公开(公告)号：CN105540536A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610064800.9

申请日：2016-01-29

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱贤方 ,  苏江滨 ,  伊姆兰·汗

IPC: B82B3/00

CPC classification number: B82B3/0009

Abstract: 电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法，涉及纳米线伸长加工的方法。首先将硅氧化物基纳米线粉末制成透射电镜样品，然后放到透射电镜中观察筛选，最后对所选的硅氧化物基纳米线进行有针对性地非聚焦辐照并实时拍照记录不同辐照时间下纳米线长度等形貌特征，直至得到所需长度的纳米线。不仅可以较容易地控制电子束辐照电流密度等能量沉积速率因素，而且还可以能动地选择纳米线的直径及其表面金属颗粒的修饰情况等表面纳米曲率因素，以及改变辐照时间的长短等来控制纳米线的伸长快慢及程度，因而具有很强的可控性。此外，在透射电镜下还可原位观察、监控纳米线伸长加工的进度，而且不会引入其它杂质。

公开(公告)号：CN101798058B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201010126626.9

申请日：2010-03-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱贤方 ,  苏江滨 ,  李论雄 ,  吴燕

IPC: B82B3/00

Abstract: 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法，涉及一种纳米线的表面修饰方法。将TEM样品放入样品座中，然后将样品杆推入到样品室中，并对透射电镜抽真空，对TEM样品中的纳米线进行观察筛选；先在TEM低倍观察模式下对纳米线进行初选，所选纳米线位于微栅孔中，然后在较高倍数观察模式下对初选定的纳米线作进一步筛选，使纳米线表面光滑且未吸附有其它固态杂质；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线片段的形貌，然后根据修饰的需要，对纳米线进行有目的性的辐照，辐照完成后拍照记录纳米线的表面修饰效果。不仅可较容易地控制各个辐照参数，具有很强的可控性，而且还能实现硅基纳米线与各种非晶碳纳米结构的良好接触与粘附。

公开(公告)号：CN101591003B

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910112083.2

申请日：2009-06-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 朱贤方 ,  吴燕 ,  苏江滨 ,  李论雄 ,  黄胜利 ,  逯高清 ,  王连洲

IPC: B82B3/00

Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法，涉及一种纳米线电子束聚焦辐照加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法。从衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，然后在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；用电镜附带的CCD拍下加工前所选纳米线的形貌，再对纳米线聚焦辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”过程，直至实现纳米线的加工。