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公开(公告)号：CN111446943B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202010367285.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用射频电感优化单晶薄膜体声波谐振器滤波器及其制备方法。所述滤波器包括外延衬底、底电极、压电薄膜、顶电极、保护层、电学连接通孔、电极连接微带线及射频电感平面金属线段。所述滤波器包括具有三明治结构的谐振器单元、射频电感部件。所述谐振器单元为硅背刻蚀型FBAR谐振器，采用单晶AlN压电层作为声学震荡层，采用该制备方法得到的FBAR滤波器有效提高了带外抑制、减小带内波纹，简化FBAR滤波器制备过程且降低器件制备成本提高产品性能。
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公开(公告)号：CN115632627A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211175336.2
申请日：2022-09-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明涉及体声波谐振器的技术领域，公开了一种新型石墨烯体声波谐振器及其制备方法。新型石墨烯体声波谐振器由下至上依次包括高阻硅衬底、下电极支撑层、下电极、压电层、上电极、上电极负载层，在高阻硅衬底下方设有刻蚀空腔；所述下电极表面设有石墨烯薄膜层；所述上电极表面设有石墨烯薄膜层。本发明创新性地发现并利用石墨烯薄膜层的压电效应和优异的导电性，作为体声波谐振器的电极敏感层。通过设置上电极负载层显著减小了谐振器的寄生特性，上电极、压电层和下电极共同构成压电震荡三明治结构，通过构成三明治结构能够进一步减少外接电路引入的性能损耗，同时，通过采用高质量AlN压电层更好地更适用于3GHz以上的频段。
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公开(公告)号：CN111682101B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010432855.7
申请日：2020-05-20
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L41/22 , H01L41/29 , H01L41/312 , H03H3/02 , H03H9/205
Abstract: 本发明公开了一种柔性FBAR滤波器的制造方法。该方法包括：在制备衬底上生长压电薄膜，在压电薄膜上制备底电极并图形化，在电极工作区上方沉积牺牲层材料，制备绝缘支撑层并图形化，得到晶圆；在硬质衬底旋涂临时键合层，将柔性衬底与硬质衬底键合，在复合衬底旋涂胶粘剂，与晶圆进行键合，将制备衬底去除，制备顶电极和电极互连金属；制备柔性保护层，将FBAR滤波器工作区域的保护层去除，形成上空腔，将硬质衬底解键合，得到柔性FBAR滤波器。本发明实现基于单晶AlN以及传统多晶AlN的柔性FBAR滤波器的制备，工艺简单，成本低、易操作，故本发明降低了柔性FBAR滤波器的加工难度和生产成本，提高了柔性器件的制备良率。
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公开(公告)号：CN111371426A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010368415.X
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于铌酸锂的空气隙型剪切波谐振器及其制备方法。该谐振器包括硅衬底、氧化硅保护层、硅腔、铌酸锂压电材料及顶部电极；硅衬底的上表面向内凹陷形成凹槽，氧化硅保护层沉积在凹槽的侧壁和底面；所述硅衬底与铌酸锂压电材料连接，所述铌酸锂压电材料覆盖在凹槽的上方，形成硅腔；所述铌酸锂压电材料上设有通孔，使硅腔与外界相通。空气隙型剪切波谐振器的压电材料由离子注入和键合工艺制备，压电材料下方的空气腔通过牺牲层释放的方法获得。与背硅刻蚀型的剪切波谐振器相比，该方法制备的剪切波谐振器机械强度高，步骤简单，提高了谐振器器件的良率，由于铌酸锂机电耦合系数高。该方法能应用于高频宽带、低损耗滤波器的制造。
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公开(公告)号：CN110540169A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201910810840.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了FBAR滤波器与放大器或开关单片集成的器件及方法。本发明的单片集成方法是将射频前端模块中的功率放大器、低噪声放大器、开关以及滤波器通过MEMS工艺加工集成在一起，与目前将各种离散封装的功放、开关、滤波器组合在更大的基板上再次进行封装相比，本发明提供了一种将射频前端有源和无源器件裸芯片加工集成在同一个基板上，然后进行封装。采用该单片集成方法可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立单体器件在PCB版上集成时电气连接的损耗，降低了射频前端模块的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111404508B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202010368420.0
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种双层五边形电极的薄膜体声波谐振器。所述薄膜体声波谐振器从上至下包括顶电极、压电层、底电极构成的压电振荡堆结构，以及支撑层（连接层）和衬底。本发明所述的顶电极由内外两层五边形构成，由同一圆周的内外界五边形经一定角度旋转获得。本发明所述的顶电极外层厚度高于内层五边形厚度，在边缘处形成台阶边框，其余位置均为平面，且内外五边形任意两边均不平行，从而形成非对称图形，使得横向寄生的声波产生衰减和分散。本发明通过设计电极层的形状尺寸，在不增加工艺步骤的前提上抑制谐振器的横向剪切波，提高谐振器的Q值，优化薄膜体声波谐振器谐振特性。
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公开(公告)号：CN112564657A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011573707.3
申请日：2020-12-24
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种任意衬底上单晶AlN薄膜体声波谐振器及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：在第一衬底上形成二维材料，然后在二维材料衬底上生长第一金属电极，在第一金属电极上形成单晶AlN压电材料，在压电材料上表面形成第二金属电极，然后将谐振器与衬底机械剥离并转移到任意衬底上面，得到单晶AlN薄膜体声波谐振器。采用该方法制备得到的基于单晶AlN压电堆叠结构可用于薄膜体声波谐振器的制备中，单晶AlN薄膜在压电性能上优于目前薄膜体声波谐振器中应用到的多晶AlN压电薄膜，从而提高器件的品质因数和有效机电耦合系数。同时避免了单晶AlN谐振器对衬底的严格要求。
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公开(公告)号：CN111446943A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010367285.8
申请日：2020-04-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用射频电感优化单晶薄膜体声波谐振器滤波器及其制备方法。所述滤波器包括外延衬底、底电极、压电薄膜、顶电极、保护层、电学连接通孔、电极连接微带线及射频电感平面金属线段。所述滤波器包括具有三明治结构的谐振器单元、射频电感部件。所述谐振器单元为硅背刻蚀型FBAR谐振器，采用单晶AlN压电层作为声学震荡层，采用该制备方法得到的FBAR滤波器有效提高了带外抑制、减小带内波纹，简化FBAR滤波器制备过程且降低器件制备成本提高产品性能。
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公开(公告)号：CN115188656A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210652071.4
申请日：2022-06-10
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/78 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种单片集成材料及其制备方法，该单片集成材料可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立器件集成时引入寄生损耗、响应延迟和噪声等问题；该单片集成材料的制备方法简单高效，为射频前端模块单片集成奠定基础，采用该单片集成材料降低了射频前端模块的成本，与现有的各种离散封装相比，本发明提供了一种集成封装的新思路，该单片集成材料可广泛应用于传感器、滤波器、GaN开关中。
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公开(公告)号：CN110540169B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910810840.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了FBAR滤波器与放大器或开关单片集成的器件及方法。本发明的单片集成方法是将射频前端模块中的功率放大器、低噪声放大器、开关以及滤波器通过MEMS工艺加工集成在一起，与目前将各种离散封装的功放、开关、滤波器组合在更大的基板上再次进行封装相比，本发明提供了一种将射频前端有源和无源器件裸芯片加工集成在同一个基板上，然后进行封装。采用该单片集成方法可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立单体器件在PCB版上集成时电气连接的损耗，降低了射频前端模块的成本。
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