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公开(公告)号：CN108305920B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810193977.8
申请日：2018-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种氮化物发光二极管，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，在所述第一多量子阱层、第二多量子阱层、第三量子阱层、P型电子阻挡层处还设有倒六角锥结构，所述第一多量子阱层是由InxGa(1‑x)N量子阱、GaN势垒、AlyGa(1‑y)N势垒和GaN势垒依次组成的周期结构。本发明可有效调控空穴在多量子阱中分布、使空穴和电子更为有效地分布到部分量子阱中、从而改善空穴和电子的匹配度、提升发光效率。
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公开(公告)号：CN116607210A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310369558.6
申请日：2023-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法，采用金属有机源TMIn清洗和InGaN阻挡层相结合的方法，可以消除MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物材料中掺Mg的记忆效应，阻挡Mg扩散至下一层影响光电性能。清洗MOCVD反应环境的主要特征是在TMIn的作用下，长时间吹扫MOCVD反应室和反应管道，清除反应环境中的Mg，并分解MOCVD反应室中已沉积的易分解的掺Mg氮化物，消除反应环境中Mg的记忆效应。InGaN阻挡层或InGaN/GaN超晶格阻挡层的主要特征是在合适的温度和缓慢的生长速率下生长，阻挡P型氮化物材料内部或表面的Mg扩散至下一层。通过本发明的两步法结合，能完全消除Mg的记忆效应，从而增加了Ⅲ族氮化物材料掺杂Mg后界面的陡峭性，提高材料性能。
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公开(公告)号：CN116364800A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310083226.1
申请日：2023-02-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0352 , H01L31/0304
Abstract: 本发明公开了一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构，生长全过程是在MOCVD设备中进行的，外延结构包括衬底、依次形成于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、V形坑开启层、InGaN/GaN量子阱层、p型AlxGa1‑xN层和p型GaN层；其中，在V形坑开启层沿着位错线开启V形坑，V形坑包含平台和侧壁，InGaN/GaN量子阱层在V形坑侧壁的In组分小于平台。InGaN量子阱层在V形坑侧壁的厚度相比平台更薄，可以缩短光生载流子的传输距离，并且光生载流子在V形坑的有源区中更容易分离，可以加快光生载流子离开有源区的速度，从而达到提高响应速度的目的，同时，V形坑的存在使得耗尽层加厚，增加了对光的有效吸收和光生载流子的收集效率，光电流增大，进而提高响应度。
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公开(公告)号：CN114530535A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210047002.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，从下至上依次包括：支撑基板、键合金属层、P型电极、P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层、缓冲层及N型电极，其中，缓冲层具有贯穿的V型孔洞结构；N型半导体完全填充缓冲层的V型孔洞；N型电极与V型孔洞内的N型半导体接触，形成欧姆接触。在Si衬底上生长具有V型孔洞贯穿的缓冲层，然后生长高掺杂的N型半导体层，并且缓冲层的V型孔洞被N型半导体完全填充，该结构的组合保证了器件良好的N型欧姆接触特性的同时，保留了高强度的缓冲层，可实现具有超薄外延层的氮化镓基垂直结构发光二极管的制造。
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公开(公告)号：CN113471060A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110197861A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V坑的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V坑的AlInGaN超晶格层的V坑侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V坑和连接所述V坑的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN106711300A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611222884.0
申请日：2016-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构，它包括衬底，在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层，其特征在于：准备层和黄光多量子阱层位置包含有一定数量和大小的倒六角锥结构，准备层是In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构，InxGa(1‑x)N层厚度为50‑200nm。In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力，获得高质量的黄光多量子阱发光层，同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率，从而提升黄色发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN119395123A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411757588.5
申请日：2024-12-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种氮化物材料痕量元素的二次离子质谱分析方法，收集二次离子中待测元素与氮元素形成的原子团簇型负离子的信号，代替收集该待测元素离子，通过所述原子团簇型负离子的信号分析氮化物材料中待测元素的含量及其深度分布。仅通过改变收集离子信号的模式，提高检测灵敏度，操作简单，不增加额外成本，测试结果准确，尤其适用于氮化物材料痕量元素分布的检测。
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公开(公告)号：CN119170718A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411667045.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种在含InGaN层的氮化物薄膜上沉积p型层的方法。该方法通过在MOCVD沉积设备的沉积室中，在含InGaN层氮化物薄膜的待沉积面，交替采用第一工艺、第二工艺以沉积p型层，p型层包括通过第一工艺形成的第一p型层和通过第二工艺形成的第二p型层。本发明采用低温度和慢速率、高温度和快速率交替进行的沉积方式，在相同p型层沉积厚度需求下，减少了InGaN层在较高环境温度中的等待时间，缓解了InGaN层的原子扩散问题，减少了因p型层的低温度沉积而导致碳原子的浓度累积问题，使p型层中的碳原子浓度大幅降低，使p型层具有高空穴浓度与高空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN118335866A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410259932.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种含有V形坑的氮化镓基发光二极管。通过对氮化镓基发光二极管中螺位错与刃位错进行选择性生长，使刃位错形成的V形坑被合并，螺位错形成的V形坑保持大尺寸，解决了空穴注入刃位错形成的V形坑时导致的非辐射复合以及漏电问题。本发明不仅提高了发光二极管的效率，而且减小了漏电。相比现有技术，本发明的氮化镓基发光二极管具有更高的效率与可靠性。
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