公开(公告)号：CN119255584A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411371343.9

申请日：2024-09-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 蔡端俊 ,  王轶蒙 ,  杨仕铌 ,  刘才育 ,  郑嘉钰 ,  万文杰 ,  许飞雅 ,  陈小红

IPC: H05K9/00 ,  B22F9/20 ,  B22F1/18 ,  B22F1/054

Abstract: 本发明公开了一种磁性化MXene/金属纳米线复合电磁屏蔽薄膜材料及其制备方法，其是在MXene之间生长金属纳米线，并于MXene表面包裹磁性材料壳层，进行真空退火后得到。磁性化MXene为多界面壳层结构，具有MXene‑磁性金属‑空气间隔的多界面复杂电磁反射吸收异质结构，同时金属纳米线搭接磁性化MXene形成导电网络，利用不同材料的异质界面和MXene的空间结构，对电磁波同时起到强烈的多重反射、界面极化、磁损耗等效应，实现了高效电磁屏蔽效果的同时保持了较低的反射屏蔽，有效减少了电磁波的二次污染，可用于制作高性能的电磁屏蔽薄膜，进而实现在电子设备中应用，并满足电子设备对轻量化的特性要求。