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公开(公告)号：CN103525014A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310530647.0
申请日：2013-10-31
Applicant: 华南理工大学 , 扬州拓声电子科技有限公司
IPC: C08L63/02 , C08K9/10 , C08K9/06 , C08K9/04 , C08K9/02 , C08K3/24 , C08K3/04 , H01G4/00 , H01G4/06
Abstract: 一种三相复合高介电性能材料、制备方法及加工方法。本发明的三相复合高介电性能材料：包括表面活化钛酸钡、包硅炭黑和环氧树脂。按以下步骤进行制备：1）钛酸钡预加工；2）炭黑预加工；3）粉状表面氧化炭黑再加工；4）环氧树脂预处理；5）取表面活化钛酸钡和包硅炭黑加入环氧树脂丁酮溶液中。按以下步骤进行操作：1）材料预处理；2）固化剂预处理；3）铜箔预处理；4）涂覆面；5）固化。本发明在控制介电损耗前提下，利用导电颗粒替代部分铁电陶瓷制备了一种能够有效提高聚合物基复合材料的介电常数的导体/陶瓷/聚合物三相复合介质材料，同时有效地解决了炭黑在聚合物中分散困难和炭黑含量上升后易形成导电通路增大介质损耗的问题。
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公开(公告)号：CN112479705A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011207796.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B35/64 , H01G4/12
Abstract: 本发明公开了一种钛酸钡基X8R型多层陶瓷电容器用介质材料及制备方法，该材料化学式为BaTiO3‑0.01A‑0.005Nd2O3‑x Bi2O3‑y Ho2O3+0.5wt％B，其中x＝y＝0.75～1.5mol％。其制备方法为：1)以Nb2O5和Co2O3为原料制备Nb‑Co复合氧化物掺杂剂粉料A；2)以Zn(CH3COO)2·2H2O和H3BO3为原料制备硼锌助烧剂粉料B；3)根据上述化学式配料，将原料放入球磨机中用湿式球磨法混合球磨，并经烘干得到陶瓷粉体；4)将陶瓷粉体研磨、造粒、过筛，干压成型得到陶瓷生坯；5)将陶瓷生坯排胶后在烧结。本发明制备的介质陶瓷材料在‑55～150℃温度范围内满足容温变化率|△C/C25℃|≤15％，且室温下介电常数为2400以上，室温介电损耗不超过2.0％。
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公开(公告)号：CN109665755B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201910056449.2
申请日：2019-01-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B26/32 , C04B35/453 , C04B111/90
Abstract: 本发明属于交流电缆附件材料的技术领域，公开了一种室温硫化硅橡胶基交流电缆附件材料及其制备方法。所述室温硫化硅橡胶基交流电缆附件材料主要由氧化锌基陶瓷、室温硫化硅橡胶、交联剂以及催化剂制备得到；氧化锌基陶瓷的原料包括氧化锌、氧化铋、四氧化三钴、三氧化二锑、碳酸锰、三氧化二铬、三氧化二镍、二氧化硅、氧化镁和氧化钇。本发明还公开了附件材料的制备方法。本发明的交流电缆附件材料具有适宜的非线性系数并具有高的压敏场强，提高了该附件材料的击穿场强，满足电压等级更高的电缆的需求。本发明的方法简单，成本低廉，容易实施。
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公开(公告)号：CN108512535A
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201810269318.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了采用正温度系数热敏电阻补偿的可控硅触发电路，在可控硅触发回路中串联用于补偿可控硅触发电流的正温度系数热敏电阻，利用热敏电阻的正温度系数特性补偿可控硅导通所需触发电流随温度变化的特性；所述正温度系数热敏电阻串联在可控硅的控制极。本发明解决了可控硅由于温度变化，产生温度漂移，引起的高温误触发以及正常信号低温不触发的问题，提高了可控硅的使用温度区间，扩大触发电流可选择范围。
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公开(公告)号：CN108409306A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810238077.0
申请日：2018-03-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , H01C7/112
Abstract: 本发明涉及一种氧化锌压敏陶瓷材料及其制备方法。该ZnO压敏陶瓷材料的ZnO含量为97.24～97.26mol％,添加剂含量为2.74～2.76mol％；所述添加剂包括0.5mol％Bi2O3、0.5mol％Co2O3、0.72mol％Sb2O3、0.5mol％MnCO3、0.5mol％Ni203和0.02～0.04mol％的ZnCl2。本发明采用的半导化施主添加剂为ZnCl2，而不是采用常用的Al(N03)3.9H20，获得的氧化锌压敏电阻材料压敏电压在150V～260V/mm,非线性系数(I-V非线性系数)a≥45,漏电流IL≦1uA,耐脉冲电流特性良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113241256B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202110356882.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极，采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜，热处理过后，再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能，并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应，使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。
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公开(公告)号：CN113209998B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110386015.6
申请日：2021-04-09
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明属于光催化材料的技术领域，公开了一种石墨相氮化碳复合光催化剂及其制备方法。方法：1)将g‑C3N4纳米片、有机溶剂和酸混合，获得混合物A；酸为醋酸或乳酸中一种以上；有机溶剂为乙醇或甲醇；2)将钛酸丁酯与混合物A混匀，获得混合物B；3)将氨水与混合物B中混匀，干燥，煅烧，获得复合光催化剂。本发明的方法简单，通过原位生长的方法在g‑C3N4纳米片上生长N‑TiO2，N‑TiO2纳米颗粒分散均匀，且与g‑C3N4纳米片具有充分的界面接触，两者结合更紧密，能够有效地提高光生电子和空穴的分离速度，从而提高量子效率，达到提高其催化效率的效果。本发明的催化剂在光催化制氢中具有较好的催化活性。
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公开(公告)号：CN114716243A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210379506.2
申请日：2022-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: C04B35/475
Abstract: 本发明属于电容材料的技术领域，公开了一种高温稳定型钛酸铋钠‑钛酸锶基介电储能陶瓷材料及其制备与应用。所述介电储能陶瓷材料，化学组成为Na0.35Bi0.35Sr0.3Ti(1‑x)(Al0.5Nb0.5)xO3，0＜x≤0.05。本发明还公开了介电储能陶瓷材料的制备方法。本发明的介电储能陶瓷材料具有良好的储能性能和高温稳定性，如：在室温、60kV/cm外加电场下的储能密度Wrec为0.62J/cm3，储能效率为73.89％；具有高介电常数且其高温稳定性，在室温到270℃介电常数保持3311±15％以及tanδ＜0.02的低介电损耗。本发明的介电储能陶瓷材料用于介电储能电容器。
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公开(公告)号：CN108512535B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201810269318.8
申请日：2018-03-29
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了采用正温度系数热敏电阻补偿的可控硅触发电路，在可控硅触发回路中串联用于补偿可控硅触发电流的正温度系数热敏电阻，利用热敏电阻的正温度系数特性补偿可控硅导通所需触发电流随温度变化的特性；所述正温度系数热敏电阻串联在可控硅的控制极。本发明解决了可控硅由于温度变化，产生温度漂移，引起的高温误触发以及正常信号低温不触发的问题，提高了可控硅的使用温度区间，扩大触发电流可选择范围。
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公开(公告)号：CN113241256A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110356882.5
申请日：2021-04-01
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于BPO电极的PZT基多层介电增强薄膜及其制备方法，包括衬底，通过磁控溅射法在衬底上制备BPO薄膜电极，采用溶胶凝胶法在BPO上制备多层异质薄膜，热处理过后，再在表面通过磁控溅射制备Au电极。所述多层异质薄膜由PZT和BTO薄膜交替堆叠构成。本发明利用异质薄膜间的静电耦合效应极大的提高了薄膜的介电性能，并且通过氧化物电极BPO改善了电畴的扎钉效应，使得PZT/BTO薄膜的抗疲劳特性大幅地提升。
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