公开(公告)号：CN112490191A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010927951.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴少均 ,  吴宏基 ,  李家庆 ,  叶品萱 ,  锺鸿钦 ,  李显铭 ,  陈建豪 ,  潘昇良 ,  林焕哲

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置与其形成方法，此处公开改善的功函数层与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。