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公开(公告)号：CN109309483B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN201811179359.4
申请日：2018-10-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：在(111)面Si衬底上生长金属插入层，并在其上继续通过金属有机物化学气相沉积法生长单晶AlN薄膜，最后在单晶AlN薄膜上沉积金属电极和支撑层。通过薄膜转移、剥离、顶电极刻蚀等过程，最终形成薄膜体声波谐振器的三明治压电堆叠结构。本发明通过引入金属插入层一方面减轻了AlN外延与生长衬底间的失配现象，提高了良品率和器件优值；另一方面在薄膜转移与剥离后可直接刻蚀出顶电极图案，简化制备工序。
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公开(公告)号：CN111682101A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010432855.7
申请日：2020-05-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/205
Abstract: 本发明公开了一种柔性FBAR滤波器的制造方法。该方法包括：在制备衬底上生长压电薄膜，在压电薄膜上制备底电极并图形化，在电极工作区上方沉积牺牲层材料，制备绝缘支撑层并图形化，得到晶圆；在硬质衬底旋涂临时键合层，将柔性衬底与硬质衬底键合，在复合衬底旋涂胶粘剂，与晶圆进行键合，将制备衬底去除，制备顶电极和电极互连金属；制备柔性保护层，将FBAR滤波器工作区域的保护层去除，形成上空腔，将硬质衬底解键合，得到柔性FBAR滤波器。本发明实现基于单晶AlN以及传统多晶AlN的柔性FBAR滤波器的制备，工艺简单，成本低、易操作，故本发明降低了柔性FBAR滤波器的加工难度和生产成本，提高了柔性器件的制备良率。
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公开(公告)号：CN109309483A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201811179359.4
申请日：2018-10-10
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种支撑型薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：在(111)面Si衬底上生长金属插入层，并在其上继续通过金属有机物化学气相沉积法生长单晶AlN薄膜，最后在单晶AlN薄膜上沉积金属电极和支撑层。通过薄膜转移、剥离、顶电极刻蚀等过程，最终形成薄膜体声波谐振器的三明治压电堆叠结构。本发明通过引入金属插入层一方面减轻了AlN外延与生长衬底间的失配现象，提高了良品率和器件优值；另一方面在薄膜转移与剥离后可直接刻蚀出顶电极图案，简化制备工序。
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公开(公告)号：CN112671367A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202011572935.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种新型FBAR滤波器及其制备方法。该方法包括：在制备衬底上刻蚀出凹槽，在凹槽内制备压电材料和底电极，在制备底电极之前首先制备一薄层种子层，制备空气腔支撑层，另取支撑衬底，将该支撑衬底与制备衬底及空气腔支撑层键合在一起，去除制备衬底，露出压电材料，在压电材料上制备顶电极，将底电极引出，得到由多个谐振器级联而成的滤波器。本发明通过先在制备衬底上挖凹槽再生长压电材料的方法，有效避免生长整层压电薄膜导致应力过大产生裂纹的问题，降低了压电薄膜的应力，同时因每个谐振单元的压电薄膜不连续，有效避免了能量的横向传输造成能量损失的问题，同时还可以有效抑制杂波，提高了滤波器的制备良率和性能。
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公开(公告)号：CN112543010A
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202011572983.8
申请日：2020-12-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种频率可调的薄膜体声波谐振器及其制备方法。该谐振器包括衬底、空气隙、电极和压电层的三明治结构及电极引出层；所述衬底与所述电极和压电层的三明治结构连接，衬底与所述电极和压电层的三明治结构的连接面向衬底内凹陷，形成空气隙；所述电极引出层与所述电极和压电层的三明治结构连接。所述电极和压电层的三明治结构包括底电极、压电层、中间电极及顶电极，电极与压电层相间排布形成三明治结构，所述底电极上层叠压电层，所述中间电极被压电层包裹，顶电极层叠在压电层上；所述压电层及中间电极的数量均为n个，n为整数且n的取值≥1。该谐振器可以根据外加偏置电压调整谐振倍频，适用于5G高频通信领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111371426B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010368415.X
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂的空气隙型剪切波谐振器及其制备方法。该谐振器包括硅衬底、氧化硅保护层、硅腔、铌酸锂压电材料及顶部电极；硅衬底的上表面向内凹陷形成凹槽，氧化硅保护层沉积在凹槽的侧壁和底面；所述硅衬底与铌酸锂压电材料连接，所述铌酸锂压电材料覆盖在凹槽的上方，形成硅腔；所述铌酸锂压电材料上设有通孔，使硅腔与外界相通。空气隙型剪切波谐振器的压电材料由离子注入和键合工艺制备，压电材料下方的空气腔通过牺牲层释放的方法获得。与背硅刻蚀型的剪切波谐振器相比，该方法制备的剪切波谐振器机械强度高，步骤简单，提高了谐振器器件的良率，由于铌酸锂机电耦合系数高。该方法能应用于高频宽带、低损耗滤波器的制造。
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公开(公告)号：CN111446944B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010367326.3
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利于集成的空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法。该谐振器是在双抛硅衬底的正反面各制作一个空气隙型薄膜体声波谐振器，双面均为键合型空气隙型薄膜体声波谐振器，谐振器上依次分布顶电极、压电薄膜、底电极、填平层、键合层和转移衬底，键合层分别生长在填平层与转移衬底之上，所述键合层、转移衬底和底电极围成一空气隙。两个谐振器压电薄膜的上表面和下表面分别相对连接有顶电极和底电极，底电极位于空气隙中，所述顶电极、压电薄膜和底电极构成三明治结构。采用所述方法制备的FBAR器件结构简单，制作工艺对核心结构的影响较小，能够降低了FBAR器件的制造成本，减小器件尺寸，适用于双工器、多工器等高频领域。
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公开(公告)号：CN115296643A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202211049886.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于滤波器技术领域，公开了一种FBAR滤波器电路。该FBAR滤波器电路包括滤波模块、谐振模块和抵消模块；在滤波模块的输入端连接谐振模块的一端，谐振模块的另一端接FBAR滤波器电路输入端；将抵消模块的输入端连接滤波模块的输入端，抵消模块的输出端连接FBAR滤波器电路的输出端；谐振模块的输入端为FBAR滤波器电路的输入端，滤波模块的输出端为FBAR滤波器电路的输出端；谐振模块用于在FBAR滤波器电路的阻带高频端形成一个传输零点；抵消模块用于形成第二通路，当工作频率处于FBAR滤波器的低频阻带时，信号从抵消电路通过。显著提高了带外抑制，没有引入更多的损耗以及恶化带内插损。
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公开(公告)号：CN114759898A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210283202.6
申请日：2022-03-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种高散热性的薄膜体声波谐振器及其制备方法，由下至上依次包括衬底、第一薄层石墨烯、绝缘层、底电极、压电薄膜、顶电极和第二薄层石墨烯；所述衬底刻蚀凹槽，使得第一薄层石墨烯及第二薄层石墨烯的散热层与空气接触，将压电薄膜激励出来的体声波限制在顶电极与底电极之间，实现谐振器功能。本发明通过设置石墨烯层，提高器件的导热性能，且频率偏移可控。
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公开(公告)号：CN110544689B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910809965.8
申请日：2019-08-29
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L27/06 , H01L23/528
Abstract: 本发明公开了一种射频前端模块中有源器件和无源单晶器件及单片集成方法。所述方法包括：在基板上先外延生长第一单晶功能层，接着生长第二第三甚至更多单晶外延层，经MEMS工艺将第一单晶外延层制备成一个或多个无源滤波器器件，对第二第三甚至更多单晶外延层进行加工处理获得一个或多个放大器或低噪声放大器或开关等，接着整面生长钝化层并抛平。与此同时在另一基板上制备键合层，将基板与另一基板进行对准键合，去除或减薄基板，继续进行MEMS工艺加工，完成不同功能芯片元器件的集成。采用该单片集成方法可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立单体器件在PCB版上集成时电气连接的损耗，降低了射频前端模块的成本。
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