公开(公告)号：CN109537006B

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201811330230.9

申请日：2018-11-09

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 廉冀琼 ,  张厚安 ,  欧阳明亮 ,  邓沁铃 ,  古思勇

IPC: C25D3/56 ,  C22C19/03 ,  C25B11/054 ,  C25B11/091

Abstract: 本发明公开了一种高效的Ni‑S‑B析氢电极，包括镍基体和沉积在所述镍基体表面的Ni‑S‑B镀层，所述Ni‑S‑B镀层包括以下重量百分含量的组分：Ni：40～85％，S：5～50％，B：0.1～10％。本发明还公开了其制备方法和应用，本发明提高了析氢电极的析氢催化活性，降低了析氢电极的析氢过电位。

公开(公告)号：CN109537006A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811330230.9

申请日：2018-11-09

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 廉冀琼 ,  张厚安 ,  欧阳明亮 ,  邓沁铃 ,  古思勇

IPC: C25D3/56 ,  C22C19/03 ,  C25B11/06

Abstract: 本发明公开了一种高效的Ni-S-B析氢电极，包括镍基体和沉积在所述镍基体表面的Ni-S-B镀层，所述Ni-S-B镀层包括以下重量百分含量的组分：Ni：40～85％，S：5～50％，B：0.1～10％。本发明还公开了其制备方法和应用，本发明提高了析氢电极的析氢催化活性，降低了析氢电极的析氢过电位。