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公开(公告)号：CN115838171A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211308217.X
申请日：2022-10-25
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/205 , H05K7/20
Abstract: 本申请提供了一种基于焦耳加热法制备石墨膜的装置及方法，反应腔室内设正负电极，夹住薄膜样品的载体，载体两端锁定于正负电极上，正负极与脉冲电源连接，腔室设置真空泵、进气阀和出气阀。通过改进，直接对导电样品施加电压，完成对样品高温热处理；或者将样品夹持或固定于导电载体表面对导电载体施加电，对样品间接加热。本发明制备方法将聚酰亚胺薄膜置于载体间，对载体瞬时预碳化和石墨化，反应时间尺度为秒级别，得到几乎没有缺陷的石墨膜，能耗远低于传统石墨炉；同时，引入掺氮过程，形成石墨氮，加强碳与氮的相互作用力，促使薄膜形成层层堆叠结构，降低生产成本；所得石墨膜石墨化程度高，且导电、导热性能优异，具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN109338512B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201811184917.6
申请日：2018-10-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种氧化铈‑氧化铝纤维及其制备方法，涉及氧化铈‑氧化铝纤维。氧化铈‑氧化铝纤维的长度不小于1mm，直径为微米数量级，铈的含量为铈和铝总质量的1％～50％，吸收波长为350～700nm。制备时，合成铈‑铝溶胶；配制前驱体纺丝液；将前驱体纺丝液形成纤维形态，煅烧，得氧化铈‑氧化铝纤维。氧化铈‑氧化铝纤维可在制备空气净化材料和水净化材料中应用。以过渡金属离子掺杂的方式调整氧化铈的禁带宽度，使其吸收波长红移到可见光区域，提高对自然光的利用率。通过制造氧化铈‑氧化铝复合纤维，可方便地实现氧化铈光催化材料的回收利用，避免二次污染。
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公开(公告)号：CN100501936C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200710008742.9
申请日：2007-03-23
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/3063 , B81C1/00
Abstract: p型硅表面微结构的电化学加工方法，涉及一种硅表面的加工。提供一种低成本、加工步骤简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在P型硅表面直接刻蚀加工微结构的新型电化学加工方法。包括以下步骤：将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面后浸泡于电解液中得存储有电解液的琼脂糖凝胶模板；再置于电解池中，将具有微结构的部分暴露于液面上；P型硅片经前处理后在背面溅射Pt层，形成欧姆接触，再将抛光面置于琼脂糖凝胶模板表面，将P型硅片作为工作电极，对P型硅片进行电化学抛光微加工，将琼脂糖凝胶模板上的微结构通过电化学抛光微加工转移至P型硅片表面得具有微结构的P型硅片后将具有微结构的P型硅片与琼脂糖两者分离。
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公开(公告)号：CN101275260A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710144095.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D7/12 , C25D5/02 , H01L21/445
Abstract: N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法，涉及一种硅表面的微加工技术。提供一种低成本、加工步骤简单、加工速度快且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在n型硅表面直接生长金属微结构的N型硅表面区域选择性电化学沉积铜微结构的制备方法。将原始母版上的微结构转移至琼脂糖表面，浸泡在铜镀液中得琼脂糖凝胶模板；再将其下部浸没在电解池中使模板微结构部分暴露于铜镀液液面上；在n型硅片背面溅射Ti/Au层形成欧姆结；将溅射Ti/Au层的n型硅片的抛光面正置于模板的微结构面，将n型硅片作为工作电极，在n型硅片上生长铜微结构；将已生长铜微结构的n型硅片与存储有铜镀液的琼脂糖凝胶模板分离。
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公开(公告)号：CN101234744A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710008512.2
申请日：2007-01-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: GaAs上微/纳光学元件制备方法，涉及一种微/纳光学元件。提供一种低成本、方法简单且无需掩模光刻等复杂工艺，并可一次性在半导体GaAs材料表面直接刻蚀加工微/纳光学阵列元件的制备方法。用具有微/纳光学阵列的石英为原始母版，将石英微/纳光学元件上的浮雕结构精确复制到高分子材料表面，并依次溅射Ti层和Pt层，表面金属化得模板电极；将模板电极作为工作电极，调节模板电极与被加工工件GaAs片平行；将电化学刻蚀溶液加入电解池，在模板电极上产生刻蚀剂，利用刻蚀溶液中的约束剂将刻蚀剂层厚度压缩至微米级或者纳米级厚度；控制GaAs片向模板电极表面移动，直至模板电极上的结构全部复制于被加工工件表面，控制两者分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1274582C
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200410037771.4
申请日：2004-05-12
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C5/00 , C01B33/021
Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。
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公开(公告)号：CN1569610A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410037771.4
申请日：2004-05-12
Applicant: 厦门大学
IPC: B81C5/00 , C01B33/021
Abstract: 硅表面复杂三维微结构的加工方法及其装置，将模板固定于架上，浸入电化学刻蚀溶液，以模板作为工作电极，另在容器中设辅助电极和参比电极，启动电化学系统，将模板逐步移向硅片，进行刻蚀，刻蚀完模板离开硅片表面。由于刻蚀剂寿命缩短而只能扩散很短距离，所以在模板表面形成的刻蚀剂层极薄，以极高的分辨率保持了模板本身的复杂三维立体图形加工于硅片上。可对硅材料进行各种复杂三维微结构(如半球面、锥面等)的批量复制加工。在适当的条件下，以此体系进行硅的加工可以达到每分钟约10微米深度的速度，分辨率达0.1微米以上。
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公开(公告)号：CN119419369A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411575179.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M10/058 , H01M10/0525 , H01M10/42 , H01M4/139 , H01M4/62
Abstract: 本发明公开了一种高首效、低应力氧化亚硅基全固态锂电池，其制备方法为：在制备氧化亚硅基负极的过程中或在组装锂电池的过程中引入预锂化方法，预锂化方法包括锂铜复合带原位预锂法、预锂化添加剂法、自放电接触预锂化法、化学预锂化法和电化学预锂化法。本发明通过合适的预锂化方法进行预锂化，以减小首圈锂化过程中不可逆锂的消耗，从而提高电池的首圈库仑效率；同时，通过本发明的方法可以得到高首效、低应力氧化亚硅基全固态锂电池，具备工艺简单、普适性强、效果明显等优点。
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公开(公告)号：CN115621435B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202211155266.4
申请日：2022-09-22
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本申请提供了一种硫化锰‑二硫化钼异质结锂硫电池正极宿主材料，以二硫化钼纳米片为主体，硫化锰纳米颗粒锚定在二硫化钼纳米片上形成具有硫化锰‑二硫化钼异质结构的复合材料。本发明通过将四水合二硫化锰、无水钼酸钠和硫代乙酰胺加入超纯水中，室温搅拌，水热法反应得到具有硫化锰‑二硫化钼异质结复合材料。本发明制备流程短且工艺简单，实验可重复性良好，制备所得硫化锰‑二硫化钼异质结复合材料兼具高电子导电性、对多硫中间物种具有高催化活性，且对多硫化物具有强化学吸附作用，有效缓解穿梭效应并提升电极反应过程动力学。
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公开(公告)号：CN115548340B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202211187256.9
申请日：2022-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01M4/62 , H01M4/1395
Abstract: 本发明公开了一种高性能原位热交联三维水系粘结剂及应用该粘结剂制备硅基负极片的方法，涉及锂电池制备技术领域。该粘结剂包括相互混合的P(E‑alt‑MA)‑0.25Li2水系粘结剂和天然富羟基粘结剂，其中P(E‑alt‑MA)‑0.25Li2水系粘结剂和天然富羟基粘结剂的重量份数比为1:1，本发明在电池制作过程中使用的粘结剂入手，使用碱化的聚乙烯马来酸和天然富羟基结合剂制作复合粘结剂，使两种粘结剂进行原位缩合反应进行交联，形成三维网状结构，并改变极片的真空烘烤温度，在极片制造过程中维持电极结构的完整性，并使活性材料与导电剂的接触更为良好，形成极佳的导电网络，从而有效提高电池的倍率性能、循环寿命和循环稳定性，并改善锂电池容量衰减的问题。
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