公开(公告)号：CN110649089A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201811075343.9

申请日：2018-09-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彼德·瑞姆瓦尔 ,  吉尔本·朵尔伯斯 ,  麦特西亚斯·帕斯拉克

IPC: H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L21/331 ,  H01L29/739 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种穿隧式场效晶体管包含第一磊晶层、第二磊晶层、中间层、栅极介电层以及栅极层。中间层位于第一磊晶层与第二磊晶层之间。栅极介电层围绕中间层。栅极层围绕栅极介电层以及中间层，其中中间层相对于栅极层的侧壁倾斜。

公开(公告)号：CN110504303A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201810818182.1

申请日：2018-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彼德·瑞姆瓦尔 ,  麦特西亚斯·帕斯拉克

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/205 ,  H01L21/331 ,  B82Y10/00

Abstract: 本揭示内容描述一种垂直穿隧场效晶体管装置，其包括P掺杂的氮化镓纳米线源极/漏极的垂直的P-I-N异质接面结构、本质的InN层，和N掺杂的氮化镓纳米线源极/漏极。高介电常数介电层和金属栅极环绕本质的InN层周围。