公开(公告)号：CN105693773A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610111674.8

申请日：2016-02-29

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  谭婉怡 ,  邹建华 ,  高栋雨 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C07F9/6561 ,  H01L51/54

CPC classification number: C07F9/6561 ,  H01L51/0072 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明公开了一种具有高三重态能级的有机分子电子传输材料，同时引入吸电子的氮杂环、二苯基磷氧，将芳基或者稠环芳基连接两端的官能团，采用共轭程度较弱的位置连接。本发明还公开了上述具有高三重态能级的有机分子电子传输材料的制备方法与应用。本发明的具有高三重态能级的有机分子电子传输材料，还具有易合成纯化，较高的玻璃化转变温度，较深的LUMO、HOMO能级，以及与金属或金属氧化物等阴极材料的强相互作用。

公开(公告)号：CN105461717A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201610013702.2

申请日：2016-01-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  魏鑫峰 ,  谭婉怡 ,  彭灵 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C07D471/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

CPC classification number: C07D471/04 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1029 ,  H01L51/5012

Abstract: 本发明公开了基于1,10-菲啰啉为吸电性单元，芳基取代的氨基单元为供电性单元的热活化延迟荧光材料。本发明还提供上述荧光材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备含有芳基取代的氨基单元的溴代目标产物；(2)所得到的溴代目标产物，通过正丁基锂，与异丙氧基频哪醇硼酸酯反应，得到含硼酸酯的目标产物；(3)步骤(2)中所得到的含硼酸酯的目标产物和3-溴-1,10-菲啰啉在钯催化剂的作用下，生成基于1,10-菲啰啉的热活化延迟荧光材料。本发明材料合成提纯简单，具有较好的溶解性，同时具有良好的薄膜形态和较高的载流子迁移率，在有机电致发光器件中具有重要的应用价值和应用前景。

公开(公告)号：CN105037167A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510359741.3

申请日：2015-06-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  夏炎 ,  王历平 ,  张春晖 ,  谭婉怡

IPC: C07C209/10 ,  C07C211/61 ,  C07D487/04 ,  H01L51/54 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法，采用卤代的芳烃通过与6-溴-2-萘胺单元进行C-N偶联反应得到N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺单元。本发明还公开了N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的应用，以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺作为原料，制备有机半导体材料。本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法相比于传统合成反应，合成路线简单，综合产率高；以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺制备的含有“二芳基萘基胺”功能单元的有机半导体材料，具有较高的空穴迁移率以及薄膜形貌稳定性。

公开(公告)号：CN105461717B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201610013702.2

申请日：2016-01-07

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  魏鑫峰 ,  谭婉怡 ,  彭灵 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C07D471/04 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了基于1,10‑菲啰啉为吸电性单元，芳基取代的氨基单元为供电性单元的热活化延迟荧光材料。本发明还提供上述荧光材料的制备方法，包括以下步骤：(1)制备含有芳基取代的氨基单元的溴代目标产物；(2)所得到的溴代目标产物，通过正丁基锂，与异丙氧基频哪醇硼酸酯反应，得到含硼酸酯的目标产物；(3)步骤(2)中所得到的含硼酸酯的目标产物和3‑溴‑1,10‑菲啰啉在钯催化剂的作用下，生成基于1,10‑菲啰啉的热活化延迟荧光材料。本发明材料合成提纯简单，具有较好的溶解性，同时具有良好的薄膜形态和较高的载流子迁移率，在有机电致发光器件中具有重要的应用价值和应用前景。

公开(公告)号：CN104892641B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510278529.4

申请日：2015-05-27

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  谭婉怡 ,  李敏 ,  张建 ,  刘刚 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C07D519/00 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了基于氮杂环基团的中性阴极缓冲层分子型材料以含有烷基链的芳香环为核，再在两端引入可与电极相互作用的氮杂环基团，以修饰阴极。本发明的基于氮杂环基团的中性阴极缓冲层分子型材料具有较好的溶液加工性能、良好的薄膜形貌稳定、良好的界面修饰特性，合成提纯简便、改善了阴极缓冲层与活性层之间的接触特性；并且能够有效地协助铝、银、金、ITO等金属或金属氧化物电极收集电子，避免使用在空气中不稳定的低功函数金属电极，促进器件稳定性。

公开(公告)号：CN105037167B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510359741.3

申请日：2015-06-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  夏炎 ,  王历平 ,  张春晖 ,  谭婉怡

IPC: C07C209/10 ,  C07C211/61 ,  C07D487/04 ,  H01L51/54 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法，采用卤代的芳烃通过与6-溴-2-萘胺单元进行C-N偶联反应得到N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺单元。本发明还公开了N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的应用，以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺作为原料，制备有机半导体材料。本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法相比于传统合成反应，合成路线简单，综合产率高；以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺制备的含有二芳基萘基胺”功能单元的有机半导体材料，具有较高的空穴迁移率以及薄膜形貌稳定性。

公开(公告)号：CN105646488A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610150945.0

申请日：2016-03-16

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  魏鑫峰 ,  谭婉怡 ,  彭灵 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C07D471/04 ,  H01L51/54

CPC classification number: C07D471/04 ,  H01L51/0072

Abstract: 本发明公开了一种基于1,10-菲啰啉的主体材料，以芳基取代的胺基单元为供电性单元的主体材料。本发明还提供上述主体材料的制备方法：(1)制备9-(3-溴苯基)咔唑；(2)制备9-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼杂环戊烷-2-基)苯基)咔唑：(3)在氮气保护下，将醋酸钯、三环己基膦加入到3-溴-1,10-菲罗啉、9-(3-(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氧硼杂环戊烷-2-基)苯基)咔唑、碳酸钾水溶液、乙醇、甲苯的混合溶液中，生成Phen-m-PhCz。本发明材料合成提纯简单，具有较好的溶解性和薄膜形态，易容易注入空穴与电子，在有机电致发光器件中具有重要的应用前景。

公开(公告)号：CN104031087A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410229318.7

申请日：2014-05-27

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  谭婉怡 ,  邹建华 ,  李敏 ,  苏跃举 ,  彭俊彪 ,  曹镛

IPC: C07F9/53 ,  C07F9/6561 ,  H01L51/54

Abstract: 本发明公开了一种醇溶性阴极缓冲层有机分子材料，含有稠环芳烃且以二苯基磷氧为端基，引入吸电子的磷氧基团，能够有效地协助电子从金属或金属氧化物电极的注入/传输或收集，形成较厚的电子传输或收集层；具有较深的HOMO有利于阻挡空穴，可以获得较高的电子迁移率，并且易提纯，具有较好的醇溶性、热稳定性、较高的玻璃化转变温度；既可通过醇溶液加工，也可利用真空蒸镀方式成膜。本发明还公开上述醇溶性阴极缓冲层有机分子材料的制备方法和应用。本发明制备方法简单，有利于有机电致发光器件的制备以及器件性能的提高。