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公开(公告)号:CN107658318A
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201710893892.6
申请日:2017-09-28
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/77 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 一种像素结构,包含第一金属层、半导体层、隔离层以及第二金属层。第一金属层设置于基板上,并包含保护部及辅助部,其中辅助部不与保护部连接。半导体层设置于第一金属层上,且半导体层于基板的垂直投影与保护部于基板的垂直投影至少部分重叠。隔离层设置于半导体层上,其中至少一第一通孔贯穿隔离层。第二金属层设置于隔离层上,并具有第一连接部及第二连接部,其中第二连接部的至少一部分位于第一通孔内,且第二连接部于基板的垂直投影与辅助部于基板的垂直投影至少部分重叠。
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公开(公告)号:CN118588697A
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202410630310.5
申请日:2024-05-21
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种面板结构及其制造方法,其中面板结构包括可拉伸基板、第一可挠折层、电路层、多个发光元件、填充层、第二可挠折层以及元件层。第一可挠折层包括多个像素岛,该些像素岛由多个通孔定义。各通孔贯穿第一可挠折层、填充层以及第二可挠折层。面板结构的结构连续性佳,具备良好的光学表现。
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公开(公告)号:CN108336096B
公开(公告)日:2020-10-30
申请号:CN201810129064.X
申请日:2018-02-08
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种薄膜晶体管基板的制造方法包括下列步骤。于基底上形成半导体层。形成第一绝缘层,以覆盖半导体层。于第一绝缘层上形成第一导电层,其中第一绝缘层位于第一导电层与半导体层之间。在形成第一绝缘层之后及形成第一导电层之前,对半导体层进行第一氢化等离子体处理工艺。于基底上形成第二导电层,其中第二导电层与半导体层电性连接。此外,通过上述薄膜晶体管基板的制造方法所形成的薄膜晶体管基板也被提出。
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