公开(公告)号：CN102074549B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201010151859.4

申请日：2010-04-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 罗清郁 ,  林伯俊 ,  陈海清 ,  包天一 ,  眭晓林 ,  余振华

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/53295 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/02 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种具有双重镶嵌结构的集成电路组件，双重镶嵌结构包含具有一低介层窗部分和一高导线部分。低介层窗部分形成在一个聚酰亚胺层之内，高导线部分形成在由USG或聚酰亚胺所形成的内金属介电层上。保护层形成于内金属介电层上，以及一焊垫位于保护层之上以便能与高导线部分电性连接。在顶部介层窗阶或次顶部介层窗阶应用可挠性薄膜，能释放应力以减少或避免下层低介电常数内金属介电层碎裂的产生。