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公开(公告)号:CN117405522A
公开(公告)日:2024-01-16
申请号:CN202311363547.3
申请日:2023-10-20
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明提供一种柔性微波薄膜器件的仿真环境下的弯曲、折叠、扭曲测试方法,在设定的湿度环境和温度、汗渍条件下,模拟真实穿戴时的不同条件,使用弯曲测试仪器对柔性微波薄膜器件样品进行弯曲、折叠、扭曲测试;对比不同测试条件下的测试结果,评估柔性微波薄膜器件的性能稳定性和可靠性;根据数据分析结果,得出柔性微波薄膜器件在不同湿度、温度、汗渍环境下的弯曲、折叠、扭曲性能评价结论。
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公开(公告)号:CN116223571A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202111458343.9
申请日:2021-12-02
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种用于脉冲喷雾式制造湿度传感器芯片的装置,包括用于容置矩形衬底的腔体,腔体内部相对设置有第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴;第一雾化喷嘴和第二雾化喷嘴分别用于交替脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料;第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料的电阻率敏感依赖于环境湿度;第一雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料,衬底上沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低;第二雾化喷嘴用于向矩形衬底脉冲式雾化喷射第二湿度敏感材料,衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐降低。第一雾化喷嘴、第二雾化喷嘴、第一射流式雾化器、第二射流式雾化器均为固定设置,避免了制造装置容易疲劳损坏的问题。
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公开(公告)号:CN116148316A
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202111384311.9
申请日:2021-11-22
Applicant: 南通大学
IPC: G01N27/04
Abstract: 一种湿度传感器芯片的制造方法,其目的在于:实现宽湿度测量范围,并且大幅度降低制造工艺复杂性和制造成本。其实现的技术方案为,采用电阻型湿度敏感材料来实现湿度传感器的制造,湿度敏感材料沉积在衬底上,衬底具有叉指电极。从衬底的第一边缘到第二边缘的方向上,沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低,衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐升高,湿度敏感材料组分发生连续的变化。所选择出的第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料具有不同的湿度敏感特性曲线,具备不同的最佳感湿范围。两种湿度敏感材料的最佳感湿范围差别越大,本发明所得到的最终湿度传感器的湿度测量范围越宽。
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公开(公告)号:CN104009732B
公开(公告)日:2019-01-08
申请号:CN201410283391.2
申请日:2014-06-23
Applicant: 南通大学
IPC: H03H9/64
Abstract: 人工可调表面声波滤波结构,包括基板,基板上表面制有与表面声波传递方向垂直且深度为0.1‑0.3mm宽度为0.1‑0.2mm的2个高频抑制槽,基板下表面制有与表面声波传递方向垂直且宽度为0.1‑0.2mm的2个低频抑制槽,低频抑制槽的槽底至基板上表面的距离为0.4‑0.8mm,高频抑制槽与低频抑制槽呈交错分布。本发明利用表面声波在基板上表面传播、遇槽衍射的特性,在上下表面分别刻有横向槽,并且对槽之间的距离进行了限定,实现较高精度的初级滤波,经实验表明,滤波效果良好,能够满足实际生产需要。本人工可调表面声波滤波结构设计巧妙,易于工业制造,且成本低廉,由其适合于前置初级滤波用。
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公开(公告)号:CN104009732A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201410283391.2
申请日:2014-06-23
Applicant: 南通大学
IPC: H03H9/64
Abstract: 人工可调表面声波滤波结构,包括基板,基板上表面制有与表面声波传递方向垂直且深度为0.1-0.3mm宽度为0.1-0.2mm的2个高频抑制槽,基板下表面制有与表面声波传递方向垂直且宽度为0.1-0.2mm的2个低频抑制槽,低频抑制槽的槽底至基板上表面的距离为0.4-0.8mm,高频抑制槽与低频抑制槽呈交错分布。本发明利用表面声波在基板上表面传播、遇槽衍射的特性,在上下表面分别刻有横向槽,并且对槽之间的距离进行了限定,实现较高精度的初级滤波,经实验表明,滤波效果良好,能够满足实际生产需要。本人工可调表面声波滤波结构设计巧妙,易于工业制造,且成本低廉,由其适合于前置初级滤波用。
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公开(公告)号:CN103996751A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201410252683.X
申请日:2014-06-09
Applicant: 南通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804 , H01L31/0352
Abstract: 并联双结太阳能电池的制造工艺,步骤如下:对N型硅衬底进行P型掺杂,形成PN深结;在硅片表面淀积一层含有N型杂质的二氧化硅层;在顶电极区开窗,露出P型硅;P型杂质高温扩散,使二氧化硅层内的N型杂质掺入P型硅,在非顶电极区形成PN浅结,开窗处形成P型重掺杂;去除二氧化硅层并淀积氮化硅抗反射薄膜;最后制备电极。巧妙的工艺设置使得发明工艺步骤十分简化,并且能够一步形成电极区重掺杂和上表面的浅结。在高温扩散的同时,二氧化硅层内的N型杂质也会向顶电极区扩散,然而窗口区浓度较高的P型杂质能够有效的抑制这一趋势,从而确保最后获得完美的双结和电极区重掺杂。本发明各步骤均易于在工业上实现,极具实际运用价值。
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