公开(公告)号：CN103903939B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201410153219.5

申请日：2014-04-16

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  常本康 ,  冯琤 ,  钱芸生 ,  富容国 ,  张俊举 ,  刘磊 ,  陈鑫龙 ,  徐源 ,  郝广辉

IPC: H01J29/04 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种蓝延伸指数掺杂透射式GaAs光电阴极及其制备方法。该阴极自下而上由高质量n型GaAs衬底、p型Ga1-yAlyAs阻挡层、p型指数掺杂的GaAs发射层、Al组分变化的p型Ga1-xAlxAs窗口层和p型GaAs保护层组成；其中，p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场增长型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3；p型Ga1-xAlxAs窗口层中Al组分是变化的，自下向上由0逐渐增加到0.9。本发明通过采用Al组分变化的窗口层和指数掺杂的发射层，构建了阴极体内两级内建电场，从而改善后界面特性，增强短波光吸收，降低后界面电子复合影响，提高短波光电子的发射效率，最终达到蓝延伸目的。

公开(公告)号：CN103903939A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410153219.5

申请日：2014-04-16

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  常本康 ,  冯琤 ,  钱芸生 ,  富容国 ,  张俊举 ,  刘磊 ,  陈鑫龙 ,  徐源 ,  郝广辉

IPC: H01J29/04 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种蓝延伸指数掺杂透射式GaAs光电阴极及其制备方法。该阴极自下而上由高质量n型GaAs衬底、p型Ga1-yAlyAs阻挡层、p型指数掺杂的GaAs发射层、Al组分变化的p型Ga1-xAlxAs窗口层和p型GaAs保护层组成；其中，p型指数掺杂GaAs发射层为3个以上单元分层结构，掺杂浓度按内建电场增长型指数掺杂分布，从后界面处单元分层的1.0×1019cm-3下降到发射表面处单元分层的1.0×1018cm-3；p型Ga1-xAlxAs窗口层中Al组分是变化的，自下向上由0逐渐增加到0.9。本发明通过采用Al组分变化的窗口层和指数掺杂的发射层，构建了阴极体内两级内建电场，从而改善后界面特性，增强短波光吸收，降低后界面电子复合影响，提高短波光电子的发射效率，最终达到蓝延伸目的。

公开(公告)号：CN202649593U

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201220251717.X

申请日：2012-05-31

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 冯琤 ,  汪慧婷 ,  余明伟 ,  周游宇 ,  王长胜 ,  顾少帅 ,  张俊举

IPC: G02B23/12

Abstract: 本实用新型公开了一种帧累积积分望远镜，包括望远镜、底部支架、电荷耦合器件、图像采集卡和图像处理装置计算机，望远镜由底部支架支撑，其原有的目镜被电荷耦合器件代替，望远镜和电荷耦合器件之间用专用的转接口进行物理连接，电荷耦合器件的信号输出端通过数据线与采集卡相连，采集卡与计算机相连，计算机用来对采集到的图像进行帧累积灰度值相加求平均的处理。本实用新型提供了一种在不改变天文望远镜分辨率和观测环境的情况下，提高观测精度的装置。使用方便，观测精度高。