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实用新型
半导体装置有权

公开(公告)号：CN222621486U

公开(公告)日：2025-03-14

申请号：CN202421308266.8

申请日：2024-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖昱安 , 游本傑 , 王志华 , 陈建宏 , 谢正祥

IPC: H10D30/47 , H10D64/00 , H10D64/23 , H10D62/10

Abstract: 本揭露的一些实施例描述一种具有人造场板的半导体装置。半导体装置包括基板上的第一氮化镓层、第一氮化镓层上的氮化铝镓层、及氮化铝镓层上的第二氮化镓层。第一与第二氮化镓层包括不同类型的掺杂剂。半导体装置进一步包括与第二氮化镓层接触的栅极接触结构、与氮化铝镓层接触的第一及第二源极/漏极接触结构、栅极接触结构与第一源极/漏极接触结构之间的一或多个人造场板。第一及第二源极/漏极接触结构设置于栅极接触结构的相对侧上。一或多个人造场板与第一及第二源极/漏极接触结构分离开并在氮化铝镓层上。

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