-
公开(公告)号：CN114875660A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210540527.8
申请日：2022-05-17
Applicant: 厦门大学
IPC: D06M11/83 , D06M13/513 , D06M10/02 , D06M13/144 , D06M13/127 , D06B3/10 , D06M101/06 , D06M101/32 , D06M101/34 , D06M101/20 , D06M101/40
Abstract: 本发明涉及导电纺织物领域，特别涉及一种介导金属纳米线直接吸裹的导电纺织布及其制备方法，其中，采用该制备方法可获得高质量的导电纺织布，具体为将纺织布依次经过氧等离子处理和硅烷偶联剂改性处理获得金属介种吸附位点；纺织布置于有机液相反应溶液并在纤维表面静止种入金属纳米介导颗粒；纯化后进入第二阶段，金属纳米线网络直接在纺织布表面的介导生长及网络吸裹反应，获得全纤维吸裹金属纳米线网络的导电纺织布。该方法可一次性直接在任何纤维纺织布上做原位金属纳米线网络化吸裹，并获得性能优良的导电纺织材料，可应用于未来可穿戴及智能纺织品，以及电子服饰生产。
-
公开(公告)号：CN111910171A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010455859.7
申请日：2020-05-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种电场和/或磁场合成二维材料的装置和方法，于二维材料合成的反应腔内设置磁场产生装置和/或电场产生装置以及高温高真空保护装置，使气态分子、固体粒子或等离子体在磁场和/或电场调控下沉积于衬底上形成二维材料，调控方式包括加速前驱物分解、定向移动气态分子、固体粒子或等离子体和调控二维材料在衬底上的成核位点和晶粒取向，提高二维材料合成所需衬底的选择性，提高二维材料合成速率，可低温、快速合成高质量二维材料。
-
公开(公告)号：CN119255584A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411371343.9
申请日：2024-09-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种磁性化MXene/金属纳米线复合电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，其是在MXene之间生长金属纳米线，并于MXene表面包裹磁性材料壳层，进行真空退火后得到。磁性化MXene为多界面壳层结构，具有MXene‑磁性金属‑空气间隔的多界面复杂电磁反射吸收异质结构，同时金属纳米线搭接磁性化MXene形成导电网络，利用不同材料的异质界面和MXene的空间结构，对电磁波同时起到强烈的多重反射、界面极化、磁损耗等效应，实现了高效电磁屏蔽效果的同时保持了较低的反射屏蔽，有效减少了电磁波的二次污染，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用，并满足电子设备对轻量化的特性要求。
-
公开(公告)号：CN113990978B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111198864.5
申请日：2021-10-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种电压调制变波段光电探测器及其制作方法，该光电探测器为雪崩型光电探测器，导电薄膜作为第一电极，二维材料作为载流子阻挡层，具有纳米阵列结构的半导体材料作为光子吸收层，因此外部辐射光子更容易被光子吸收层捕获，产生光生载流子，光生载流子被载流子阻挡层阻挡并在载流子阻挡层及两侧形成强电场，使得载流子被强电场加速实现雪崩增益，同时，强电场调控光生电子跃迁路径以改变光子吸收层响应的光子波长，以此可以获得一种高响应度，并且无需滤光片、更换半导体材料即可实现探测波段可调的光电探测器件，有助于提高器件对微弱光信号的探测能力和适用性。
-
公开(公告)号：CN114806207A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210447864.2
申请日：2022-04-26
Applicant: 厦门大学
IPC: C08L101/00 , C08K3/38 , H02N2/18
Abstract: 本发明涉及纳米发电机领域，特别涉及一种正交取向化二维复合材料、制备方法与柔性纳米发电机。其中，一种正交取向化二维复合材料，由氮化硼纳米片与紫外固化胶混合，后经电场正交取向化，并进行紫外固化制得，所述氮化硼纳米片由氮化硼粉末经超声液相剥离后筛选得到，正交电场施加平行于发电薄膜法向方向。本发明提供的柔性纳米发电机，采用紫外固化胶固化的正交取向氮化硼纳米片，配合上下电极，最终制得的纳米发电机具有高输出电压，最高能达到50～60V，电流可超过100nA，性能突出，柔性稳定，并且柔性纳米发电机整体制备过程简便，具有大规模推广应用的潜力。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113567510A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110651789.7
申请日：2021-06-11
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，特别涉及一种MXene基复合金属纳米点结构气体传感器的制备方法，包括以下步骤：将MXene材料与至少两种金属前驱体在分散剂中混合，在反应条件下完成金属纳米点在所述MXene材料上的自组装原位生长；将完成金属纳米点在所述MXene材料上原位生长的复合材料均匀转移至衬底上后进行真空退火，以使所述MXene材料与所述金属纳米点形成焊接紧密接触；在所述复合材料两侧引入金属电极，制成电阻型气体传感器；多层状的MXene材料可以形成气体捕获器，负载于MXene材料上的金属纳米点增强了对流通气体的捕获，引起电阻发生变化从而进行气体传感，提高了气体传感的响应速度和稳定性。
-
公开(公告)号：CN113526507A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110651786.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/921 , C01B21/076 , B22F9/24 , B22F1/00 , H01B1/02 , H01B5/14
Abstract: 本发明涉及MXene材料技术领域，特别涉及一种新型MXene金属纳米复合材料、制备方法及应用，其中，一种新型MXene金属纳米复合材料，包括若干MXene材料层；负载于所述MXene材料层间的金属纳米线；本发明提供的一种新型MXene金属纳米复合材料，金属纳米线插层负载于MXene材料层间，MXene材料层的表面及层间的金属纳米线可以随意组合成金属纳米线网络，不仅能够起到MXene层间支撑的作用，避免了MXene材料层间塌陷的问题，使MXene材料暴露出更多的比表面积，提供更多的活性位点以及层间储能空间，进而提升MXene金属纳米复合材料在实际应用中的导电性、电化学性能和稳定性。
-
公开(公告)号：CN113178504A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110261170.5
申请日：2021-03-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/102 , H01L31/18 , H01L33/00 , H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种同步上下行光照明通信单芯片器件及制造方法，芯片的结构包括衬底、调制掺杂半导体复合层、超薄介质层、透明导电层、第一电极和第二电极；其中调制掺杂半导体复合层包括掺杂GaN层以及设于掺杂GaN层之上的GaN/InGaN多量子阱；该器件具有白光发射通道和不可见光探测通道，白光发射通道具有照明及下行信号调制发射功能，不可见光探测通道具有上行调整信号接收功能，两通道可在单芯片上进行光的独立平行传输，并且实现上行电信号的接收和下行电信号的发送。本发明还提供了一种全双工可见光无线通信系统。本发明实现了Li‑Fi功能的单芯片集成，具有巨大的应用价值。
-
公开(公告)号：CN118741987A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410277591.0
申请日：2024-03-12
IPC: H05K9/00
Abstract: 本申请公开了一种柔性透明高稳定性纳米线网络电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，涉及金属、磁性材料和半导体所构成的微观双界面壳层结构复合材料。所述纳米线网络复合材料为金属纳米线网络的多界面壳层结构，以金属纳米线为内核，于金属纳米线表面包裹磁性材料壳层，以及半导体材料壳层，以获得金属‑磁性‑半导体的双界面电磁多反射吸收异质结构。该新型纳米网络的多界面结构，利用不同功能材料界面的构成，对电磁波起到同时反射、折射、吸收的多重界面效应，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用。该薄膜不仅具有优越的电磁屏蔽性能，还满足电子设备对柔性透明性的特性要求，为电子设备领域带来前所未有的新应用。
-
公开(公告)号：CN116752117A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310635975.0
申请日：2023-05-31
Applicant: 厦门大学
IPC: C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/448
Abstract: 本发明涉及二维材料领域，特别涉及一种具有层间垂直电输运通道的二维材料的制备方法，步骤如下，在气态状态下营造出第一本征主原子过饱和环境，同时使第二本征主原子处于非饱和状态；在气流通路中引入包含垂直pz价电子轨道的掺杂源，使掺杂源取代所述非饱和的第二本征主原子，与所述饱和的第一本征主原子的pz轨道发生强烈耦合杂化，激活所述饱和的第一本征主原子的pz轨道在垂直方向的延伸，形成层间垂直电输运通道。本发明工艺简单，能与当前的微纳加工技术形成良好的兼容性，并且产量较高，薄膜质量优异，垂直导电通道可在室温下稳定存在，二次移植使用性较强，可拓展二维材料、特别是二维半导体材料在新型垂直结构电子器件中的应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.035 seconds)
