公开(公告)号：CN110957335A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910387075.2

申请日：2019-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高桥诚司 ,  施俊吉 ,  陈子祥

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请涉及CMOS图像传感器以及相关的形成方法，CMOS图像传感器具有位于深沟槽隔离(DTI)结构上的像素器件。在一些实施例中，深沟槽隔离(DTI)结构设置在像素区域的周边处，从衬底的背面延伸至衬底内的位置。像素器件在衬底的正面处设置在DTI结构正上方。像素器件包括设置在衬底内并到达DTI结构的顶面的一对源极/漏极(S/D)区域。通过形成位于DTI结构正上方的所公开的像素器件以形成SOI器件结构，因为像素器件的空间并且还因为像素器件下方的绝缘层，减小了短沟道效应。因此可以实现更高的器件性能。

公开(公告)号：CN110957335B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201910387075.2

申请日：2019-05-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高桥诚司 ,  施俊吉 ,  陈子祥

IPC: H01L27/146

Abstract: 本申请涉及CMOS图像传感器以及相关的形成方法，CMOS图像传感器具有位于深沟槽隔离(DTI)结构上的像素器件。在一些实施例中，深沟槽隔离(DTI)结构设置在像素区域的周边处，从衬底的背面延伸至衬底内的位置。像素器件在衬底的正面处设置在DTI结构正上方。像素器件包括设置在衬底内并到达DTI结构的顶面的一对源极/漏极(S/D)区域。通过形成位于DTI结构正上方的所公开的像素器件以形成SOI器件结构，因为像素器件的空间并且还因为像素器件下方的绝缘层，减小了短沟道效应。因此可以实现更高的器件性能。

公开(公告)号：CN110556389B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201910122237.X

申请日：2019-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高桥诚司 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  洪丰基 ,  许峰嘉 ,  刘人诚 ,  施俊吉 ,  张浚威 ,  徐伟诚 ,  吴尉壮 ,  黄益民

IPC: H01L27/146

Abstract: 在一些实施例中，提供了像素传感器。像素传感器包括布置在半导体衬底中的第一光电探测器。第二光电探测器布置在半导体衬底中，其中，第一基本直线轴与第一光电探测器的中心点和第二光电探测器的中心点相交。浮置扩散节点设置在半导体衬底中的与第一光电探测器和第二光电探测器基本相等的距离点处。拾取阱接触区域布置在半导体衬底中，其中，基本垂直于第一基本直线轴的第二基本直线轴与浮置扩散节点的中心点和拾取阱接触区域的中心点相交。本发明的实施例还提供了一种用于形成像素传感器的方法。

公开(公告)号：CN111584527A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201911302172.3

申请日：2019-12-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高桥诚司

IPC: H01L27/146

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种图像传感器，所述图像传感器包括光电探测器，所述光电探测器设置在半导体衬底中。浮动扩散节点设置在所述半导体衬底中且位于所述光电探测器上方。传输栅极电极上覆在所述光电探测器上。所述传输栅极电极具有顶部导电本体及底部导电本体，所述顶部导电本体上覆在所述半导体衬底的顶表面上，所述底部导电本体从所述顶部导电本体延伸到所述浮动扩散节点下方。所述顶部导电本体的一部分直接上覆在所述浮动扩散节点上。所述顶部导电本体的第一侧壁直接上覆在所述底部导电本体上。

公开(公告)号：CN110556389A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910122237.X

申请日：2019-02-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 高桥诚司 ,  王铨中 ,  杨敦年 ,  洪丰基 ,  许峰嘉 ,  刘人诚 ,  施俊吉 ,  张浚威 ,  徐伟诚 ,  吴尉壮 ,  黄益民

IPC: H01L27/146

Abstract: 在一些实施例中，提供了像素传感器。像素传感器包括布置在半导体衬底中的第一光电探测器。第二光电探测器布置在半导体衬底中，其中，第一基本直线轴与第一光电探测器的中心点和第二光电探测器的中心点相交。浮置扩散节点设置在半导体衬底中的与第一光电探测器和第二光电探测器基本相等的距离点处。拾取阱接触区域布置在半导体衬底中，其中，基本垂直于第一基本直线轴的第二基本直线轴与浮置扩散节点的中心点和拾取阱接触区域的中心点相交。本发明的实施例还提供了一种用于形成像素传感器的方法。

公开(公告)号：CN110416082A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201811330980.6

申请日：2018-11-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周国煜 ,  高桥诚司 ,  叶尚府 ,  李其霖 ,  殷勤 ,  赵亦平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: 本揭露涉及具有低随机电报信号噪声的半导体装置。本发明实施例涉及一种半导体装置，其包括源极/漏极扩散区域及第一掺杂区域。所述源极/漏极扩散区域界定于第一隔离结构与第二隔离结构之间。所述源极/漏极扩散区域包含源极区域、漏极区域及装置沟道。所述装置沟道位于所述源极区域与所述漏极区域之间。所述第一掺杂区域在从所述源极区域到所述漏极区域的方向上沿所述装置沟道与所述第一隔离结构之间的第一结安置。所述第一掺杂区域与所述源极区域及所述漏极区域中的至少一者分离，且具有高于所述装置沟道的掺杂物浓度的掺杂物浓度。本揭露的半导体装置具有低随机电报信号噪声及较少缺陷。