-
公开(公告)号：CN117637271A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311687638.2
申请日：2023-12-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01C17/12 , H01C17/075 , H01C7/00
Abstract: 本发明涉及一种磁控溅射生长的埋嵌电阻薄膜材料的制备方法，将电阻埋嵌进入基板之内可以减少基板表面积和改善电气性能，这需要性质稳定的电阻，而薄膜电阻生长的技术参数与其电学特性的相关性可以准确地预测电阻的性能。镍磷常常被用于制造精密电阻器，磷元素含量、退火温度和薄膜厚度对镍磷薄膜的结构及电性能影响巨大。本研究使用磁控溅射的方式生长镍磷薄膜，通过改变磷元素含量、退火温度和薄膜厚度，获得了相对于温度稳定，方块电阻范围大及表面光滑的非晶薄膜电阻。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
