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公开(公告)号：CN101325112B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810023936.0
申请日：2008-04-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法，该纳米材料由CdO基质构成，特征是CdO基质中掺杂的镍离子的摩尔比范围在1.0％～20.0％。推荐采用的掺杂比为2.0％～15.0％，最佳掺杂比为4.0％。该镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料存在形态为纳米粉末和纳米薄膜。所述的镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料中掺杂的镍离子取代基体CdO中Cd2+的晶格位置，从而形成替位掺杂。本发明还提供了该磁半导体纳米材料的制备方法。本发明的稀磁半导体纳米材料结晶良好，掺杂的镍离子取代了CdO晶格中的Cd2+的位置，从而形成了替位掺杂。所制备的稀磁半导体纳米材料具有室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN101325112A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810023936.0
申请日：2008-04-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 镍离子掺杂的氧化镉基室温稀磁半导体纳米材料及其制备方法，该纳米材料由CdO基质构成，特征是CdO基质中掺杂的镍离子的摩尔比范围在1.0％～20.0％。推荐采用的掺杂比为2.0％～15.0％，最佳掺杂比为4.0％。该镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料存在形态为纳米粉末和纳米薄膜。所述的镍离子掺杂的氧化镉基稀磁半导体纳米材料中掺杂的镍离子取代基体CdO中Cd2+的晶格位置，从而形成替位掺杂。本发明还提供了该磁半导体纳米材料的制备方法。本发明的稀磁半导体纳米材料结晶良好，掺杂的镍离子取代了CdO晶格中的Cd2+的位置，从而形成了替位掺杂。所制备的稀磁半导体纳米材料具有室温铁磁性。
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公开(公告)号：CN100411745C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200610088447.4
申请日：2006-08-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 加热氧化层包裹金属纳米核壳结构形成纳米液体的喷射方法，在洁净非晶碳或硅衬底用真空离子刻蚀的方法去除其表面附着物加强结合力，在衬底上采用气相凝聚沉积来制备直径在40-100nm之间的低熔点金属纳米颗粒，低熔点金属是铅、锑、锡中的一种或二元合金；通入氧气，在颗粒表面形成厚度小于10nm的不均匀的氧化层；在1Pa的Ar气氛下，加热衬底使得内部纳米核心熔化并且体积扩张，从外氧化层薄弱处撑裂氧化层从而形成10-40纳米的表面破裂孔，加热温度为略低于核心金属的块体熔点10-60摄氏度，最终内部液体从喷口射出。
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公开(公告)号：CN101060047A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710021318.8
申请日：2007-04-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 类金刚石材料场电子发射阴极制备方法，利用团簇束流在基底上沉积高密度纳米针尖发射体从而实现高场发射电流和低发射阈值，在高真空室中，利用Ar、He等气体碰撞射频磁控溅射产生的类金刚石材料蒸气产生纳米颗粒，并产生定向束流将其引到衬底，改变束流强度和沉积时间来实现高空间密度发射体制备；束流的调节方法是：调节靶室中的Ar、He气体流量101－102sccm和分压1∶1～5∶1，调节最终工作体束流的尺寸组分；调节溅射靶材到小孔的距离＞10cm调节纳米颗粒以及最终发射体的大小。本发明获得高发射体空间密度和高性能(低启动电压、高发射电流)的场发射阴极。
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公开(公告)号：CN1794480A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510095333.8
申请日：2005-11-08
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种磁电复合材料，它是由磁致伸缩材料矩形片和相同形状、上下表面具有一对平面电极的、沿着厚度方向极化压电材料矩形片层合而成的磁电复合材料。沿着长度方向对上述磁电复合材料矩形片施加一交流磁场和一直流偏置磁场，当施加的交流磁场频率等于上述磁电复合材料矩形片的一阶弯曲共振频率时，上述磁电复合材料矩形片将发生弯曲共振，压电层输出电压，实现磁能到电能的转换。当所施加的直流偏置磁场强度适当时，压电层输出的电压达到最大，并且能量转换效率也达到最大。本发明的磁电复合材料同径向或纵向共振耦合模式相比，其弯曲共振频率极低，并具有较高的磁电耦合效率，同时仍能保持较高的磁电耦合输出，可以有效实现磁电耦合元件的小型化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1225805C
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN03132167.4
申请日：2003-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种磁电复合材料，它是一个矩形片(1)，矩形片沿着长度方向被分成第一区(A1)和第二区(A2)两个区域，第一区(A1)由磁致伸缩材料构成，第二区(A2)由压电材料构成，第一区(A1)与第二区(A2)之间以粘结剂结合，在第二区(A2)，具有一对平面电极(4a和4b)，压电材料沿着厚度方向(5)极化。所述的磁致伸缩材料是具有磁致伸缩效应的合金或氧化物或者它们与聚合物复合形成的磁致伸缩复合材料。所述压电材料是具有压电效应的陶瓷或者压电陶瓷与聚合物形成的压电复合材料。对磁致伸缩复合材料矩形片(2)沿着长度方向施加直流偏磁场和小信号的交流磁场，磁电复合材料矩形片(1)在60kHz附近产生共振，并由压电复合材料矩形片(3)输出电压，实现磁-电耦合。
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公开(公告)号：CN103343317A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310289824.0
申请日：2013-07-11
Applicant: 南京大学
IPC: C23C14/08
Abstract: 一种基于纳米团簇束流沉积制备TiO2纳米颗粒减反膜的方法，包括以下步骤：（a）将基片固定于高真空沉积室内的基座上；（b）将整个团簇束流沉积系统抽真空，向冷凝室内充入惰性气体，通过原子化器产生高密度Ti原子,Ti原子在惰性气体中成核生长形成Ti团簇，依次通过喷嘴和准直器形成高度定向的Ti纳米团簇束流；（c）纳米团簇束流斜入射对基片沉积，利用纳米粒子在斜入射沉积过程中产生的自掩模效应形成多孔结构，在沉积过程中高真空沉积室内通入氧气，使Ti纳米颗粒薄膜氧化为TiO2纳米颗粒薄膜，或采用沉积/氧化交替进行的方式，使TiO2纳米颗粒在基片上达到所需的覆盖率及层数。本发明方法具有可控性强、工艺简单、成本低、高效率等特点。
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公开(公告)号：CN101482528B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200910028487.3
申请日：2009-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种可集成的密集纳米颗粒单层膜氢气传感器制备方法。其制备步骤为：首先，利用光刻方法在表面长有SiO2的硅片上得到梳状电极；然后，在制备好的电极上沉积钯纳米粒子，形成传感器单元；最后，将一系列具有不同的初始电导值的传感器单元并联起来构成氢气传感器。这种传感器具有快的响应速度和高的灵敏度，并且本发明的全部制备步骤可包含于标准的微电子器件制作流程中，用于实现传感单元与电子测量单元和数据处理单元的片上集成，获得微纳传感器件。也可以与微机械单元的制作步骤相衔接，用于微机电器件的制备中。
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公开(公告)号：CN101983914A
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN201010514268.9
申请日：2010-10-21
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种制备微观数密度或尺寸梯度金属纳米粒子点阵的方法，其步骤为(a)将掩模粘贴到涂覆高聚物膜或无定形碳膜的衬底上，并把衬底固定到衬底座上；(b)将衬底座安装到高真空沉积室中，使衬底处于金属纳米粒子束流中心；(c)通过气相聚集法团簇束流源产生金属靶材纳米粒子，纳米粒子随缓冲气体通过喷嘴形成高度定向、等效沉积率可精确控制的准直纳米粒子束流；(d)转动衬底座并进行束流沉积，控制衬底座的旋转角度范围和旋转方式制备连续梯度纳米粒子点阵或阶梯状梯度纳米粒子点阵。本发明方法具有高效、可控、低成本、工艺简单并易于规模化生产等特点。
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公开(公告)号：CN101286545A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810098905.1
申请日：2008-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 具有磁电效应的复合薄膜异质结，由具有压电效应的材料和具有磁致伸缩效应的材料复合而形成，特征是：所述的具有磁致伸缩效应的材料为稀土铁合金RFe2纳米薄膜，R为稀土元素；具有压电效应的材料为柔软的PVDF聚合物压电薄膜；两种薄膜的复合方式是：稀土铁合金RFe2纳米薄膜淀积在PVDF压电薄膜上而形成RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜。该RFe2/PVDF双层纳米复合薄膜的制备方法：将RFe2团簇束流持续淀积在PVDF压电薄膜表面，形成RFe2纳米薄膜层。本发明中PVDF聚合物薄膜既是压电功能层，又是RFe2纳米薄膜层的衬底。本发明的复合薄膜异质结中界面应力传递更加有效，具有较强的磁电效应。
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