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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114078838A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110817894.3
申请日：2021-07-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/8249 , G01K7/01
Abstract: 本公开提供一种半导体装置，例如互补双极接面晶体管结构的实施例。根据本公开的半导体装置包含介电层以及设置在介电层上的鳍片状结构。鳍片状结构包含第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及第三p型掺杂区，以及第一n型掺杂区、第二n型掺杂区以及第三n型掺杂区，交错插在该第一p型掺杂区、第二p型掺杂区以及第三p型掺杂区之间。第一p型掺杂区、第三p型掺杂区以及第三n型掺杂区电性耦接至第一电位。第二p型掺杂区、第一n型掺杂区以及第二n型掺杂区电性耦接至与第一电位不同的第二电位。
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公开(公告)号：CN119947233A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510050674.0
申请日：2025-01-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例提供了由GAA或FinFET晶体管形成的双极结晶体管(BJT)以及形成BJT的方法。BJT包括形成在GAA或FinFET晶体管的栅极之间的介电隔离结构。介电隔离结构减小了BJT的相邻端子的晶体管之间的间距。介电隔离结构允许BJT使用标称栅极间距(Lg)作为逻辑器件，从而与GAA或FinFET工艺兼容。本公开的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114038847A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202110824341.0
申请日：2021-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/07
Abstract: 本公开提供双极接面晶体管(bipolar junction transistor；BJT)结构的实施例。根据本公开的BJT包含第一外延特征、第二外延特征、垂直(vertical)堆叠的通道构件、栅极结构、第一电极、射极电极、以及第二电极。第一外延特征设置在井区上。第二外延特征设置在井区上。各个垂直堆叠的通道构件在第一外延特征以及第二外延特征之间纵向延伸。栅极结构环绕各垂直堆叠的通道构件。第一电极耦接至井区。射极电极设置在第一外延特征上，并耦接至第一外延特征。第二电极设置在第二外延特征上，并耦接至第二外延特征。
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公开(公告)号：CN113471147A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110654703.6
申请日：2021-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/02
Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法。该方法包括提供具有前侧和背侧的结构，该结构包括衬底以及交替地堆叠在衬底之上的具有不同材料组分的第一类型外延层和第二类型外延层的堆叠件，其中该堆叠件位于衬底的前侧处，并且衬底位于结构的背侧处；图案化堆叠件，从而在衬底之上形成鳍；将第一掺杂剂注入到鳍的第一区域中，该第一掺杂剂具有第一导电类型；将第二掺杂剂注入到鳍的第二区域中，该第二掺杂剂具有与第一导电类型相反的第二导电类型；在第一区域上形成第一接触件，以及在第二区域上形成第二接触件。本发明的实施例还涉及静电放电器件。
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公开(公告)号：CN222356850U
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202420626709.1
申请日：2024-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D89/60
Abstract: 本公开提供一种半导体装置，包括含有纳米结构装置的第一电路区域及与第一电路区域偏移的第二电路区域。纳米结构装置具设置在多个第一半导体层中的多个纳米结构的垂直堆叠，及包裹环绕垂直堆叠的多个纳米结构的栅极结构。第二电路区域包括电性连接至纳米结构装置的双极性接面装置，及电性连接于双极性接面装置的集极与基极之间的至少一个二极管。至少一布植区域延伸穿过多个第一半导体层与多个第二半导体层，其中多个第二半导体层设置于对应的垂直相邻且成对的多个第一半导体层间。后侧互连结构电性连接至纳米结构装置的源极/漏极区域。
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