一种具有病菌杀灭功能的电场窗户

    公开(公告)号:CN111749599A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN202010741260.X

    申请日:2020-07-29

    Abstract: 一种具有病菌杀灭功能的电场窗户,涉及空气净化领域。包括窗框和导电线,导电线包括第一导线和第二导线。导电线分布于窗框,第一导线和第二导线交替设置。相邻两根第一导线之间为第二导线,相邻两根第二导线之间为第一导线。第一导线和第二导线之间具有电势差,以用于对通过窗框的空气进行杀菌。其能应用于日常居家防疫、杀菌,也能够用于露天储藏食品的无菌隔离,或者用于医疗场所对流空气的灭菌,并适用于蚊虫消杀;其能够有效阻隔病菌传播,具有低能耗、亲自然特点,具有广泛的应用前景。

    一种高纯难熔金属块体的制备方法

    公开(公告)号:CN108296480B

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201810244991.6

    申请日:2018-03-23

    Abstract: 本发明提供一种高纯难熔金属块体的制备方法,涉及金属冶金技术领域。一种高纯难熔金属块体的制备方法,选用与待烧结金属粉末难相溶的金属包覆料制成包覆片,用包覆片包裹待烧结的金属粉末。且金属粉末未被包覆片完全密封。将包裹的物料经过真空烧结,得到外表面完全被包覆料覆盖的烧结物,然后去除烧结物外表面的包覆料,即得到无碳污染的高纯块体。在烧结过程中,随温度升高,包裹料融化成液体。液体金属紧密附着在待烧结金属的表面,形成屏障,良好隔绝高温环境下碳气氛对物料的影响。包覆料简单、灵活的适用烧结过程,普通高温烧结设备即可完成加工,可适用于高纯度需求的难熔金属块体的高效低成本烧结成型。

    一种ZrB2基超高温陶瓷结构及其光固化3D打印方法和装置

    公开(公告)号:CN110078518A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910309889.4

    申请日:2019-04-17

    Abstract: 本发明涉及一种ZrB2基超高温陶瓷结构及其光固化3D打印方法和装置。所述方法为:(1)将巯基/乙烯基Zr-B-Si-C前驱体和光引发剂搅拌混合均匀后注入3D打印机的原料池中;(2)将打印结构的图纸导入计算机并设置打印参数,然后打印得到Zr-B-Si-C聚合物陶瓷素坯结构;(3)将步骤(2)得到的Zr-B-Si-C聚合物陶瓷素坯结构进行烧结,得到所述ZrB2基超高温陶瓷结构。本发明解决了传统烧结制坯-机械加工制备超高温陶瓷结构高成本、高机械加工应力、长周期,且无法制备精密结构的问题,提供了一种超高温陶瓷复杂结构的光固化3D打印方法,具有低成本、快速成型、致密度高的特点。

    一种光敏感性Zr-B-Si-C陶瓷前驱体及其原位制备方法

    公开(公告)号:CN110028639A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201910309890.7

    申请日:2019-04-17

    Abstract: 本发明涉及一种光敏感性Zr-B-Si-C陶瓷前驱体及其原位制备方法。所述方法为:将甲基乙烯基二氯硅烷和硼烷二甲硫醚混合均匀,然后加入金属钠进行脱氯,得到甲基乙烯基硼硅烷;将氯甲基三氯硅烷、甲基氯甲基二氯硅烷和二氯二茂锆混合均匀,然后加入金属镁进行第一保温反应,再加入还原剂进行第二保温反应,得到聚锆碳硅烷;将甲基乙烯基硼硅烷和聚锆碳硅烷混合均匀,得到乙烯基Zr-B-Si-C烷;将乙烯基Zr-B-Si-C烷与巯基丙酸酯混合均匀,然后加入光引发剂引发聚合反应,制得所述陶瓷前驱体。本发明解决了传统光固化体系粘度大、热应力大、结构件力学性能衰减等问题,为光固化3D打印超高温陶瓷结构件提供了优质的原材料。

    一种石墨烯掺杂金属氧化物电极材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108022760B

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201711240193.8

    申请日:2017-11-30

    CPC classification number: Y02E60/13

    Abstract: 本发明提供一种石墨烯掺杂金属氧化物电极材料及其制备方法,涉及电化学材料技术领域。这种石墨烯掺杂金属氧化物电极材料,先通过电解方法制备得到石墨烯,然后将石墨烯与Ru、Sn和Co的混合盐溶液混合,干燥后在220℃~300℃条件下煅烧,得到石墨烯/金属氧化物复合电极材料。该石墨烯掺杂金属氧化物电极材料通过引入金属氧化物和石墨烯进行复合,使得金属纳米粒子嵌入相邻的石墨烯片层间,双电层电极材料和赝电容电极材料的合理复合,导电性和化学稳定性良好,具有理想的比电容。

Patent Agency Ranking