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公开(公告)号:CN114551384A
公开(公告)日:2022-05-27
申请号:CN202210114681.9
申请日:2022-01-30
Applicant: 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院 , 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种应用于万瓦级功率器件的散热基板及其制备方法,散热基板位于万瓦级功率器件底部,采用多进多出的微流道和微流柱相结合的歧管设计,分为上方的微流道基板和下方的微流柱基板,两者连通,侧壁通过机械键合在一起。本发明采用歧管式散热基板解决万瓦级功率器件产生的热可靠性隐患,其中散热基板是多进多出的微流道和微流柱相结合的歧管设计,并且内部微流道与微流柱镀铬,有效保证了整个功率器件可靠性和稳定性。相比传统热沉与散热基板,其具有更高的散热能力、散热效率、更高的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号:CN113611695A
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202110781461.7
申请日:2021-07-12
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开了一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法,系统包括高效率GaN功放单元、微波信号控制单元、多层级散热单元和智能管控单元,所有单元集成在4U标准机柜内;所述高效率GaN功放单元实现万瓦级功率,微波信号控制单元实现稳定射频微波,多层级散热单元保证了系统的安全性,智能管控单元保证了系统运行稳定性和可调控性。本发明采用采用高效率GaN功放单元实现万瓦级功率源的高集成度和小尺寸,有效满足了单机柜的系统集成,同时采用多层级散热单元解决万瓦级功率产生的热可靠性隐患,有效保证了功率源系统性能的稳定性和系统安全性;相比传统的磁控管结构功率源系统,其尺寸更小、稳定性和可靠性更高。
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