用于片上系统的衬底偏置控制电路

    公开(公告)号:CN102043415B

    公开(公告)日:2014-03-12

    申请号:CN201010527867.4

    申请日:2010-10-22

    CPC classification number: G05F3/205 H03K19/00384

    Abstract: 一种衬底偏置控制电路包括响应PVT效应的工艺电压温度(PVT)效应传感器。PVT效应计量器与PVT效应传感器相连接。PVT效应计量器将PVT效应进行量化并且提供输出。PVT效应计量器包括至少一个计数器和周期信号发生器。周期信号发生器为计数器提供时间周期。偏置控制器与PVT效应计量器相连接,偏置控制器配置为接受PVT效应计量器的输出。偏置控制器配置为提供偏置电压。偏置控制器包括偏置电压比较器。

    用于片上系统的衬底偏置控制电路

    公开(公告)号:CN102043415A

    公开(公告)日:2011-05-04

    申请号:CN201010527867.4

    申请日:2010-10-22

    CPC classification number: G05F3/205 H03K19/00384

    Abstract: 一种衬底偏置控制电路包括响应PVT效应的工艺电压温度(PVT)效应传感器。PVT效应计量器与PVT效应传感器相连接。PVT效应计量器将PVT效应进行量化并且提供输出。PVT效应计量器包括至少一个计数器和周期信号发生器。周期信号发生器为计数器提供时间周期。偏置控制器与PVT效应计量器相连接,偏置控制器配置为接受PVT效应计量器的输出。偏置控制器配置为提供偏置电压。偏置控制器包括偏置电压比较器。

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