一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法及其应用

    公开(公告)号:CN105037167B

    公开(公告)日:2017-03-01

    申请号:CN201510359741.3

    申请日:2015-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法,采用卤代的芳烃通过与6-溴-2-萘胺单元进行C-N偶联反应得到N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺单元。本发明还公开了N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的应用,以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺作为原料,制备有机半导体材料。本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法相比于传统合成反应,合成路线简单,综合产率高;以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺制备的含有二芳基萘基胺”功能单元的有机半导体材料,具有较高的空穴迁移率以及薄膜形貌稳定性。

    一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法及其应用

    公开(公告)号:CN105037167A

    公开(公告)日:2015-11-11

    申请号:CN201510359741.3

    申请日:2015-06-25

    Abstract: 本发明公开了一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法,采用卤代的芳烃通过与6-溴-2-萘胺单元进行C-N偶联反应得到N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺单元。本发明还公开了N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的应用,以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺作为原料,制备有机半导体材料。本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法相比于传统合成反应,合成路线简单,综合产率高;以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺制备的含有“二芳基萘基胺”功能单元的有机半导体材料,具有较高的空穴迁移率以及薄膜形貌稳定性。

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