-
公开(公告)号：CN101308326A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200710187758.0
申请日：2007-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/168 , G03F7/2041 , Y10S430/108 , Y10S430/111
Abstract: 一种适用于半导体工艺中的感光材质，包括：感光材料以及共聚物，其中该共聚物包括：多个光阻链以及多个疏水性碳链，其中每一个疏水性碳链系于这些光阻链中的一个上，且这些光阻链和这些疏水性碳链系相互复合，并对外加能量产生反应，而进行自组装以形成光阻层和疏水层。
-
公开(公告)号：CN1952785A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610080805.7
申请日：2006-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式微影系统及其制程，该浸润式微影系统，其至少包含：一物镜；一基材平台，设置于该物镜之下；一液晶，至少部份地填充于该物镜与该基材平台上的一基材间的一空间；以及一液晶控制器，具有一第一电极和一第二电极，该第一电极和该第二电极是设置来在曝光制程中控制该液晶。本发明中，液晶具有高折射率，并可借由适当电压或其他适当方法来达到最佳化的折射率与聚焦深度。
-
公开(公告)号：CN1828428A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610057843.0
申请日：2006-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 施仁杰
IPC: G03F7/20 , H01L21/027 , G03F7/40
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/091 , G03F7/168 , H01L21/0276 , Y10S438/948 , Y10S438/949 , Y10S438/95 , Y10S438/952
Abstract: 本发明是有关于制造半导体元件，特别是有关于使用一真空腔体来制造半导体元件。用于半导体制造的方法包含：提供一光阻层于一晶圆上；使用一真空腔体从光阻层上移除溶剂残渣物；以及对此晶圆进行曝光。
-
公开(公告)号：CN1721997A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510078229.8
申请日：2005-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03B27/52 , G03F7/70333
Abstract: 本案公开一种于光刻步进及扫描投影系统中实现于两或多个失焦位置之两或多个失焦晶片图像之分离重叠的方法。该方法包含使掩膜板及晶片中之一个相对于扫描方向倾斜，以及将光束分开于位于该掩膜板之不同失焦区中之至少两个发光区域。
-
公开(公告)号：CN100594431C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200610080805.7
申请日：2006-05-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/70341
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式微影系统及其制程，该浸润式微影系统，其至少包含：一物镜；一基材平台，设置于该物镜之下；一液晶，至少部份地填充于该物镜与该基材平台上的一基材间的一空间；以及一液晶控制器，具有一第一电极和一第二电极，该第一电极和该第二电极是设置来在曝光制程中控制该液晶。本发明中，液晶具有高折射率，并可借由适当电压或其他适当方法来达到最佳化的折射率与聚焦深度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100462845C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510115209.3
申请日：2005-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明是有关于一种具有晶圆密封机构的改良型浸润式微影系统及其方法。该浸润式微影系统，包括液体以及一密封垫圈。此液体的特征提供一浸润流体以在晶圆上进行浸润式微影，此密封垫圈覆盖于晶圆的边缘的预设部位，当液体运用于浸润式微影制程中时，可以防止浸润液体透过晶圆的边缘的覆盖部位泄漏出来。
-
公开(公告)号：CN100428055C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200410083999.7
申请日：2004-10-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/14 , G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种光刻制程、掩膜版及其制造方法，该掩膜版可用于光刻制程。其中，掩膜版包括一个透明基板和一个形成有至少一个开口的吸收层。此外，掩膜版还包括一个波长缩短材料层，设置于开口之中。该波长缩短材料层的厚度大约介于吸收层厚度至光刻制程所用光线的波长的10倍之间。此外，掩膜版还可以包括一个减反射涂布层。本发明提供的掩膜版，可以在开口尺寸保持不变的同时降低光的衍射作用，从而提高成像的分辨率。
-
公开(公告)号：CN1979343A
公开(公告)日：2007-06-13
申请号：CN200610161883.X
申请日：2006-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明是有关于一种浸润式(Immersion)微影系统。其至少包括：一晶圆吸附器，用以容纳并以浸润式微影来处理位于其上的一晶圆；至少一密封环，用以密封该晶圆于该晶圆吸附器上；一密封环承载器，用以装载该密封环至该晶圆吸附器，或自该晶圆吸附器卸下该密封环；以及一真空模组，用以吸附该密封环至该晶圆和该晶圆吸附器。借由此些密封环的排列结构，浸润式微影系统可提供较佳的密封效果，以处理位于晶圆吸附器(Wafer Chuck)上的晶圆。
-
公开(公告)号：CN1971417A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200510113038.0
申请日：2005-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光罩及其制造方法与微影的方法。本发明提供一种光罩，包括一透明基板以及一吸收层，该吸收层紧邻于该透明基板。上述吸收层之中具有数个开口。此光罩还包括一波长缩短材料层，设置于该数个开口之中，其中该波长缩短材料层与该吸收层大体上形成一平坦表面；以及一薄膜，固定在该透明基板附近。
-
公开(公告)号：CN1963674A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510115209.3
申请日：2005-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明是有关于一种具有晶圆密封机构的改良型浸润式微影系统及其方法。该浸润式微影系统，包括液体以及一密封垫圈。此液体的特征提供一浸润流体以在晶圆上进行浸润式微影，此密封垫圈覆盖于晶圆的边缘的预设部位，当液体运用于浸润式微影制程中时，可以防止浸润液体透过晶圆的边缘的覆盖部位泄漏出来。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.031 seconds)
