公开(公告)号：CN102496761A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110443692.3

申请日：2011-12-27

Applicant: 南开大学

Inventor： 何明 ,  夏侯海 ,  乔忍 ,  阎少林 ,  方兰 ,  赵新杰 ,  季鲁 ,  张旭

IPC: H01P5/12 ,  H01P1/213 ,  H01P7/08

Abstract: 针对超导多工器小型化要求，采用一种星型耦合结构将各信道滤波器合并起来，消除各信道滤波器合并带来的冗余电纳的影响，解决多工器与前级器件阻抗难以匹配的问题。本发明三工器由三个信道的滤波器并联组成，在输入端采用方形开路环型微带线谐振器实现星型结；三个滤波器集成在同一片高温超导薄膜上，并呈‘⊥’形分布；单个滤波器由‘L’形谐振器组成。超导三工器的衬底材料为LaAlO3、MgO或者Al2O3。本发明三工器的各信道输入端采用星型结耦合起来，实现三工器与前级器件阻抗完全匹配；此外单个滤波器结构简单，兼有易于仿真的优点。因此这种多工器结构非常适合制作通带内隔离度高、通带外陡峭度高的线性相位超导三工器。

公开(公告)号：CN101299452A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200810052101.8

申请日：2008-01-18

Applicant: 南开大学

Inventor： 阎少林 ,  谢清连 ,  赵新杰 ,  方兰

IPC: H01L39/24 ,  C30B33/00

Abstract: 本发明涉及在单晶衬底上制备CeO2隔离层薄膜的方法。本发明是采用两步方法制备CeO2隔离层薄膜：先在单晶衬底上低温淀积一层CeO2薄膜，然后在高温下再淀积一层CeO2薄膜，两次淀积的薄膜结合在一起构成CeO2隔离层薄膜。在制作高温超导薄膜过程中，采用本发明制作的CeO2隔离层薄膜能有效地隔离单晶衬底材料与高温超导薄膜之间的互扩散，并调整与高温超导薄膜之间的晶格匹配，以获得外延生长和平整表面形貌，以及高性能的高温超导薄膜。

公开(公告)号：CN1329737C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200410019248.9

申请日：2004-05-19

Applicant: 南开大学

Inventor： 阎少林 ,  张旭 ,  冯洪辉

IPC: G01R27/02

Abstract: 本发明涉及一种测量表面电阻的方法及其装置，用于检测金属材料、超导薄膜材料、尤其是用于检测高温超导薄膜材料的表面电阻的方法及测量装置，属于电子技术领域。它采用了一端短路而另一端处于开放状态的介质加载谐振器。通过分别对两个材料相同、长度一样、直径不等的介质圆柱组成的微波介质加载谐振腔的测量，可以确定除测试样品以外其它损耗所对应的系统品质因数值Qr，进而对被测样品进行测量，可得到被测样品的表面电阻Rs。测量过程简单、快捷、测试结果精度高，解决了以往测量表面电阻的局限性，如测量样品被破坏，或测量中需要多片样品，或测量中需要依赖校准件。实现了非损伤性单片超导薄膜表面电阻的绝对测量。

公开(公告)号：CN1516297A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03144207.2

申请日：2003-08-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 阎少林 ,  方兰 ,  何明 ,  路荣涛

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 ,  C04B35/00

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 本发明涉及Tl2Ba2CaCu2O8(Tl－2212)超导材料薄膜及其制备方法。Tl－2212超导薄膜超导转变温度高于100K；77K温度下临界电流密度大于106A/cm2；77K温度下、10GHz频率时的表面电阻小于1mΩ。Tl－2212超导材料薄膜的厚度在10nm－1000nm之间。本发明主要是采用两步方法制作Tl－2212外延超导薄膜：第一步，在衬底基片上淀积Tl－Ba－Ca－Cu－O非晶先驱薄膜；第二步，高温热处理，使Tl－Ba－Ca－Cu－O非晶先驱薄膜转变为超导薄膜。本发明解决了大面积双面Tl－2212外延超导薄膜的制备方法。本发明制作的Tl－2212外延超导薄膜可用来制作微波无源器件或其他超导电子器件。

公开(公告)号：CN1111314C

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：CN96113183.7

申请日：1996-10-31

Applicant: 南开大学

Inventor： 阎少林

IPC: H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: 高温超导薄膜衬底台阶本征约瑟夫森结阵及其制备方法。涉及高温超导材料中的约瑟夫森结器件领域。解决了制备高温超导薄膜本征约瑟夫森结的技术问题。在小角度台阶衬底上外延生长高温超导薄膜，将超导薄膜在跨越台阶处刻蚀成微桥。本发明是利用高温超导材料本身固有的层间约瑟夫森效应提出了约瑟夫森结的一种新结构及制备方法。该结构可单独作为超导器件使用，也可组合成SQUID器件以及其它超导集成电路。

公开(公告)号：CN1156338A

公开(公告)日：1997-08-06

申请号：CN96113183.7

申请日：1996-10-31

Applicant: 南开大学

Inventor： 阎少林

IPC: H01L39/24 ,  H01L39/22

Abstract: 高温超导薄膜衬底台阶本征约瑟夫森结阵及其制备方法。涉及高温超导材料中的约瑟夫森结器件领域。解决了制备高温超导薄膜本征约瑟夫森结的技术问题。在小角度台阶衬底上外延生长高温超导薄膜，将超导薄膜在跨越台阶处刻蚀成微桥。本发明是利用高温超导材料本身固有的层间约瑟夫森效应提出了约瑟夫森结的一种新结构及制备方法。该结阵可单独作为超导器件使用，也可组合成SQUID器件以及其它超导集成电路。

公开(公告)号：CN209941078U

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201920758826.2

申请日：2019-05-24

Applicant: 南开大学

Inventor： 季鲁 ,  梁雪连 ,  邢建 ,  阎少林

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/24 ,  H01B12/06

Abstract: 本实用新型涉及超导材料技术领域，具体涉及一种蓝宝石坩埚。本实用新型提供的蓝宝石坩埚包括蓝宝石上盖和蓝宝石底座；所述蓝宝石上盖的中间区域设置有圆形凹槽，所述圆形凹槽的顶面为弧面；所述蓝宝石底座的中间区域设置有圆柱形凹槽，所述圆柱形凹槽的底面为弧面；其中，所述圆形凹槽和圆柱形凹槽同轴心。本实用新型提供的蓝宝石坩埚的蓝宝石上盖中圆形凹槽的顶面为弧面，且蓝宝石底座中圆柱形凹槽的底面为弧面，保证含铊先驱膜样品中间部分的空间相对于边缘部分更大，这样可以使含铊先驱膜样品处于均匀的Tl2O蒸气氛围中，保证所得铊系高温超导薄膜具有均一的结晶和超导特性，尤其适合大尺寸铊系高温超导薄膜的制备。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN2192628Y

公开(公告)日：1995-03-22

申请号：CN94213595.4

申请日：1994-06-01

Applicant: 南开大学

Inventor： 阎少林

IPC: C23C14/34

Abstract: 本实用新型是对靶式直流磁控离子溅射台，属于电子镀膜技术领域。现有的磁控溅射台均采用双层环形磁体结构，靶材利用率低，耗电量大，成膜速率低。本实用新型的目的在于解决靶材利用率，成膜质量等问题。采用U形磁体结构，在两极之间形成均匀的辉光放电区，磁极间距可以调节，靶可得到充分利用，成膜速率高、均匀，质量好，结构紧凑，便于放入真空系统，利于推广使用，制作超导薄膜、金属薄膜、合金薄膜及其它导电薄膜。