-
公开(公告)号：CN1841206A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610066854.5
申请日：2006-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/40 , H01L21/0273
Abstract: 一种制造半导体元件的方法，包括形成负光刻胶层，此负光刻胶层形成后可被显影剂溶解。负光刻胶层利用无铬膜光刻掩膜形成图案，此图案化至少改变负光刻胶层的一部分，使被改变部分不被显影剂所溶解。将已图案化的负光刻胶层显影，并移除未改变的部分以在负光刻胶层上产生至少一个孔洞，并加热负光刻胶层使之流动。
-
公开(公告)号：CN1251303C
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN02147386.2
申请日：2002-10-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/82 , G03F7/00
Abstract: 一种集成电路制造方法，是应用水溶性负型光阻在具有填充洞的掩模的光刻制造过程中，利用水溶性负型光阻与原先光阻中酸成分的反应，而在两者的接口间形成固化薄膜。并且，在光刻制造过程后暴露出接触洞的开口但保留填充洞中的水溶性负型光阻材料，但上述的薄膜并不被光刻制造过程所去除，如此可缩小接触洞开口的宽度。上述的水溶性负型光阻成分包含：聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂。
-
公开(公告)号：CN1245661C
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN01134366.4
申请日：2001-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明揭露一种包括交替式相移光罩(Alternating Phase-ShiftingMask；Alt PSM)及其相对应的解除光罩(Unpacking Mask)的组合光罩，以及利用构装的交替式相移光罩与解除光罩，以构装及解除(Packing AndUnpacking；PAU)的方式来制造接触洞(Contact Hole)。由交替式相移光罩的使用，可增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，并降低光罩误差系数(Mask Error Factor；MEF)，而构装及解除法亦可缩小洞与洞的分离率(Hole-to-separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。
-
公开(公告)号：CN1744277A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510055444.6
申请日：2005-03-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 何邦庆
IPC: H01L21/00 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L21/76808 , H01L21/7681
Abstract: 本发明是有关于一种形成孔洞于半导体晶圆的方法。利用虚拟特征形成孔洞于半导体晶圆。该方法包括形成一硬罩幕层于一介电层上，硬罩幕层包括一实体部分与一第一开口，并提供一图案化材料层于硬罩幕层上，图案化材料层包括第二开口与第三开口。图案化材料层的第二开口对准硬罩幕层的第一开口，图案化材料层的第三开口对准硬罩幕层的实体部分。孔洞是利用图案化材料层的第二开口，并且硬罩幕层的第一开口形成于介电层中。本发明提供一种制造一内连线的方法，以及一种光罩，使用于一微影系统，用以制造一集成电路元件。该光罩具有特征与复数个虚拟特征(dummy feature)的基材，其中虚拟特征是位于特征之间。虚拟特征可用以修改特征的光学特性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1573540A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200310122533.9
申请日：2003-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 , 瑞士商科莱恩国际股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2022 , G03F7/0035 , G03F7/038 , G03F7/095
Abstract: 本发明提供一种水溶性负型光阻及其形成光阻图案的方法，该水溶性负型光阻至少包括聚合物、光活性化合物、抑制剂、交链剂、以及溶剂。由于此水溶性负型光阻不会与之前形成的光阻层互相混合，在曝光之后即可用去离子水来显影出预定的光阻图案。本发明提供的该形成光阻图案的方法，应用此水溶性负型光阻于构装与解除(Packing And Unpacking；PAU)的光罩组合的方式，可增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，降低光罩误差系数(Mask Error Factor；MEF)，并缩小洞与洞的分离率(Hole－to－separation Ratio)，进而达到提高聚焦深度及降低光罩误差系数的目的。
-
公开(公告)号：CN1490843A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02147349.8
申请日：2002-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/70 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/32
Abstract: 一种消除旁瓣图案的集成电路制造方法，是在原先以定义电路开口图案的第一光阻层上，形成由水溶性负型光阻所构成之第二光阻层。接着，利用光罩对第二光阻层进行曝光，并利用去离子水进行显影，而暴露出需要的电路开口图案，并选择性保留位于不预期之旁瓣开口图案上之部分第二光阻层而达到修补的目的。其中，上述之水溶性负型光阻是由聚合物、光活性化合物、抑制剂、交联剂、以及溶剂所构成。
-
公开(公告)号：CN1271474C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200310124030.5
申请日：2003-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/20 , G03B27/42 , G03F1/00 , G03F7/70475
Abstract: 本发明公开了一种转移光罩图形的方法与装置以及制造光罩的方法，可藉以补偿光罩接合区(Stitching Area)因为接合效应(Stitching Effect)所产生的误差。本发明的转移光罩图形的方法至少包括以下步骤。首先，提供用以产生一光罩的一数据文件，并将此数据文件分成复数个部分，其中每一部分包括一主要图形区与一邻近该主要图形区的接合区，且此接合区至少包括一几何图形。然后，于接合区形成一组几何特征，其中于一照射过程后此组几何特征形成一半色调灰阶曝光剂量分布。
-
公开(公告)号：CN1202443C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN01136345.2
申请日：2001-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明揭露一种光罩组合及应用此光罩组合制造接触洞(ContactHole)的方法，其是在形成半导体元件的接触洞时，利用构装光罩(PackedMask)及解除光罩(Unpacked Mask)的组合，以构装与解除(Packing AndUnpacking；PAU)的方法进行接触洞的曝光。由在构装光罩上的接触洞图案周围一预设距离处，设置填充洞(Padding Hole)图案，来增加光阻上相对应的接触洞的光强度而增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，再利用其上设置有位置对应于填充洞的解除图案的解除光罩，或是利用其上设置有位置对应于接触洞的解除图案的解除光罩，将填充洞掩盖住，而留下所需的接触洞。其中，上述预设距离的大小较佳约介于接触洞图案的一侧边的1倍至2倍之间。
-
公开(公告)号：CN1410833A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN01136345.2
申请日：2001-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明揭露一种光罩组合及应用此光罩组合制造接触洞(Contact Hole)的方法，其是在形成半导体元件的接触洞时，利用构装光罩(Packed Mask)及解除光罩(Unpacked Mask)的组合，以构装与解除(Packing And Unpacking；PAU)的方法进行接触洞的曝光。由在构装光罩上的接触洞图案周围一预设距离处，设置填充洞(Padding Hole)图案，来增加光阻上相对应的接触洞的光强度，而增加聚焦深度(Depth Of Focus；DOF)，再利用其上设置有位置对应于填充洞的解除图案的解除光罩，或是利用其上设置有位置对应于接触洞的解除图案的解除光罩，将填充洞掩盖住，而留下所需的接触洞。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.04 seconds)
