公开(公告)号：CN103360397A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310292001.3

申请日：2013-07-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  周睿 ,  张春晖 ,  王历平 ,  黄菊 ,  曹镛

IPC: C07D487/04 ,  C07D519/00 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了二噻吩基吡咯并吡咯二酮-萘基共轭衍生物的制备方法及其作为光电转换活性层中小分子电子给体材料在有机本体异质结太阳能电池中的应用。本发明通过二噻吩基吡咯并吡咯二酮与萘基衍生物的偶联，使得所制备的材料具有良好的可见-近红外光的吸收性能、较高的空穴迁移率、溶解性和光电转换效率。本发明的制备方法通过Suzuki偶联等反应得到目标产物。本发明的合成方法简单、结构明确、易于提纯，在简单分子中实现了较高的光电转换性能，在低成本有机太阳能电池的应用上具有潜在应用前景。

公开(公告)号：CN105037167B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201510359741.3

申请日：2015-06-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  夏炎 ,  王历平 ,  张春晖 ,  谭婉怡

IPC: C07C209/10 ,  C07C211/61 ,  C07D487/04 ,  H01L51/54 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法，采用卤代的芳烃通过与6-溴-2-萘胺单元进行C-N偶联反应得到N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺单元。本发明还公开了N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的应用，以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺作为原料，制备有机半导体材料。本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法相比于传统合成反应，合成路线简单，综合产率高；以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺制备的含有二芳基萘基胺”功能单元的有机半导体材料，具有较高的空穴迁移率以及薄膜形貌稳定性。

公开(公告)号：CN103360397B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201310292001.3

申请日：2013-07-11

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  周睿 ,  张春晖 ,  王历平 ,  黄菊 ,  曹镛

IPC: C07D487/04 ,  C07D519/00 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了二噻吩基吡咯并吡咯二酮-萘基共轭衍生物的制备方法及其作为光电转换活性层中小分子电子给体材料在有机本体异质结太阳能电池中的应用。本发明通过二噻吩基吡咯并吡咯二酮与萘基衍生物的偶联，使得所制备的材料具有良好的可见-近红外光的吸收性能、较高的空穴迁移率、溶解性和光电转换效率。本发明的制备方法通过Suzuki偶联等反应得到目标产物。本发明的合成方法简单、结构明确、易于提纯，在简单分子中实现了较高的光电转换性能，在低成本有机太阳能电池的应用上具有潜在应用前景。

公开(公告)号：CN105037167A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510359741.3

申请日：2015-06-25

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 朱旭辉 ,  夏炎 ,  王历平 ,  张春晖 ,  谭婉怡

IPC: C07C209/10 ,  C07C211/61 ,  C07D487/04 ,  H01L51/54 ,  H01L51/00

Abstract: 本发明公开了一种N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法，采用卤代的芳烃通过与6-溴-2-萘胺单元进行C-N偶联反应得到N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺单元。本发明还公开了N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的应用，以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺作为原料，制备有机半导体材料。本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺的合成方法相比于传统合成反应，合成路线简单，综合产率高；以本发明的N,N-二芳基-2-溴-6-萘胺制备的含有“二芳基萘基胺”功能单元的有机半导体材料，具有较高的空穴迁移率以及薄膜形貌稳定性。