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公开(公告)号:CN101246943B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200810070671.X
申请日:2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法,涉及一种Si基微纳发光材料,尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质,实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1-xGex(0<x<1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m,n表示对应材料的原子层数,m≤30,n≤15);在生长后的样品背面溅射金属电极;用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀;腐蚀后的样品经冲洗,烘氮气吹干或烘干,即得目标产物。
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公开(公告)号:CN101246943A
公开(公告)日:2008-08-20
申请号:CN200810070671.X
申请日:2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种Si基微纳发光材料的制备方法,涉及一种Si基微纳发光材料,尤其是涉及一种利用薄膜外延技术与电化学腐蚀相结合来制备多层Si基微纳发光材料的方法。提供一种具有三维量子限制的多层异质,实现室温高效发光的Si基微纳发光材料的制备方法。在硅衬底上外延生长Si/Si1-xGex(0<x<1)或Sim/Gen多层薄膜材料(其中m,n表示对应材料的原子层数,m≤30,n≤15);在生长后的样品背面溅射金属电极;用腐蚀溶液对薄膜材料进行电化学腐蚀;腐蚀后的样品经冲洗,烘氮气吹干或烘干,即得目标产物。
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公开(公告)号:CN1088879C
公开(公告)日:2002-08-07
申请号:CN96102653.7
申请日:1996-02-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 涉及一种应用激光取得全息图加密的装置。激光器的光束经分束器,其物光经反射镜、扩束滤波器后,由准直透镜形成的平行光经毛玻璃形成漫射光,再经黑白透明片到达全息干版;参考光先经反射镜、扩束滤波器后由准直透镜形成的平行光到达全息干版上干涉而得。所记录的密码图案与记录该图案时所用的物不同,因企图仿制者从全息标识上观察密码时看到的是莫尔图,判断不出构成该图案的物,故无法仿制,防伪性强。且设备简单,密码图案丰富。
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公开(公告)号:CN103132077A
公开(公告)日:2013-06-05
申请号:CN201310074218.7
申请日:2013-03-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法,涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1)将硅片清洗后,在UHV/CVD系统中,在硅片上生长Ge层;2)将步骤1)制备得到的样品置于氮气氛围中,采用KrF脉冲激光对样品进行辐照,得到直径不同的单层SiGe量子点;3)以步骤2)得到的单层SiGe量子点作为掩膜版,使用高能Ar+进行刻蚀,最终获得锗硅纳米柱。制作过程简单、重复性好。可对传统相关产业产生示范作用。
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公开(公告)号:CN101388324B
公开(公告)日:2010-06-09
申请号:CN200810071934.9
申请日:2008-10-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种锗量子点的制备方法,涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上,生长一层SiGe合金层,Ge组分大于0,小于等于0.5;将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗,清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层,氧化物为SiO2和GeO2的混合物;将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧,得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度,小于SiGe的熔点。
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公开(公告)号:CN101388324A
公开(公告)日:2009-03-18
申请号:CN200810071934.9
申请日:2008-10-14
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种锗量子点的制备方法,涉及一种制备锗量子点的方法。提供一种可实现小尺寸、高密度、没有浸润层的Ge量子点的制备方法。在硅衬底或绝缘体上的硅衬底上,生长一层SiGe合金层,Ge组分大于0,小于等于0.5;将SiGe合金层依次用3种清洗液中的至少一种进行清洗,清洗后在SiGe合金层表面形成一层氧化物层,氧化物为SiO2和GeO2的混合物;将覆盖有氧化物层的SiGe合金层放入真空腔体内加热脱氧,得Ge量子点。加热温度可大于等于脱氧温度,小于SiGe的熔点。
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公开(公告)号:CN101221996A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200810070524.2
申请日:2008-01-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0352 , H01L31/0256
Abstract: 基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管,涉及一种异质结光晶体管。提供一种可极大地增加吸收区SiGe层的锗组分和SiGe层厚度,响应度高,响应波长范围宽,可对各区的Ge组分和厚度自由调节,设计灵活性强,主要用于近红外波段入射光探测的基于虚衬底的硅锗异质结光晶体管。设有硅基硅锗虚衬底,在虚衬底上依次设有集电区、吸收区、基区和发射区,集电区为Si1-yGey层,吸收区为Si1-zGez(y<z≤1)层或Si1-zGez/Si1-yGey(y<z≤1)多周期量子阱,基区为压应变的Si1-xGex层(y<x≤1),发射区为Si1-yGey层;在集电区、基区和发射区上设电极。
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公开(公告)号:CN1134005A
公开(公告)日:1996-10-23
申请号:CN96102653.7
申请日:1996-02-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 涉及一种应用激光取得全息图加密的装置。激光器的光束经分束器,其物光经反射镜、护束滤波器后,由准直透镜形成的平行光经毛玻璃形成漫射光,再经黑白透明片到达全息干版;参考光先经反射镜、扩束滤波器后由准直透镜形成的平行光到达全息干版上干涉而得。所记录的密码图案与记录该图案时所用的物不同,因企图仿制者从全息标识上观察密码时看到的是莫尔图,判断不出构成该图案的物,故无法仿制,防伪性强。且设备简单,密码图案丰富。
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