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公开(公告)号：CN116390630A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310220333.4
申请日：2023-03-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种基于金刚石的磁场传感器及制备，包括由单晶金刚石衬底，掺氮的金刚石薄膜层，及钛、金电极构成的电极层，单晶金刚石衬底、掺氮的金刚石薄膜层、电极层由下至上依次设置，在两个电极间形成金属‑半导体‑金属结构；所述单晶金刚石衬底为高温高压法合成的Ib型金刚石单晶，晶向为(100)，X射线衍射半峰宽小于0.1°，含氮量为27±5ppm；所述掺氮的金刚石薄膜层厚度为20～80μm，含氮量约为168±15ppm。本发明中掺氮的金刚石薄膜层提高了金刚石中的氮空位(NV)含量，通过电压调控尽可能让NV色心处于利于传感的NV‑形态，以提高传感灵敏度。在微波信号的作用下观察PL谱中NV‑对应的特征峰的强弱变化，以此实现所制器件对磁场传感的功能。
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公开(公告)号：CN115621327A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202110792656.1
申请日：2021-07-14
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06
Abstract: 本发明提出了一种基于自组装Ni纳米岛的JBS功率二极管及其制备方法。该二极管的结构包括自下而上依次设置的阴极、N+衬底、JBS结构和阳极，JBS结构包括N‑漂移层、PN异质结和Ni纳米岛，其中，N‑漂移层上设有沟槽结构，位于沟槽内侧面和底部的P型金属氧化物与N‑漂移层构成PN异质结；Ni纳米岛位于沟槽的顶部，与N‑漂移层形成肖特基接触；PN异质结与肖特基接触相并联。本发明利用Ni薄膜在快速热退火下形成的自组装纳米岛代替光刻胶作为掩膜，省去了光刻的步骤，大大简化了制备工艺，不仅缩短了制备周期，而且节约了成本。
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公开(公告)号：CN111188027B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202010088816.X
申请日：2020-02-12
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/34
Abstract: 一种化学气相沉积设备，包括气体输入结构和反应室，所述气体输入结构包括气体分配器以及下方的出气套筒，所述气体分配器为开设有一个入口和多个均匀分布的出口相连通的容器，所述每个出口均为出气套筒的结构，出气套筒包括由内向外依次同轴嵌套设置的第一管、第二管和第三管，所述气体分配器的每一所述出口与所述第一管对应，所述第一管内的空间用于传输第一反应物，所述第一管外与所述第二管内之间的空间用于传输隔离气体，所述第二管外与所述第三管内之间的空间用于传输第二反应物，所述隔离气体使得所述第一反应物与所述第二反应物至少在出气套筒出口处隔离。
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公开(公告)号：CN111564504A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010298336.6
申请日：2020-04-16
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/108 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了日盲紫外探测器及其制备方法。探测元件由上至下包括由金属和氧化物的多周期滤波结构(或称滤波层)，紫外吸收体、叉指电极层、衬底层；多周期滤波结构顶部，底部均为电解质隔离层；由金属薄膜和电介质薄膜交替的多周期滤波结构生长在探测器的电介质隔离层上。多周期滤波结构尤其是交替生长氧化铝和铝。探测器结构采用背电极MSM结构，金属叉指电极制备在紫外吸收体与衬底之间，光信号从器件正面经过滤波结构射入紫外吸收体中，以避免叉指电极的阻挡，有效提高吸收效率。可实现日盲紫外波段的高效探测，同时对可见光、红外波段具有高抑制作用。
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公开(公告)号：CN111188027A
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN202010088816.X
申请日：2020-02-12
Applicant: 南京大学
IPC: C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/34
Abstract: 一种化学气相沉积设备，包括气体输入结构和反应室，所述气体输入结构包括气体分配器以及下方的出气套筒，所述气体分配器为开设有一个入口和多个均匀分布的出口相连通的容器，所述每个出口均为出气套筒的结构，出气套筒包括由内向外依次同轴嵌套设置的第一管、第二管和第三管，所述气体分配器的每一所述出口与所述第一管对应，所述第一管内的空间用于传输第一反应物，所述第一管外与所述第二管内之间的空间用于传输隔离气体，所述第二管外与所述第三管内之间的空间用于传输第二反应物，所述隔离气体使得所述第一反应物与所述第二反应物至少在出气套筒出口处隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106803478B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201611113575.X
申请日：2016-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备GaN纳米结构阵列的方法，利用CVD设备和石墨烯插入层及低温GaN缓冲层升华法生长GaN纳米结构阵列；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底放入CVD管式炉生长系统中，开始GaN纳米结构生长；先在低温下生长GaN缓冲层，然后升温至高温开始生长GaN纳米阵列；缓冲层生长温度：500–1000℃，纳米线阵列生长温度1000‑1150℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量0.5‑5slm。
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公开(公告)号：CN106757323B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611103463.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备无应力InN纳米线的方法，利用CVD设备升华法生长InN纳米线；衬底采用蓝宝石、硅或石英玻璃、GaN/蓝宝石(硅)，衬底清洗后，先覆盖单层或多层石墨烯薄膜；将覆有石墨烯薄膜的衬底表面沉积Au，放入CVD管式炉生长系统中，开始InN纳米线生长；常压，生长温度：500–800℃；高纯N2作为载气先吹扫管式炉去除空气等，然后持续通气保护InN纳米线外延，生长期间总N2载气流量0‑5slm；In源采用常规的高纯金属铟升华铟蒸汽和高纯氨气N H3反应生成InN。高纯氨气作为氮源，NH3流量：100–2000sccm；生长时间30‑150分钟。
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公开(公告)号：CN106601881B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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公开(公告)号：CN106645323A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201611079255.7
申请日：2016-11-30
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/26
CPC classification number: G01N27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化物异质结的极性溶剂化学传感器，在衬底上制备ZnMgO/ZnO异质结构，通过光刻、热蒸发等半导体工艺在异质结构制作电极，形成肖特基‑欧姆接触的非对称无栅高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的化学传感器。ZnMgO/ZnO异质界面形成二维电子气(2DEG)，吸附于器件传感区域的极性溶剂分子可以影响异质界面二维电子气(2DEG)的浓度，通过器件漏源电流的变化，从而实现对多种极性溶剂的探测。
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公开(公告)号：CN106601881A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710093149.2
申请日：2017-02-21
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0079
Abstract: 一种ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，以纳米图形化(PSS)蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED。新型的垂直结构型GaN紫外LED，可降低器件成本，并提高GaN紫外LED的出光效率。形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，剥离工艺简单，成本低，有利于实现柔性衬底的照明工程。
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