公开(公告)号：CN103811598A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310672969.9

申请日：2013-12-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  高绪敏 ,  施政 ,  李欣 ,  陈佳佳 ,  白丹

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  G02B6/122 ,  G02B6/124 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/124 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法，实现载体为硅衬底III族氮化物晶片外延生长一层纳米级厚度的氧化铪薄膜，包括硅衬底层，设置在硅衬底层上的氮化物层，以及外延生长在氮化物层上的氧化铪薄膜层。硅衬底层具有一个贯穿至氮化物层下表面的长方体空腔；氮化物层位于空腔上部的悬空部分从其下表面进行减薄处理；氮化物层和氧化铪薄膜层位于空腔上部的部分具有相同的纳米光子器件结构。本发明还公开了一种硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件的制备方法，该器件实现了激发光和纳米结构之间的交互作用，并且便于与硅基微电子加工技术集成，实现集成式硅基光电子系统。

公开(公告)号：CN103018827A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210570246.3

申请日：2012-12-25

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  施政 ,  于庆龙 ,  陈佳佳 ,  高绪敏 ,  贺树敏

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件，采用SOI晶片作为载体，所述SOI晶体从上到下依次为顶层硅器件层、氧化埋层和硅衬底层；所述顶层硅器件层刻蚀有一个C型谐振腔、2个光波导、2列入射光栅和一个光子晶体阵列，其中，一个光波导的一端与C型谐振腔的开口连接，另一个光波导的一端与C型谐振腔的外周连接；光子晶体阵列由数个圆孔型空气介质柱周期性光子晶体组成，围绕C型谐振腔和光波导规则排列；每列入射光栅均由数个线性光栅纵向平行排列而成，两列入射光栅的一端分别连接两个光波导的另一端。此种器件可实现对入射光的二次选频，提高器件的Q值。本发明还公开一种高Q值微型圆形谐振腔器件的制备方法。