公开(公告)号：CN113106550A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202110373471.7

申请日：2021-04-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐伟高 ,  林佳敏 ,  刘诚 ,  聂玉峰 ,  丁梦宁

IPC: C30B29/46 ,  C30B7/12

Abstract: 本发明公开了一种倍频晶体的电化学制备方法，具体包括：配制含有有机目标分子的电解质溶液；采用电化学三电极体系以过渡金属硫化物为工作电极，进行电化学插层反应，使所述有机目标分子插入过渡金属硫化物层之间形成所述倍频晶体，本发明通过电化学插层技术使自然生长的二维层状过渡金属硫化物晶体发生层间解耦，打破晶体的对称性结构，使高非线性系数的单层材料实现逐层加和方式的二次谐波信号产生，通过简易方法制备超薄的高效率倍频晶体。

公开(公告)号：CN113106550B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202110373471.7

申请日：2021-04-07

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐伟高 ,  林佳敏 ,  刘诚 ,  聂玉峰 ,  丁梦宁

IPC: C30B29/46 ,  C30B7/12

Abstract: 本发明公开了一种倍频晶体的电化学制备方法，具体包括：配制含有有机目标分子的电解质溶液；采用电化学三电极体系以过渡金属硫化物为工作电极，进行电化学插层反应，使所述有机目标分子插入过渡金属硫化物层之间形成所述倍频晶体，本发明通过电化学插层技术使自然生长的二维层状过渡金属硫化物晶体发生层间解耦，打破晶体的对称性结构，使高非线性系数的单层材料实现逐层加和方式的二次谐波信号产生，通过简易方法制备超薄的高效率倍频晶体。