公开(公告)号：CN109841714A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201910018370.0

申请日：2019-01-09

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  王帅 ,  倪曙煜 ,  袁佳磊

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/46 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及照明、显示和光通信领域，尤其涉及一种垂直结构近紫外发光二极管及其制备方法。所述垂直结构近紫外发光二极管，包括：导电衬底，所述导电衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；金属反射层，位于所述第一表面；氮化物外延层，位于所述金属反射层表面，包括沿垂直于所述导电衬底的方向依次叠置的P型GaN层、量子阱层、准备层和N型AlGaN层，所述氮化物外延层的厚度小于近紫外光的波长；N型电极，位于所述N型AlGaN层表面；P型电极，位于所述第二表面。本发明提降低了发光二极管内部的吸收损耗，大幅度提高了出光效率。

公开(公告)号：CN109508786A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201811155728.6

申请日：2018-09-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 王永进 ,  章燕 ,  王帅 ,  王新

IPC: G06N3/067

Abstract: 本发明公开了一种学习、记忆和判决识别的光子类脑器件及其制备方法，该器件包括从下至上依次设置的Si衬底层、外延缓冲层、n-GaN层、设置在n-GaN层上的n-电极、波导、发射端和接收端，n-电极构成公共端，发射端分别通过波导与接收端连接，接收端与n-电极直接连接，发射端分别通过波导与n-电极连接，发射端、接收端和波导下方设置有贯穿Si衬底层、外延缓冲层到n-GaN层中的空腔。本发明以光子取代电子作为信息载体来模拟神经元和突触中神经递质的传输。模拟人脑整合不同模态的感知信息从而做出最优化的判断，实现模拟人脑的自我学习，记忆和判决。

公开(公告)号：CN108233181A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711462671.X

申请日：2017-12-28

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 施政 ,  王永进 ,  张帅 ,  蒋元 ,  王帅

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器及其制备方法，通过硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术，获得悬空量子阱二极管器件结构，并利用聚焦离子束刻蚀和电子束蒸镀技术形成集成于悬空InGaN/GaN量子阱二极管的谐振光栅微腔，实现集成谐振光栅微腔的电泵浦悬空GaN薄膜激光器，可以改变谐振光栅微腔的结构参数或集成不同谐振光栅微腔，调控微腔结构，实现波长可调的悬空GaN薄膜激光器。本发明提出的集成谐振光栅微腔的悬空GaN薄膜激光器可用于可见光通信、显示及传感领域。