 ,  李艳伟 ,  马艳梅 ,  崔航

IPC: G01N23/2273 ,  G01N23/2202

Abstract: 本发明的一种利用高压技术调控SnBi2Te4中Sn原子缺陷的方法属于高压调控技术领域，以纯的层状准二维结构的SnBi2Te4粉末为初始原料，利用对称式金刚石对顶砧压机进行加压，金刚石砧面大小为300μm，密封垫采用T301不锈钢片，用体积比为4∶1的甲醇和乙醇混合溶液作为传压介质，采用标准红宝石荧光标压技术标定压力，将样品加压至50GPa，保持高压12小时到24小时，卸压后，得到Sn原子缺陷显著降低的SnBi2Te4粉末。本发明利用高压手段显著降低了SnBi2Te4中锡原子缺陷，有助于解决拓扑绝缘体材料在现阶段所面临的问题，从而为其实际应用奠定基础。

公开(公告)号：CN113526575A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202111043034.5

申请日：2021-09-07

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张剑 ,  王雪 ,  李艳伟 ,  罗亚肖 ,  余红 ,  吴佳仪 ,  杨晓莹 ,  李萌萌 ,  邢旭宏 ,  崔航

IPC: C01G53/09 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的一种羟基氯化镍纳米材料及其制备方法属于Ⅷ族羟基氯化物纳米材料的制备领域。所述的羟基氯化镍纳米材料，是由镍、羟基与氯以化学计量数为1:1:1的比例构成的化合物NiOHCl，具有纳米片状形貌，纳米片具有平直规则的表面。制备方法为以六水合氯化镍结晶性粉末、氢氧化镍粉末为原料，首先将两种原料充分混合并研磨30‑60分钟，然后在温度为130～170℃密封加热5～7小时，反应结束后，冷却至室温，将产物继续研磨10‑30分钟，得到羟基氯化镍纳米材料。该方法克服以往制备过程中的缺点，方法简单，成本低，易于控制。

公开(公告)号：CN113353966A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110748162.3

申请日：2021-07-02

Applicant: 吉林大学

Inventor： 张剑 ,  余红 ,  罗亚肖 ,  杨晓莹 ,  吴佳仪 ,  邢旭宏 ,  王雪 ,  李萌萌 ,  崔航 ,  崔啟良

IPC: C01G3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明的一种羟基氟氯化铜纳米片及其制备方法，属于IB族羟基氟氯化铜纳米片材料的制备领域。所述的羟基氟氯化铜纳米片，是以化学计量数为4:6:1:1的比例构成的化合物Cu4(OH)6FCl，具有六边形纳米片形貌。制备方法包括：首先将氯化铜固体颗粒和六次甲基四胺颗粒加入到去离子水中，搅拌10分钟，然后加入氟化钠颗粒继续搅拌10分钟，将得到的混合溶液在135～195℃下密封反应2～3小时；冷却至室温，将产物离心清洗、干燥、研磨后得到蓝色的羟基氟氯化铜纳米片粉末。本发明的方法流程简单、成本低廉；制备出样品具有产量高、分散性好等优点。