公开(公告)号：CN102215033A

公开(公告)日：2011-10-12

申请号：CN201010528756.5

申请日：2010-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汲世安 ,  沈学聪 ,  李芷岩 ,  李云汉

IPC: H03K3/012 ,  H03K19/094

CPC classification number: H03K3/356156 ,  H03K3/356008 ,  H03K3/35625

Abstract: 主从保持触发器包括：主锁存器，用于锁存输入数据信号并基于输入时钟信号输出锁存的主锁存器数据信号；从锁存器，与主锁存器的输出端相连，并用于基于输入时钟信号输出锁存的从锁存器数据信号；以及保持锁存器，嵌入主锁存器和从锁存器之一中，用于基于断电控制信号在断电模式下保存数据。

公开(公告)号：CN101867362B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201010164425.8

申请日：2010-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汲世安 ,  沈学聪 ,  李芷岩 ,  李云汉

IPC: H03K19/003

Abstract: 一种降低设置时间的触发器。触发器包括第一主闩锁器、第二主闩锁器及从闩锁器。第一主闩锁器经由第一开关接收功能数据。第二主闩锁器经由第二开关接收扫描数据。从闩锁器经由第三开关耦接于第一主要闩锁器。第一、第二及第三开关由时钟信号所控制。第二主闩锁器经由第四开关耦接于第一主闩锁器，其中第四开关由扫描使能信号所控制，以便扫描使能信号能控制是否功能数据或是扫描数据成为从第一主闩锁器至从闩锁器的输出。从闩锁器用以对来自第一主闩锁器的输出进行闩锁以及传送。

公开(公告)号：CN101867362A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010164425.8

申请日：2010-04-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汲世安 ,  沈学聪 ,  李芷岩 ,  李云汉

IPC: H03K19/003

Abstract: 一种降低设置时间的触发器。触发器包括第一主闩锁器、第二主闩锁器及从闩锁器。第一主闩锁器经由第一开关接收功能数据。第二主闩锁器经由第二开关接收扫描数据。从闩锁器经由第三开关耦接于第一主要闩锁器。第一、第二及第三开关由时钟信号所控制。第二主闩锁器经由第四开关耦接于第一主闩锁器，其中第四开关由扫描使能信号所控制，以便扫描使能信号能控制是否功能数据或是扫描数据成为从第一主闩锁器至从闩锁器的输出。从闩锁器用以对来自第一主闩锁器的输出进行闩锁以及传送。

公开(公告)号：CN102043415B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201010527867.4

申请日：2010-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汲世安 ,  沈学聪 ,  李芷岩 ,  李云汉

IPC: G05F1/10

CPC classification number: G05F3/205 ,  H03K19/00384

Abstract: 一种衬底偏置控制电路包括响应PVT效应的工艺电压温度(PVT)效应传感器。PVT效应计量器与PVT效应传感器相连接。PVT效应计量器将PVT效应进行量化并且提供输出。PVT效应计量器包括至少一个计数器和周期信号发生器。周期信号发生器为计数器提供时间周期。偏置控制器与PVT效应计量器相连接，偏置控制器配置为接受PVT效应计量器的输出。偏置控制器配置为提供偏置电压。偏置控制器包括偏置电压比较器。

公开(公告)号：CN102215033B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010528756.5

申请日：2010-11-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汲世安 ,  沈学聪 ,  李芷岩 ,  李云汉

IPC: H03K3/012 ,  H03K19/094

CPC classification number: H03K3/356156 ,  H03K3/356008 ,  H03K3/35625

Abstract: 主从保持触发器包括：主锁存器，用于锁存输入数据信号并基于输入时钟信号输出锁存的主锁存器数据信号；从锁存器，与主锁存器的输出端相连，并用于基于输入时钟信号输出锁存的从锁存器数据信号；以及保持锁存器，嵌入主锁存器和从锁存器之一中，用于基于断电控制信号在断电模式下保存数据。

公开(公告)号：CN102043415A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010527867.4

申请日：2010-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汲世安 ,  沈学聪 ,  李芷岩 ,  李云汉

IPC: G05F1/10

CPC classification number: G05F3/205 ,  H03K19/00384

Abstract: 一种衬底偏置控制电路包括响应PVT效应的工艺电压温度(PVT)效应传感器。PVT效应计量器与PVT效应传感器相连接。PVT效应计量器将PVT效应进行量化并且提供输出。PVT效应计量器包括至少一个计数器和周期信号发生器。周期信号发生器为计数器提供时间周期。偏置控制器与PVT效应计量器相连接，偏置控制器配置为接受PVT效应计量器的输出。偏置控制器配置为提供偏置电压。偏置控制器包括偏置电压比较器。