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公开(公告)号:CN105037167B
公开(公告)日:2017-03-01
申请号:CN201510359741.3
申请日:2015-06-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: C07C209/10 , C07C211/61 , C07D487/04 , H01L51/54 , H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法,采用卤代的芳烃通过与6-溴-2-萘胺单元进行C-N偶联反应得到N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺单元。本发明还公开了N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的应用,以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺作为原料,制备有机半导体材料。本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法相比于传统合成反应,合成路线简单,综合产率高;以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺制备的含有二芳基萘基胺”功能单元的有机半导体材料,具有较高的空穴迁移率以及薄膜形貌稳定性。
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公开(公告)号:CN105037167A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201510359741.3
申请日:2015-06-25
Applicant: 华南理工大学
IPC: C07C209/10 , C07C211/61 , C07D487/04 , H01L51/54 , H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法,采用卤代的芳烃通过与6-溴-2-萘胺单元进行C-N偶联反应得到N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺单元。本发明还公开了N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的应用,以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺作为原料,制备有机半导体材料。本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法相比于传统合成反应,合成路线简单,综合产率高;以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺制备的含有“二芳基萘基胺”功能单元的有机半导体材料,具有较高的空穴迁移率以及薄膜形貌稳定性。
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