公开(公告)号：CN116528593A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310289260.4

申请日：2023-03-23

Applicant: 南开大学

Inventor： 贾传成 ,  高春燕 ,  司伟 ,  汪博宇 ,  常新月 ,  郭雪峰

IPC: H10K10/00 ,  G11C11/34 ,  H10B99/00

Abstract: 本申请提供了一种垂直单分子存储器件及其制备方法，所述垂直单分子存储器件能够达到原子级平整，且原子层厚度可控，所包含的光/电致异构分子在电场和光照或温度刺激下会发生异构转换，通过稳定调节所述光/电致异构分子的异构转换，从而实现稳定的存储功能，同时采用新型二维材料替代传统场效应晶体管中的栅极，引入离子液体实现双电层栅场，并通过采用二维材料的绝缘支撑层对电极间距进行原子级别厚度的精准控制，从而获得器件尺寸小、稳定性好、栅调控效率高且具有能够大规模集成的优势的垂直单分子存储器件。

公开(公告)号：CN112582541B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202011410952.2

申请日：2020-12-06

Applicant: 南开大学

Inventor： 贾传成 ,  李佩慧 ,  常新月 ,  郭雪峰

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

Abstract: 一种基于二维叠层异质结构的垂直单分子膜场效应晶体管及其制备方法，属于新材料以及分子场效应晶体管领域，由二维材料模板层、超平金属电极、二维材料绝缘支撑层、自组装单分子膜、二维材料漏端电极、绝缘二维材料介质层以及导电二维材料栅电极层构成。本发明采用新型二维材料替代传统场效应晶体管中的栅极和介电层材料，并引入二维材料绝缘层对电极间距进行原子级别厚度的精准控制，引入二维材料薄层对金属电极平整度进行改善，使得器件达到原子级平整并且原子层厚度可控，实现了具有室温稳定性的固态栅极调控的并且具有超平金属电极的垂直分子场效应晶体管，大大提高了器件的稳定性以及大规模集成的可能性。

公开(公告)号：CN114292201A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111615533.7

申请日：2021-12-27

Applicant: 北京未名元上分子技术有限公司 ,  南开大学

Inventor： 郭雪峰 ,  李佩慧 ,  贾传成 ,  汪博宇 ,  常新月

IPC: C07C225/24 ,  C07C211/50 ,  C07C211/31 ,  C07C211/25 ,  C07D213/38 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本申请提供了一种具有量子干涉效应的化合物及包含其的单分子场效应晶体管，由于量子干涉效应，所述单分子场效应晶体管的开关比与普通分子构建的场效应晶体管相比有数量级的提升。本申请的单分子场效应晶体管中，具有量子干涉效应的化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件的精准控制制备，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力，具有较好的稳定性和集成性。

公开(公告)号：CN114213258A

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202111521169.8

申请日：2021-12-13

Applicant: 北京未名元上分子技术有限公司 ,  南开大学

Inventor： 郭雪峰 ,  李佩慧 ,  张苗 ,  贾传成 ,  常新月

IPC: C07C211/50 ,  C07C211/31 ,  C07D487/22 ,  C07D471/06 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 本申请提供了一种平面共轭分子化合物及包含其的单分子场效应晶体管，所述平面共轭分子化合物，共轭性好，平面性好，能够实现面对面堆积，有利于载流子的传输；所述单分子场效应晶体管中，所述平面共轭分子化合物能够通过酰胺共价键稳定连接于具有纳米间隙阵列的二维单层石墨烯的间隙形成分子异质结，并采用具有原子级平整且原子层厚度可控的新型二维材料，通过不同二维材料的范德华堆叠组装，形成范德华异质结构，能够实现单分子场效应晶体管器件制备的精准控制和测量的稳定性，使单分子场效应晶体管具有较强的栅电场调控能力、较好的稳定性和集成性。