公开(公告)号：CN1317777C

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN03144207.2

申请日：2003-08-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 阎少林 ,  方兰 ,  何明 ,  路荣涛

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 ,  C04B35/00

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 本发明涉及Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)超导材料薄膜及其制备方法。Tl-2212超导薄膜超导转变温度高于100K；77K温度下临界电流密度大于106A/cm2：77K温度下、10GHz频率时的表面电阻小于1mΩ。Tl-2212超导材料薄膜的厚度在10nm-1000nm之间。本发明主要是采用两步方法制作Tl-2212外延超导薄膜：第一步，在衬底基片上淀积Tl-Ba-Ca-Cu-O非晶先驱薄膜；第二步，高温热处理，使Tl-Ba-Ca-Cu-O非晶先驱薄膜转变为超导薄膜。本发明解决了大面积双面Tl-2212外延超导薄膜的制备方法。本发明制作的Tl-2212外延超导薄膜可用来制作微波无源器件或其他超导电子器件。

公开(公告)号：CN1516297A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN03144207.2

申请日：2003-08-29

Applicant: 南开大学

Inventor： 阎少林 ,  方兰 ,  何明 ,  路荣涛

IPC: H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01B12/06 ,  H01B13/00 ,  C04B35/00

CPC classification number: Y02E40/642

Abstract: 本发明涉及Tl2Ba2CaCu2O8(Tl－2212)超导材料薄膜及其制备方法。Tl－2212超导薄膜超导转变温度高于100K；77K温度下临界电流密度大于106A/cm2；77K温度下、10GHz频率时的表面电阻小于1mΩ。Tl－2212超导材料薄膜的厚度在10nm－1000nm之间。本发明主要是采用两步方法制作Tl－2212外延超导薄膜：第一步，在衬底基片上淀积Tl－Ba－Ca－Cu－O非晶先驱薄膜；第二步，高温热处理，使Tl－Ba－Ca－Cu－O非晶先驱薄膜转变为超导薄膜。本发明解决了大面积双面Tl－2212外延超导薄膜的制备方法。本发明制作的Tl－2212外延超导薄膜可用来制作微波无源器件或其他超导电子器件。