一种MOCVD气路压差控制系统

    公开(公告)号:CN103757606A

    公开(公告)日:2014-04-30

    申请号:CN201310748891.4

    申请日:2013-12-31

    Inventor: 蒲勇 徐龙权 丁杰

    Abstract: 本发明公开了一种MOCVD气路压差控制系统,包括:主载气管道,主气路管道和旁路管道,特征是:在主气路管道的前端依次安装有主气路管道质量流量控制器和压力传感器,在旁路管道的最后端安装有一个压力控制器,在主气路管道上安装有六个四通切换阀,在旁路管道上安装有六个三通切换阀,每一个四通切换阀与相对应的三通切换阀通过相应的支管连接。这样就能在主气路管道有反应气体进入后,在压力传感器、PLC、压力控制器的共同作用下,旁路管道群殴压力随时跟随主气路管道压力变化,二者始终有一个压差跟随关系。这样反应气体能够顺利切入主气路管道并运送进反应室,非反应气体切入旁路管道准备,从而达到精确控制主气路和旁路之间气体的快速平稳切换。

    一种化学气相沉积装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106811736A

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201611222834.2

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置,包括位于反应腔顶部的喷淋头和带侧壁吹扫的反应腔。喷淋头中单圈排列的金属有机气体进气导管设在氢化物进气导管中,使氢化物气体环绕金属有机气体向下输运,氢化物气体或载气从喷淋头内部和外部的进气导管进入反应腔。反应腔的侧壁上设有进气导管,将氢化物或载气输运进入反应腔,起到吹扫作用。在喷淋头中心设置了尾气导管,反应气体沿径向从外侧向中心流动,最终经尾气导管从下向上抽出。使用本发明装置,可在反应腔内形成由外侧向中心的水平层流,相比长距离输运喷淋头,可大幅提升金属有机气体利用率,相比短距离输运喷淋头,将大幅减少反应腔侧壁的反应物沉积,可以满足生产型MOCVD的要求。

    一种InGaN基黄色发光二极管结构

    公开(公告)号:CN106711300A

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201611222884.0

    申请日:2016-12-27

    CPC classification number: H01L33/12 H01L33/24 H01L33/32

    Abstract: 本发明公开了一种InGaN基黄色发光二极管结构,它包括衬底,在衬底上由下至上依次生长有缓冲层、n型层、准备层、黄光多量子阱层和p型层,其特征在于:准备层和黄光多量子阱层位置包含有一定数量和大小的倒六角锥结构,准备层是In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构,InxGa(1‑x)N层厚度为50‑200nm。In组分较高的InxGa(1‑x)N厚单层结构准备层可显著弛豫了黄光多量子阱层所受的张应力,获得高质量的黄光多量子阱发光层,同时位于准备层及黄光多量子阱层区域的倒六角锥结构可大幅提升p型载流子(空穴)的注入效率,从而提升黄色发光二极管的发光效率。

    一种用于制备氮化物材料的装置

    公开(公告)号:CN107675141B

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN201711006984.4

    申请日:2017-10-25

    Abstract: 本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置,包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统,其中:腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成,金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置,金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成,真空系统包括干泵、分子泵和低温泵,样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置,传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式,具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。

    一种化学气相沉积装置
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106811736B

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201611222834.2

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置,包括位于反应腔顶部的喷淋头和带侧壁吹扫的反应腔。喷淋头中单圈排列的金属有机气体进气导管设在氢化物进气导管中,使氢化物气体环绕金属有机气体向下输运,氢化物气体或载气从喷淋头内部和外部的进气导管进入反应腔。反应腔的侧壁上设有进气导管,将氢化物或载气输运进入反应腔,起到吹扫作用。在喷淋头中心设置了尾气导管,反应气体沿径向从外侧向中心流动,最终经尾气导管从下向上抽出。使用本发明装置,可在反应腔内形成由外侧向中心的水平层流,相比长距离输运喷淋头,可大幅提升金属有机气体利用率,相比短距离输运喷淋头,将大幅减少反应腔侧壁的反应物沉积,可以满足生产型MOCVD的要求。

    一种高电子迁移率晶体管外延结构

    公开(公告)号:CN208142186U

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201820436749.4

    申请日:2018-03-29

    Abstract: 本实用新型提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构,包括硅衬底,在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层,所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层,所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的,所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本实用新型在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构,即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力,在AlN应力层上直接生长GaN三维层,然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层,这样就无需二次外延,结构简单且实用性高,同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度,提高晶体质量,从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压等特性。

    一种用于制备氮化物材料的装置

    公开(公告)号:CN207405234U

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201721384024.7

    申请日:2017-10-25

    Abstract: 本实用新型公开了一种用于制备氮化物材料的装置,包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统,其中:腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成,金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置,金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成,真空系统包括干泵、分子泵和低温泵,样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置。本实用新型制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式,具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本实用新型具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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