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公开(公告)号：CN110540169B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910810840.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了FBAR滤波器与放大器或开关单片集成的器件及方法。本发明的单片集成方法是将射频前端模块中的功率放大器、低噪声放大器、开关以及滤波器通过MEMS工艺加工集成在一起，与目前将各种离散封装的功放、开关、滤波器组合在更大的基板上再次进行封装相比，本发明提供了一种将射频前端有源和无源器件裸芯片加工集成在同一个基板上，然后进行封装。采用该单片集成方法可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立单体器件在PCB版上集成时电气连接的损耗，降低了射频前端模块的成本。
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公开(公告)号：CN111446944B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202010367326.3
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利于集成的空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法。该谐振器是在双抛硅衬底的正反面各制作一个空气隙型薄膜体声波谐振器，双面均为键合型空气隙型薄膜体声波谐振器，谐振器上依次分布顶电极、压电薄膜、底电极、填平层、键合层和转移衬底，键合层分别生长在填平层与转移衬底之上，所述键合层、转移衬底和底电极围成一空气隙。两个谐振器压电薄膜的上表面和下表面分别相对连接有顶电极和底电极，底电极位于空气隙中，所述顶电极、压电薄膜和底电极构成三明治结构。采用所述方法制备的FBAR器件结构简单，制作工艺对核心结构的影响较小，能够降低了FBAR器件的制造成本，减小器件尺寸，适用于双工器、多工器等高频领域。
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公开(公告)号：CN111446944A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010367326.3
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利于集成的空气隙型薄膜体声波谐振器及其制备方法。该谐振器是在双抛硅衬底的正反面各制作一个空气隙型薄膜体声波谐振器，双面均为键合型空气隙型薄膜体声波谐振器，谐振器上依次分布顶电极、压电薄膜、底电极、填平层、键合层和转移衬底，键合层分别生长在填平层与转移衬底之上，所述键合层、转移衬底和底电极围成一空气隙。两个谐振器压电薄膜的上表面和下表面分别相对连接有顶电极和底电极，底电极位于空气隙中，所述顶电极、压电薄膜和底电极构成三明治结构。采用所述方法制备的FBAR器件结构简单，制作工艺对核心结构的影响较小，能够降低了FBAR器件的制造成本，减小器件尺寸，适用于双工器、多工器等高频领域。
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公开(公告)号：CN110747506A
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201911007670.5
申请日：2019-10-22
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种过渡金属掺杂的InxGa1-xN纳米柱及其制备方法与应用。该过渡金属掺杂的InxGa1-xN纳米柱包括衬底和生长在衬底上掺杂有过渡金属的InxGa1-xN纳米柱，其中0≤x≤1。本发明采用一种成本低、工艺简单的方法制备高晶体质量的InxGa1-xN纳米柱。在InxGa1-xN纳米柱生长过程中直接进行原位体掺杂，无二次结构设计工艺，降低了因构造异质结等复杂结构所需要的工艺成本，简化了工艺步骤。其次，通过过渡金属掺杂，实现对In组分并入可控，有效提高晶体质量；同时过渡金属引入更深能级，实现对材料电子结构的调控，提高InxGa1-xN纳米柱水分解氧化反应动力学，适用于光电解水产氧。
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公开(公告)号：CN110571289A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910900885.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于多孔太阳电池领域，公开了一种InP-石墨烯太阳电池及其制备方法。所述InP-石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO2空穴阻挡层、石墨烯层和Al2O3减反射层；围绕Al2O3减反射层设置一圈Ag接触电极，Ag接触电极与石墨烯层接触。本发明在磷化铟上设置二氧化钛空穴阻挡层，利用二氧化钛能带结构以增大光伏元件的载流子迁移率，从而增大少数载流子的寿命，并在二氧化钛上方附加高透光率、载流子传输速率快、功函数较高的石墨烯，利用能级梯度差进一步增大载流子的势能，从而提高磷化铟电池的转化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111081545A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911308180.9
申请日：2019-12-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种实现p型栅增强型HEMT器件的方法，包括S1在衬底上依次外延GaN沟道层、AlGaN势垒层及p型氮化物层；S2在p型氮化物层上进行光刻，暴露出源金属电极和漏极金属电极区域区域，进行刻蚀处理后，通过蒸镀、剥离和退火形成源金属电极和漏金属电极；S3进行台面隔离，然后通过光刻、蒸镀、剥离，形成栅金属电极；S4将源金属电极、漏金属电极及栅金属电极分别通过导线与半导体分析仪连接；S5将S4连接完成的外延片放置在感应耦合等离子体刻蚀腔内，进行刻蚀工艺，当半导体分析仪显示的源漏输出电流最大时，工艺停止。本发明避免造成器件损伤，对于实现具有高饱和输出电流密度的增强型器件具有重要意义。
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公开(公告)号：CN110660871A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910899953.9
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于太阳能电池器件领域，公开了一种InAs量子点的远程外延结构及制备与应用。所述远程外延结构包括依次层叠的GaAs衬底、单层石墨烯层和InAs量子点阵列。其制备方法为：将单层石墨烯转移到GaAs衬底上，然后放入分子束外延系统中，在单层石墨烯层上生长InAs量子点阵列，得到InAs量子点的远程外延结构。本发明通过在砷化镓衬底与砷化铟外延层之间引入单层石墨烯结构，有效阻断了界面的铟原子与镓原子的互扩散，并为量子点的生长提供了平面有序的成核位点，显著提高砷化铟量子点的晶体质量，为砷化铟中间带量子点电池性能的提升提供有效的材料基础。
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公开(公告)号：CN110571289B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201910900885.3
申请日：2019-09-23
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0304 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于多孔太阳电池领域，公开了一种InP‑石墨烯太阳电池及其制备方法。所述InP‑石墨烯太阳电池包括由下至上依次层叠的Au背电极、InP外延层、TiO2空穴阻挡层、石墨烯层和Al2O3减反射层；围绕Al2O3减反射层设置一圈Ag接触电极，Ag接触电极与石墨烯层接触。本发明在磷化铟上设置二氧化钛空穴阻挡层，利用二氧化钛能带结构以增大光伏元件的载流子迁移率，从而增大少数载流子的寿命，并在二氧化钛上方附加高透光率、载流子传输速率快、功函数较高的石墨烯，利用能级梯度差进一步增大载流子的势能，从而提高磷化铟电池的转化效率。
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公开(公告)号：CN111128701B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201911308890.1
申请日：2019-12-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种通过实时监控氟注入实现增强型HEMT器件的方法，包括，在HEMT器件的源电极及漏电极上分别引出监控电极，两个电极均通过导线与源表相连，形成闭合回路，然后器件在氟离子处理的过程中，不断耗尽栅下的2DEG，输出电流逐渐减小，当源表显示输出电流为零时，即实现增强型，有效避免了氟离子过度注入导致输出电流降低。
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公开(公告)号：CN111128701A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911308890.1
申请日：2019-12-18
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/265 , H01L21/66 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种通过实时监控氟注入实现增强型HEMT器件的方法，包括，在HEMT器件的源电极及漏电极上分别引出监控电极，两个电极均通过导线与源表相连，形成闭合回路，然后器件在氟离子处理的过程中，不断耗尽栅下的2DEG，输出电流逐渐减小，当源表显示输出电流为零时，即实现增强型，有效避免了氟离子过度注入导致输出电流降低。
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