二维薄层材料气体传感器、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114018988A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111267826.0

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 本发明属于二维材料气体传感器的技术领域,具体涉及二维薄层材料气体传感器、其制备方法及应用,本发明采用275nm氧化硅片作为器件衬底,通过机械剥离的方式将二维材料黏附在衬底上,以温和的紫外光还原溶液的方法在二维材料上沉积单原子,利用电子束蒸镀在二维材料两端蒸镀两条平行的带钛附着层的金电极,组成传感器件。本发明利用单原子的高效活性开发出了具备高性能的挥发性有机化合物气体传感器。传感器检测下限可达5ppm。此外,本发明器件工艺简单,体积小,在检测丙酮气体和乙醇气体含量方面有广阔的应用前景。

    二维薄层材料气体传感器、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN114018988B

    公开(公告)日:2024-03-19

    申请号:CN202111267826.0

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 本发明属于二维材料气体传感器的技术领域,具体涉及二维薄层材料气体传感器、其制备方法及应用,本发明采用275nm氧化硅片作为器件衬底,通过机械剥离的方式将二维材料黏附在衬底上,以温和的紫外光还原溶液的方法在二维材料上沉积单原子,利用电子束蒸镀在二维材料两端蒸镀两条平行的带钛附着层的金属电极,组成传感器件。本发明利用单原子的高效活性开发出了具备高性能的挥发性有机化合物气体传感器。传感器检测下限可达5ppm。此外,本发明器件工艺简单,体积小,在检测丙酮气体和乙醇气体含量方面有广阔的应用前景。

    一种一维配位聚合物的制备方法及其在气体传感器的应用

    公开(公告)号:CN117327295A

    公开(公告)日:2024-01-02

    申请号:CN202311399618.5

    申请日:2023-10-26

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种一维配位聚合物的制备方法,所述一维配位聚合物通过以间位四硫富瓦烯四苯羧酸为配体,以Co、Ni或Cd为金属中心构建得到,并进一步基于上述配位聚合物分散于预蒸镀金电极的叉指电极上组成传感器件。本发明通过金属浴法制备配位聚合物,方法简单,本方法制备的配位聚合物具有较高的结晶性,本发明所制备的气体传感器制备方法简单,功耗低,具有低检测限、良好线性响应范围和较好的循环稳定性,可以检测2.5 ppm乙醇、10 ppm丙酮、1 ppm甲醛。

    二氧化铋材料及其制备方法和在二氧化碳电化学还原制备甲酸中的应用

    公开(公告)号:CN115140769B

    公开(公告)日:2023-07-21

    申请号:CN202210735252.3

    申请日:2022-06-27

    Applicant: 南京大学

    Inventor: 丁梦宁 刘盛堂

    Abstract: 本发明公开了二氧化铋材料及其制备方法和在二氧化碳电化学还原制备甲酸中的应用,所述二氧化铋材料的制备方法,包括以下步骤:先将有机铋盐和硝酸盐在溶液中混合,干燥后研磨均匀,在空气中加热,然后洗涤,干燥,得到BiO2材料。与现有技术相比,本发明的优点在于:本发明所得二氧化铋材料为纳米晶,尺寸8‑12纳米左右;此外,制备方法简单,易于规模化生产;最后,将所得二氧化铋材料用于电化学还原制备甲酸的催化剂,表现出令人满意的电化学二氧化碳还原(CO2RR)性能,包括较高的法拉第效率、稳定性和可观的电流密度。

    基于混合配体金属有机框架材料、气体传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN116297682A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202310021287.5

    申请日:2023-01-07

    Abstract: 本发明涉及气体传感器技术领域,尤其涉及一种基于混合配体金属有机框架材料、气体传感器及制备方法,本发明采用带有氧化层的硅片作为器件衬底,其上附有蒸镀的钛金叉指电极,通过滴涂的方法将混合配体的金属有机框架材料微粒分散于叉指电极上组成传感器件,通过调控金属有机框架材料中的两种配体比例实现了信号可调的挥发性有机物检测。本发明实现基于混合配体比例调控的半导体特性转变,提高检测精准度,在呼出气中挥发性有机物的检测方法具有重要应用前景。

    一种倍频晶体的电化学制备方法

    公开(公告)号:CN113106550B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202110373471.7

    申请日:2021-04-07

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种倍频晶体的电化学制备方法,具体包括:配制含有有机目标分子的电解质溶液;采用电化学三电极体系以过渡金属硫化物为工作电极,进行电化学插层反应,使所述有机目标分子插入过渡金属硫化物层之间形成所述倍频晶体,本发明通过电化学插层技术使自然生长的二维层状过渡金属硫化物晶体发生层间解耦,打破晶体的对称性结构,使高非线性系数的单层材料实现逐层加和方式的二次谐波信号产生,通过简易方法制备超薄的高效率倍频晶体。

    一种黑磷纳米片促进偶氮苯衍生物顺反异构化的方法

    公开(公告)号:CN109232303B

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN201811318437.4

    申请日:2018-11-06

    Inventor: 马晶 郑东 丁梦宁

    Abstract: 本发明公开了一种促进偶氮苯衍生物顺反异构化的方法,包括如下步骤:将研磨后的黑磷粉末放入有机溶剂中,于水浴中进行超声分散,超声时间为6~8小时;分散的黑磷,进行离心分离,取上清液;上清液与偶氮苯衍生物的溶液混合后,搅拌1~2小时,得到混合物溶液;混合物溶液在避光环境下放置。本发明操作更加简便易行,可有效加速偶氮苯衍生物顺反异构化的速率,最高可达将近20倍。并且,得到的黑磷与偶氮苯复合物,兼具黑磷优异的光电性质和偶氮苯衍生物的光致异构化性质,在分子开关,光电材料以及储能方面有一定的应用。

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