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公开(公告)号：CN105977350B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610344543.4
申请日：2016-05-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种新型量子点发光二极管的制备，尤其涉及一种基于能量转移机制实现快荧光辐射的量子点发光二极管的制备方法，属于可见光通信、照明技术领域。本发明采用蓝光GaN发光芯片作为激发光源，将其制作成沟槽结构，再将胶体量子点荧光粉作为发光材料沉积在沟槽中，使量子阱与量子点发生侧壁耦合，二者发生高效的能量转移，制备出快荧光辐射的白光LED。本发明所制备的白光LED可通过红、绿、蓝三色匹配法实现白色发光，也可通过蓝光与红光补偿发出白光。所采用的非辐射能量转移的发光方法制备荧光LED的设计，可以消除传统的吸收再复合过程中产生的能量损失，加快荧光辐射的弛豫时间，其弛豫时间比传统的吸收再复合机制加快10至100倍。
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公开(公告)号：CN108803308A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810683103.0
申请日：2018-06-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明基于自适应区间PID控制的气体多通池温控系统及方法，属于气体多通池温控领域，气体样品池外壁使用加热膜包裹实现对气体多通池的加热，PT1000铂电阻温度传感器置于气体样品池外壁与加热膜之间实时检测气体多通池工作温度，气体多通池整体采用保温隔热棉形成保温作用。针对被控对象结构复杂响应较慢引起超调量大问题，在传统PID控制算法的基础上改进，将控制过程根据温度偏差值细分为多个区间，在每个区间内根据区间值和温度偏差值的变化率对比例放大系数、积分系数、微分系数进行设定，实现了自适应区间PID控制算法，使温度控制快速且无超调。为二氧化碳同位素检测系统性能的提升提供了可靠保障。
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公开(公告)号：CN107978688A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201711324202.1
申请日：2017-12-13
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED及制备方法。所述的电致发光LED包括：ITO玻璃作为底部电极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层(ETL)和空穴阻挡层(HBL)；PbS包覆钙钛矿量子点作为发光层；p型4,4’，4”-三(咔唑-9-基)苯胺薄膜作为空穴传输层(HTL)和电子阻挡层(EBL)；MoO3/Au作为顶部电极。其制备方法包括：首先制备铯油酸溶液，之后经制备PbS包覆的CsPbI3量子点、电子传输层和空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和电子阻挡层等步骤，获得PbS包覆钙钛矿量子点电致发光LED。本发明通过采用PbS包覆钙钛矿量子点，提高钙钛矿量子点光电性能，同时保证其稳定性和保持其良好的半导体性能，并以此作为发光层制备高效稳定的电致发光LED。
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公开(公告)号：CN106675550A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201611014066.1
申请日：2016-11-18
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C09K11/025 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01G21/006 , C01P2004/64 , C09K11/665
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿量子点凝胶及其制备方法，其步骤如下：将十八烷烯和PbX2(绿色量子点：0.138克的PbBr2；红色量子点：0.105克PbI2和0.052克PbBr2)混合后真空下脱气，并在120℃加热1小时，后将ODE和PbX2混合物置于氮气环境下，再加入将油酸和APTES，在温度为145℃时，加入步骤a制得的铯油酸酯，冷却至室温、搅拌、水解后形成二氧化硅包覆的钙钛矿量子点溶胶溶液；干燥后得到二氧化硅包覆的钙钛矿量子点凝胶。本发明制备得到钙钛矿量子点凝胶，具有良好的透明性、灵活性、高量子产率，可以在质子性溶剂中保持长期的稳定性。
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公开(公告)号：CN103674318B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410005655.8
申请日：2014-01-06
Applicant: 吉林大学
IPC: G01K11/20
Abstract: 本发明公开了一种基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法,旨在克服现有技术存在的无法完成对集成电路微米级区域进行温度检测、检测设备体积和重量大、结构复杂等问题。步骤为:制备胶体硒化铅量子点；在集成电路板表面沉积胶体硒化铅量子点；选择激光器作为激发光源并形成平行光束；激光束照射芯片表面的胶体硒化铅量子点使其产生光致发光；图像采集系统收集红外光；红外光谱仪接收红外光信号，并显示其相应的发光光谱；计算集成电路芯片微区表面一点的温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104165706A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410405996.4
申请日：2014-08-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种PbSe量子点液芯光纤温度传感器的制作及温度检测方法。制作方法分为选定多种尺寸的胶体PbSe量子点，制备胶体PbSe量子点溶液，将胶体PbSe量子点温度敏感荧光材料溶液和三氯乙烯溶液分别注入型号相同的空心光纤中并进行封装，完成胶体PbSe量子点液芯光纤敏感元件的制作，构建胶体PbSe量子点液芯光纤温度传感器等五个步骤。温度检测方法分为制作胶体PbSe液芯光纤温度传感器，标定胶体PbSe量子点液芯光纤温度传感器，应用胶体PbSe量子点液芯光纤温度传感器进行多点温度检测等三个步骤。本发明所设计的装置可实现多点的温度检测，所采用的荧光材料成本低、使用寿命长、高量子产率，所设计的温度传感器制作成本低、结构简单、稳定性好。
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公开(公告)号：CN103915553A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201410161181.6
申请日：2014-04-21
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0054
Abstract: 本发明公开了一种基于碳量子点的载流子注入式蓝光和白光LED及制作方法，旨在克服现有技术存在的重金属污染、毒性大、价格昂贵等问题，以3.3nm碳量子点作为发光层，通过控制器件的电子迁移层和阴极的厚度及其材料，通过载流子注入发光层，从而实现碳量子点的电致发光。其结构包括：导电玻璃，即ITO薄膜的玻璃衬底（1），PEDOT:PSS空穴注入层（2），Poly-TPD空穴迁移层（3），碳量子点发光层（4），TPBi或ZnO电子迁移层（5），LiF/Al或Al阴极（6）。以碳量子点作为LED的发光层材料，不但具备传统半导体量子点的发光性能，如光饱和度高、寿命长等优势，而且具备无毒、制备成本低、绿色环保等独有优势。该方法可被广泛用于照明领域，具有良好的商业化前景。
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公开(公告)号：CN103674318A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201410005655.8
申请日：2014-01-06
Applicant: 吉林大学
IPC: G01K11/20
Abstract: 本发明公开了一种基于胶体硒化铅量子点的集成电路芯片微区表面温度分布的检测方法,旨在克服现有技术存在的无法完成对集成电路微米级区域进行温度检测、检测设备体积和重量大、结构复杂等问题。步骤为:制备胶体硒化铅量子点；在集成电路板表面沉积胶体硒化铅量子点；选择激光器作为激发光源并形成平行光束；激光束照射芯片表面的胶体硒化铅量子点使其产生光致发光；图像采集系统收集红外光；红外光谱仪接收红外光信号，并显示其相应的发光光谱；计算集成电路芯片微区表面一点的温度。
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公开(公告)号：CN102723440A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210213400.1
申请日：2012-06-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于补偿发光的ZnCuInS/ZnS量子点白光LED及其制作方法，该LED采用双层发光的结构，包括有玻璃衬底，沉积在玻璃衬底上透明的ITO电极，旋涂在ITO电极上的PEDOT:PSS层，旋涂在PEDOT:PSS层上产生蓝绿光的Poly-TPD层，旋涂在Poly-TPD层上产生红光的ZnCuInS/ZnS量子点层及Al电极，PEDOT:PSS层为缓冲层；ITO电极是透明的，作为LED的正极；所述的Poly-TPD层产生蓝绿光；ZnCuInS/ZnS量子点层产生红光，和Poly-TPD层产生的蓝绿光互补，形成白光，本发明采用无毒金属ZnCuInS/ZnS量子点作为主要发光层，符合绿色环保的要求；具有显色性好、制备简单、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN113921732A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111168619.X
申请日：2021-09-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于照明技术领域，提供了一种基于4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3高效LED及其制备方法，包括：电致发光LED结构，所述电致发光LED结构包括阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极，所述阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层以及阳极依次连接，所述发光层采用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3。本发明能够利用4‑碘‑D‑苯丙氨酸后处理的CsPbI3纳米晶制备出高效的LED。
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