公开(公告)号：CN113013226A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011510967.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁顺鑫 ,  王振翰 ,  林耕竹 ,  上野哲嗣 ,  陈婷婷

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及半导体器件，包括形成在鳍区域上的第一和第二端子以及形成在第一和第二端子之间的密封层。密封层包括掺杂有氧的碳化硅材料。半导体器件还包括由密封层、鳍区域以及第一和第二端子围绕的气隙。本发明还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN107039463A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710038726.8

申请日：2017-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王振翰 ,  林群雄

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件，其具有第一区域和第二区域。第一区域具有第一突出结构和第二突出结构。第二区域具有第三突出结构和第四突出结构。第一、第二、第三和第四外延层分别形成于第一、第二第三和第四突出结构上。当使得第三和第四外延层暴露时，第一和第二外延层被第一光刻胶层覆盖。介电层形成于第一光刻胶层的上方和第三和第四外延层的上方。部分介电层被第二光刻胶层覆盖。部分介电层形成于第三和第四外延层的上方。蚀刻未被第一和第二光刻胶层保护的部分介电层。去除第一和第二光刻胶层。本发明实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。