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公开(公告)号：CN110197861B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910522319.3
申请日：2019-06-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基发光二极管，从下至上依次包括：N型AlInGaN层、具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层、n区空穴阻挡层、AlInGaN基有源层、P型AlInGaN层，其特征在于：所述P型AlInGaN层中含有p区空穴阻挡层；所述n区空穴阻挡层仅形成于所述具有V型缺陷的AlInGaN超晶格层的V型缺陷侧壁，禁带宽度大于n区空穴阻挡层两侧半导体层；所述AlInGaN基有源层表面上具有V型缺陷和连接所述V型缺陷的平面区，所述P型AlInGaN层形成于所述平面区的上面并填充所述V型缺陷，所述p区空穴阻挡层仅位于所述平面区的上面，禁带宽度大于p区空穴阻挡层两侧半导体层。本发明采用高铝组分的空穴阻挡层，使空穴和电子集中在平面区复合发光，大大地提高了发光效率。
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公开(公告)号：CN115036378B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210470285.X
申请日：2022-04-28
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/103 , H01L31/101 , G01J1/44
Abstract: 本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法。该探测器自下向上依次包括：n型层、层叠结构和p型层；其中，所述层叠结构包括交替层叠的吸收层和隔离层，吸收层的数量为多个；各吸收层彼此之间禁带宽度不同，所述隔离层的禁带宽度大于所有吸收层的禁带宽度。该探测器结构在光照条件下的J‑V特性曲线具有明显台阶或拐点，使单pn结构实现多色选择性探测或同步探测成为可能。通过对该探测器测得的J‑V特性曲线进行数学处理，从中提取入射光的各波段信息，能够有效实现紫外‑红外范围内的多色选择性探测或同步探测。(56)对比文件CN 110444617 A,2019.11.12CN 114256394 A,2022.03.29TW 201724376 A,2017.07.01US 2002005524 A1,2002.01.17US 2004178421 A1,2004.09.16US 2006118722 A1,2006.06.08US 2007158638 A1,2007.07.12
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公开(公告)号：CN116465844A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310438492.1
申请日：2023-04-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01N21/31
Abstract: 本发明公开了一种测量量子阱材料吸收系数的方法，该方法包括：（1）在衬底上生长含量子阱结构的外延层；（2）获得量子阱层的总厚度；（3）将外延片制备成样品，并获得样品中外延层的上、下界面的反射率；（4）测试得到量子阱结构内产生的光生载流子被100%收集时的外量子效率曲线，根据外量子效率曲线，分析剥离出仅为量子阱结构光响应的内量子效率曲线；（5）求解吸收系数与内量子效率、反射率、量子阱层的总厚度的关系式得到吸收系数。本方法为获得量子阱材料的吸收系数提供了途径，具有简单实用、对衬底材料无要求、准确度高等优点，避免了传统椭偏法不适用于测量量子阱结构和透射法要求衬底透明的缺点，对于器件设计具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114855270A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210423243.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C30B25/12 , C30B25/16 , C30B25/18 , C30B29/40 , C23C14/02 , C23C14/18 , C23C14/32 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/58
Abstract: 本发明为一种类分子束外延设备，包括：反应腔体、束源炉、加热装置、气体离化装置、样品台装置、真空系统；其中，气体离化装置为电容耦合等离子源；气体离化装置包括上极板和下极板，其中一极板与外部射频源连接，另一极板接地；束源炉具有金属蒸发区；上极板和下极板之间具有等离子体产生区；金属蒸发区与等离子体产生区在空间上相分离。
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公开(公告)号：CN108447908A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810420573.8
申请日：2018-05-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种高电子迁移率晶体管，包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、位错阻断层、高阻层、沟道层、势垒层和盖层；所述位错阻断层为SiN层和GaN层组成的周期结构，周期数为m，其中1≤m≤10，其中SiN层呈岛状或网状分布。通过本发明，可使得随后生长的高阻层、沟道层、势垒层以及盖层中的位错密度大幅下降，提高晶体质量，从而提升高电子迁移率晶体管器件的电子迁移率、击穿电压以及漏电流等特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068818A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710286224.7
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlInGaN基绿、黄光LED的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；层叠于该衬底上的AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型层、一层P型层和夹于N型层、P型层之间的AlInGaN多量子阱，特征是：在多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的V坑，且该种V坑的尺寸大小相同；平面量子阱中存在类量子点结构，并成为LED的主要发光源。本发明具有以下优点：1、多量子阱中的类量子点发光结构减弱了位错的影响；2、多量子阱中镶嵌有在生长平面中呈周期性排列的“工艺V坑”进一步增强了V坑的空穴注入功能；3、可实现V坑增强空穴注入功能的最优化，可提高LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN103952685A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410147401.X
申请日：2014-04-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法，该生长气路包括：第一管路，第二管路，第三管路及与这三路管路相连的A、B双腔室垂直气流型MOCVD反应管喷头装置；生长方法是通过将铟、镓、铝、镁分开输运到不同生长区域的气路设置，克服了传统生长方法中将它们合并输运到衬底表面所带来的诸多不足，用全新的生长机理实现全系列x,y值的InxGa(1-x-y)AlyN材料体系的快速生长，且生长的温度与气压参数窗口变大，尤其能实现镁的快速δ掺杂。
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公开(公告)号：CN106783821B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201611214568.9
申请日：2016-12-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法。该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。该全光谱LED封装方法，采用多基色LED芯片直接合成白光，全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN111865217A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010720982.7
申请日：2020-07-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双面光伏电池测试装置，包括太阳能模拟器、测试电源、电池支架、镜面反射板、反射罩和暗室，电池支架用于安装双面光伏电池，并与测试电源连接；太阳能模拟器位于双面光伏电池正面的正前方，镜面反射板置于双面光伏电池的侧后方，收集太阳能模拟器的部分辐射并反射至反射罩中；反射罩置于双面光伏电池背面的正后方，内表面为抛物线形状。本发明使双面光伏电池在测试时正背两面同时受到光的辐射，测量出双面光伏电池的整体电学性能，消除了两步测试拟合而造成测试结果的偏差。
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公开(公告)号：CN106498368B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201611022509.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种用于MOCVD设备的喷淋头，包括多个互相隔离的进气室、相应的进气管道以及位于喷淋头中心的尾气导管。由于喷淋头同时具有进气导管和尾气导管，反应气体经喷淋头的进气导管从上向下喷入反应腔，最终经喷淋头中心的尾气导管从下向上抽出，反应腔内气体沿径向从外侧向中心流动，可大幅减少反应物沿程损耗的不利影响，有利于获得良好的外延生长均匀性。多个相互隔离的进气腔可选择性地输运第一、第二或者第三反应气体，通过选择进气腔合适的排列组合可以大幅提升金属有机气体的利用率，基本消除反应腔的侧壁的反应物沉积。
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