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公开(公告)号：CN113149093A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110264683.1
申请日：2021-03-11
Applicant: 南京大学
IPC: C01G55/00
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于六方晶系，空间群为P63/mmc(No.194)，其晶格常数为该晶体显示新颖的输运性质及磁性，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为，同时在2‑300K时，沿(001)晶面方向呈现反铁磁性。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
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公开(公告)号：CN110387582B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201910223620.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种理想二维费米液体系统Bi2O2Se单晶，属于电子材料领域。本发明所述的Bi2O2Se单晶的晶体结构为四方晶系，空间群为I4/mmm(139)。采用化学气相输运法(升华法)和凝固析晶法均可制备得到Bi2O2Se单晶。两种方法生长的Bi2O2Se单晶均呈片状，晶体的尺寸范围为毫米级，纯度高、化学成分均匀性好。在2K到300K的宽温度范围内，实验测得的Bi2O2Se晶体的电阻率与温度平方(T2)呈正比关系，符合费米液体理论，Bi2O2Se单晶是一种理想二维费米液体系统。此外Bi2O2Se晶体的电子迁移率分别大于等于2.24×105cm2V‑1s‑1(2K)和300cm2V‑1s‑1(300K)，并且在空气中具有良好的稳定性，因此在未来电子器件领域具有良好的应用前景，同时其生长方法简单，成本低廉，有利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN102633495B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210106212.9
申请日：2012-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/11
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr2FemMonO6陶瓷的制备方法，其中m=10/9，n=8/9或m=7/6，n=5/6，该制备方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在N2气氛下烧结，烧结温度1160°C，烧结时间为40小时。采用本发明的制备方法得到了得到高质量、单相的Sr2Fe10/9Mo8/9O6和Sr2Fe7/6Mo5/6O6陶瓷，这些陶瓷具有高于室温的铁磁居里温度，制备这些陶瓷，所需的设备和制备过程简单，无需H2气氛，制备条件宽松。
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公开(公告)号：CN113564706A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110753154.8
申请日：2021-07-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种RhO2晶体，所述RhO2晶体属于三方晶系，空间群为(No.164)，其晶格常数为该晶体显示新颖的输运性质及磁性，即在高温下表现为金属行为，在100‑150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为，同时在2‑300K时，沿(001)晶面方向呈现反铁磁性。分析表明，该金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott(莫特)转变，即该结构的RhO2是一种莫特绝缘体。
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公开(公告)号：CN110387582A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910223620.4
申请日：2019-03-22
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种理想二维费米液体系统Bi2O2Se单晶，属于电子材料领域。本发明所述的Bi2O2Se单晶的晶体结构为四方晶系，空间群为I4/mmm(139)。采用化学气相输运法(升华法)和凝固析晶法均可制备得到Bi2O2Se单晶。两种方法生长的Bi2O2Se单晶均呈片状，晶体的尺寸范围为毫米级，纯度高、化学成分均匀性好。在2K到300K的宽温度范围内，实验测得的Bi2O2Se晶体的电阻率与温度平方(T2)呈正比关系，符合费米液体理论，Bi2O2Se单晶是一种理想二维费米液体系统。此外Bi2O2Se晶体的电子迁移率分别大于等于2.24×105cm2V-1s-1(2K)和300cm2V-1s-1(300K)，并且在空气中具有良好的稳定性，因此在未来电子器件领域具有良好的应用前景，同时其生长方法简单，成本低廉，有利于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108531974A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810343203.9
申请日：2018-04-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种大尺寸Rb0.5RhO2或Cs0.5RhO2晶体的生长方法。该方法首先按照一定的质量比例，分别称取Rh2O3和助熔剂Cs2CO3或者Rh2O3和助熔剂Rb2CO3，用研钵研磨混匀后至于干净的氧化铝坩埚中；然后采用助熔剂法生长：先将温度升高到100℃，并维持8小时后，继续升温至1000℃或900℃，然后按照5℃/h的速率分别降温至800℃或700℃，最后自然冷却到室温，采用高纯水溶解助熔剂，烘干之后即可分别获得高质量大尺寸的Rb0.5RhO2或者Cs0.5RhO2单晶体。本发明的晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、可获得高质量晶体等优点。
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公开(公告)号：CN102633495A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210106212.9
申请日：2012-04-11
Applicant: 南京大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , H01F1/11
Abstract: 本发明公开了一种室温铁磁性Sr2FemMonO6陶瓷的制备方法，其中m=10/9，n=8/9或m=7/6，n=5/6，该制备方法使用SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末，将上述粉末的混合物经过球磨-预烧-球磨处理，将得到的混合均匀的粉末混合物压片后在N2气氛下烧结，烧结温度1160°C，烧结时间为40小时。采用本发明的制备方法得到了得到高质量、单相的Sr2Fe10/9Mo8/9O6和Sr2Fe7/6Mo5/6O6陶瓷，这些陶瓷具有高于室温的铁磁居里温度，制备这些陶瓷，所需的设备和制备过程简单，无需H2气氛，制备条件宽松。
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公开(公告)号：CN119269576A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411529015.7
申请日：2024-10-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸单晶样品的各向异性热导率测量方法及系统，该方法为：提供厚度大于50μm的薄膜样品或小尺寸单晶材料样品，将多个样品分别以不同的晶面取向垂直固定于模具内；对样品进行抛光，使不同方向暴露的晶面均被抛光打磨从而使不同取向的晶面均被暴露；通过测量样品的面内热导率和面外热导率计算材料的各向异性热导率。该系统包括用于固定样品的模具、对样品进行分级抛光的抛光机，以及测量样品的面内和面外热导率的热导率测量仪器。本发明的测量方法将多个样品分别以不同的晶面取向进行固定，抛光时截取某一界面，此时所有样品不同取向的晶面即可暴露出来，获得了不同方向暴露的晶面，因此进行各向异性热导率测量时更加准确。
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