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公开(公告)号：CN107091999A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710165123.4
申请日：2017-03-20
Applicant: 南京大学
IPC: G01R33/12
CPC classification number: G01R33/1207
Abstract: 利用飞秒脉冲激光调控MRAM材料的本征阻尼因子,飞秒脉冲激光在样品局域位置改变功率相当于进行局部高温退火处理，通过功率增加使得本征阻尼因子达到室温8倍左右。CoFeB/MgO结构一直以来是用于制作磁隧道结的重要材料体系，并且在磁性随机存储器应用中有着十分重要的地位。本发明利用脉冲激光的局域的瞬时高温加热来改变样品的局部特征，从而改变材料本身的阻尼因子。由于光斑大小在显微物镜或者普通透镜的调节下在一纳米至几个毫米之间变化，不仅适合在极小单元‑纳米尺度下改变磁性材料的阻尼大小，在宏观尺度下调控磁性材料的阻尼因子。本发明中涉及到的样品依次包括基片，探测磁性层和覆盖层。脉冲激光重复频率为1000Hz，脉冲宽度为50fs，功率密度调节范围大。
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公开(公告)号：CN106875959A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710003471.1
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种四进制磁性存储单元，由磁性材料组成十字形结构，包含水平方向磁臂和竖直方向磁臂以及磁臂交叉的四种磁化状态的十字交叉结，当水平方向磁臂和竖直方向磁臂分别形成上下、左右磁化方向时，十字交叉结处能稳定存在四个磁化方向，将交叉结的四种磁化方向定义为四进制的“0”、“1”、“2”、“3”；写入数据时，磁头改变水平或竖直方向磁臂的磁化方向，进而改变十字交叉结处的磁化方向；读取数据时，磁头通过电磁感应来读出十字交叉结处的磁化方向。
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公开(公告)号：CN106676480A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201710140215.7
申请日：2017-03-10
Applicant: 南京大学
Abstract: 超高真空系统中的电子束蒸发源，包括棒状金属源材料即金属源棒、正高压电源、遮板(8)和生长速率计(9)的组合体、离子收集片(7)、灯丝(5)、定位孔柱(4)、金属源棒(3)外围为冷却水罩(6)，灯丝支架的金属柱(1)以及线性驱动器(2)，正高压电源施加金属源棒正高压，阴极灯丝发射的热电子；金属源棒被热电子轰击加热到足够高的温度后以非常低的速率发射出金属源原子束成为蒸发源，蒸发源上设有一个遮板(8)，在停止蒸发的时候遮挡蒸发束，遮板上设有一个同心孔，在遮板打开薄膜生长的时候让蒸发束通过；定位孔柱来活络限定源棒在轴向的进动，并使源棒在调整位置的时候也始终在蒸发源竖直中心上，蒸发源发射路径上有一个离子收集片。
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公开(公告)号：CN106653850A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610848037.9
申请日：2016-09-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/16 , B82Y30/00 , H01L27/088
CPC classification number: H01L29/78 , B82Y30/00 , H01L27/088 , H01L29/1033 , H01L29/16 , H01L29/1606
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯/碳纳米管复合吸收层的人工突触晶体管，该晶体管包括自下而上依次设置的衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层包括至少一层石墨烯层和至少一层碳纳米管层，并且，至少一层石墨烯层与所述栅极介质层接触，所述石墨烯层的两端分别设有源极、漏极，且所述碳纳米管层不与所述源极、漏极接触；将所述的晶体管作为光学神经元系统的基本单元，将多个晶体管进行阵列集成，通过引线与外部测量设备相互连接形成智能光学神经元系统。利用该神经系统分布式存储、并行运算和自适应学习等优势，能够快速有效地进行图像识别。本发明还提供了通过该系统实现信息存储和图像识别的具体方案。
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公开(公告)号：CN105891744A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610205612.3
申请日：2016-03-31
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种空间分辨磁光克尔效应测量装置，包括光路系统、三维压电样品台和电流源控制单元，该系统不仅可以在变化磁场下对单点快速进行极向或纵向克尔信号扫描测量，还可以在固定磁场下以矩阵扫描的方式对区域内各点进行克尔信号测量，可实现对区域静态磁畴、动态磁畴的精确测量的一种空间分辨磁光克尔效应测量装置，同时在固定磁场下，可实现对整个待测区域的磁畴结构的观测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104766902A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510150620.8
申请日：2015-03-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/028 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1136 , H01L31/028 , H01L31/1804
Abstract: 本发明提供了一种基于石墨烯碳纳米管复合吸收层的红外光探测晶体管。该晶体管包括自下而上依次设置的栅极金属层、衬底、栅极介质层、石墨烯/碳纳米管复合吸收层；所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层由至少一层石墨烯层和至少一层碳纳米管层组成，并且，至少一层石墨烯层与所述栅极介质层接触，所述石墨烯层的两端分别设有源极、漏极，所述石墨烯/碳纳米管复合吸收层中的碳纳米管层设于所述源极、漏极之间，且所述碳纳米管层不与所述源极、漏极接触。本发明提供的红外光探测晶体管对红外光敏感，可应用于有线或无线通讯、感测和监控等领域。
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公开(公告)号：CN119381104A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411625234.5
申请日：2024-11-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种极低电阻温度系数的埋嵌电阻薄膜材料，所述材料包括衬底、插入层和电阻层，采用溅射法将极低电阻温度系数的埋嵌薄膜电阻材料沉积于衬底上，通过改变退火温度得到极低电阻温度系数的埋嵌电阻材料，最多可以将电阻的温度系数提高38倍，提高埋嵌电阻薄膜材料的热稳定性，进而获得应用范围广、可重复性高、工艺简单、制备过程易于把控的埋嵌电阻薄膜材料。
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公开(公告)号：CN118159119A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410293865.5
申请日：2024-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种基于台阶结构的零场自旋磁存储器及制备方法，涉及磁性电子器件技术领域。通过高温退火在具有定向偏差角度的切角衬底上形成确定取向的台阶结构，制备了自旋轨道转矩磁隧道结器件。该自旋轨道转矩磁隧道结器件的层次结构自下而上依次为金属氧化物绝缘层、重金属强自旋轨道耦合层、磁性垂直自由层、隧道势垒层、磁性垂直参考层、人工反铁磁钉扎层以及覆盖层。本发明实现了零场下的自旋轨道转矩电流驱动的磁化翻转。无需引入额外的辅助磁场，即可实现稳定的数据写入。制备过程简单，存储密度高，具有非易失性和出色的热稳定性，且具备强大的实用性和拓展性，为可控磁性存储器和逻辑器件领域带来广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN117637271A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311687638.2
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01C17/12 , H01C17/075 , H01C7/00
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射生长的埋嵌电阻薄膜材料的制备方法，将电阻埋嵌进入基板之内可以减少基板表面积和改善电气性能，这需要性质稳定的电阻，而薄膜电阻生长的技术参数与其电学特性的相关性可以准确地预测电阻的性能。镍磷常常被用于制造精密电阻器，磷元素含量、退火温度和薄膜厚度对镍磷薄膜的结构及电性能影响巨大。本研究使用磁控溅射的方式生长镍磷薄膜，通过改变磷元素含量、退火温度和薄膜厚度，获得了相对于温度稳定，方块电阻范围大及表面光滑的非晶薄膜电阻。
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公开(公告)号：CN115323319A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202211089065.9
申请日：2022-09-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜的方法，使用磁控溅射装置在MgO(001)衬底上制备高质量Fe3O4(001)薄膜，安装靶材，获得腔体真空；衬底预处理；预溅射；溅射沉积薄膜；所述步骤1)中，使用高纯Fe即纯度大于99.95％靶材，腔体真空度达到1×10‑8Torr以上；溅射时衬底温度保持在300℃，样品台旋转速度5rpm，打开样品台挡板开始沉积薄膜，根据溅射的时间控制沉积薄膜的厚度；射频电源功率为50W。
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