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公开(公告)号：CN113705087A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202110910119.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G16C60/00 , G06F111/10 , G06F119/10
Abstract: 本发明提供一种基于统计机器学习方法的载流子迁移率谱分析系统，其包括：数据输入模块，其用于输入待测材料的电输运数据；预处理模块，其用于对所述电输运数据进行预处理；运算模块，其用于对预处理数据进行计算并得到迁移频谱和载流子参数；所述分析系统还包括输出模块，所述输出模块用于输出所述计算结果。本发明能够快速准确地确定相关电子材料的载流子信息。
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公开(公告)号：CN109371468B
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811225006.3
申请日：2018-10-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高质量Cu2Se(1‑x)Ax晶体的生长方法。该方法包括如下步骤：(1)原料配制：称取一定量的Cu2Se粉末，然后加入TeCl4、TeBr4或I2粉末作为输运剂和掺杂剂，用研钵研磨混匀后将原料至于干净的耐高温石英管中，再在抽真空的状态下，采用煤气焰密封备用；(2)晶体生长：将步骤(1)密封好的石英管放置于两温区或者多温区的管式炉中，设置生长温度，经过一定周期的生长可获得所述Cu2Se(1‑x)Ax晶体，其中A＝Cl、Br或I。本发明中提供的Cu2Se(1‑x)Ax晶体生长方法具有生长设备简单、成本低廉、所生长的晶体质量高、尺寸大等优点。
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公开(公告)号：CN110129878A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910444904.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe2，且载流子浓度在2K～300K范围内都是1019/cm3量级，具有优良的SnSe材料的电学性能，可有效地拓宽SnSe材料的高ZT值窗口，在热电应用方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN113705087B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202110910119.2
申请日：2021-08-09
Applicant: 南京大学
IPC: G06F30/27 , G06N20/00 , G16C60/00 , G06F111/10 , G06F119/10
Abstract: 本发明提供一种基于统计机器学习方法的载流子迁移率谱分析系统，其包括：数据输入模块，其用于输入待测材料的电输运数据；预处理模块，其用于对所述电输运数据进行预处理；运算模块，其用于对预处理数据进行计算并得到迁移频谱和载流子参数；所述分析系统还包括输出模块，所述输出模块用于输出所述计算结果。本发明能够快速准确地确定相关电子材料的载流子信息。
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公开(公告)号：CN110408989B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910075768.8
申请日：2019-01-25
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110129878B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910444904.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高载流子浓度的SnSe晶体及其制备方法和应用。所述SnSe晶体采用助溶剂法生长，设备简单，成本低廉，晶体生长周期较短，有利于工业化生产，且发明人发现，采用NaCl作为助熔剂进行SnSe晶体生长，极大提升了SnSe晶体材料的电学性能。本发明仅需使用SnSe纯净粉体原料(Sn和Se按照化学计量比配料)，无需刻意掺杂其他元素或者非化学计量比配料，所得到的晶体即可自掺杂一定量的SnSe2，且载流子浓度在2K～300K范围内都是1019/cm3量级，具有优良的SnSe材料的电学性能，可有效地拓宽SnSe材料的高ZT值窗口，在热电应用方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN111118605B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201911151400.1
申请日：2019-11-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种理想狄拉克半金属Cu2HgSnSe4晶体，其特征在于，所述晶体为四方晶系，空间群是(No.121)，所述Cu2HgSnSe4晶体的能带结构图中其导带与价带是不对称的，在导带仅存在Dirac费米子，而在价带则共存薛定谔费米子和Dirac费米子。如果费米能位于导带，则输运性质主要来源于Dirac费米子。这样的系统将有助于我们得到相对干净的输运实验数据，从而可以探索拓扑量子态的新颖输运性质。同时，Dirac点附近电子的线性色散关系在约400mV的能量范围内一直保持，而线性色散的Dirac锥能带结构对光波有大范围频率的非线性响应。所述晶体具有重大学术价值和潜在应用前景。
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公开(公告)号：CN107099845B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201710269810.0
申请日：2017-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体及其生长方法。本发明的HfTe5‑δ晶体呈带状，长度尺寸范围为0.5‑2cm，δ的值为0.02～0.12。当δ的值为0.06时，HfTe5‑δ晶体在2K温度和9T磁场下最大的磁电阻为2.5×104％，在室温9T磁场下最大的磁电阻为33％。本发明制备所述HfTe5‑δ晶体采用的是气相输运方法，使用I2、Br2、TeI4、TeBr4或TeCl4作为输运剂，以真空密封的石英管为生长容器，在400℃(生长端)～550℃(原料端)的温区中生长晶体，并通过生长原料中加入过量的Te粉优化生长工艺，获得具有巨大磁电阻的HfTe5‑δ晶体，在新型磁阻器件应用方面有重要研究价值。
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公开(公告)号：CN119269576A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411529015.7
申请日：2024-10-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种小尺寸单晶样品的各向异性热导率测量方法及系统，该方法为：提供厚度大于50μm的薄膜样品或小尺寸单晶材料样品，将多个样品分别以不同的晶面取向垂直固定于模具内；对样品进行抛光，使不同方向暴露的晶面均被抛光打磨从而使不同取向的晶面均被暴露；通过测量样品的面内热导率和面外热导率计算材料的各向异性热导率。该系统包括用于固定样品的模具、对样品进行分级抛光的抛光机，以及测量样品的面内和面外热导率的热导率测量仪器。本发明的测量方法将多个样品分别以不同的晶面取向进行固定，抛光时截取某一界面，此时所有样品不同取向的晶面即可暴露出来，获得了不同方向暴露的晶面，因此进行各向异性热导率测量时更加准确。
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