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公开(公告)号：CN113359361A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110498074.2
申请日：2021-05-08
Applicant: 华南理工大学
IPC: G02F1/15 , G02F1/1514 , G02F1/153 , G02F1/155
Abstract: 本发明公开了一种微腔注入型电致变色器件及其制备方法与应用。所述器件的结构包括电动推杆、储液袋、微腔和储气袋；微腔上下两端设有开口，微腔结构依次为玻璃基板、ITO电极、金属钨薄膜、玻璃微珠、金属钨薄膜、ITO)电极和玻璃基板，玻璃微珠间隙形成空腔；储液袋、微腔、储气袋相连形成一个密闭空间，储液袋装有电致变色液，电动推杆与储液袋相连。本发明的电致变色器件变色和褪色完全不依赖电致变色层，本发明褪色机理为电负性不同的着色态阴离子和溶剂或储液袋内表面发生摩擦而发生电子交换转移，失去电子氧化成无色的高价态阴离子，因此不存在离子侵蚀的问题。
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公开(公告)号：CN113210158A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110480614.4
申请日：2021-04-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: B05B12/08
Abstract: 本发明公开了一种印刷制备高均匀器件膜层的压电控制系统及方法，该系统包括：中央控制装置、主压电喷射装置和墨液调节装置，主压电喷射装置、墨液调节装置分别与中央控制装置连接；中央控制装置设有主控制器和压电驱动装置，主控制器用于生成并传输印刷指令进行控制墨液、电喷头的印刷处理，压电驱动装置用于驱动主压电喷射装置；墨液调节装置设有第一分液装置、第二分液装置，第一分液模块、第二分液模块调整溶剂的输送速率并设置总流量维持恒定值。本发明通过第一分液模块、第二分液模块分别改变第一溶剂、第二溶剂输送量进行控制不同时间段内喷射墨滴的溶剂挥发量，使得前后喷射的墨滴呈现沸点梯度差异，进一步提高成膜均匀性的技术效果。
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公开(公告)号：CN112510102A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202011368546.4
申请日：2020-11-30
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L31/0224 , H01L33/40 , H01L33/42
Abstract: 本发明公开了一种基于电流体打印的二维材料网格电极及其制备方法与应用。所述制备方法包括：配制二维材料电极墨水；将预处理的基底转入电流体喷墨打印机，设定网格图形，调整打印线条宽度为5～10μm，将二维材料电极墨水打印在预处理的基底上，然后退火处理，得到二维材料网格电极。本发明制备工艺简单成本低，器件精细化程度高，对原材料损耗低，应用范围广。
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公开(公告)号：CN116607045A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310383411.2
申请日：2023-04-12
Applicant: 华南理工大学
IPC: C22C9/00 , C23C14/35 , C23C14/20 , C23C14/58 , C23C14/02 , H01L29/49 , H01L21/285 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于新型电子器件制备技术领域,公开了一种高反射高导电多组元合金电极薄膜以及其制备方法与应用。所述合金电极薄膜为铜基合金，成分为：Cu‑Cr‑Zr‑Ag，Cu元素的含量为99wt％‑99.8wt％，Cr元素的含量为0.12wt％‑0.3wt％，Zr元素的含量为0.05wt％‑0.2wt％，Ag元素的含量为0.1wt％‑0.2wt％。本发明通过银元素的引入，既保留了高结合强度以及阻止劣化性扩散的特点。同时银的加入优化了电极的导电性能，同时对于薄膜的表面形貌也起到了修饰作用，降低了表面粗糙度，提高了薄膜的反射率。同时，本发明采用双靶位磁控共溅射方法沉积薄膜，可通过改变功率自由调控薄膜中各组元成分。
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公开(公告)号：CN116594199A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310459256.8
申请日：2023-04-26
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于偏钨酸亚铁材料的低迟滞效应的高性能光电材料及器件制备，其中偏钨酸亚铁水溶液通过将偏钨酸溶液与氢氧化亚铁溶液，乙二醇在反应釜内反应后离心取上清液得到。偏钨酸亚铁水溶液密封于两块基板的夹层中间，光电器件透射以及反射性由基板的透射与反射性决定，反射可调性由反射基板的反射率决定。本发明有效解决了现有技术中液态光电材料引入氧化剂或还原剂导致溶液环境改变进而影响器件使用的问题并且极大的保证了器件的透射性或反射性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113211978B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110430535.2
申请日：2021-04-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种全自动防堵的喷墨打印系统及方法，系统包括上位机、中央控制系统、喷射系统、防堵供墨系统和墨水防污系统，上位机通过中央控制系统连接喷射系统和防堵供墨系统，喷射系统连接防堵供墨系统；在喷墨打印系统正常工作时，中央控制系统控制防堵供墨系统为喷射系统连续供墨，控制喷射系统的喷墨头喷射出墨滴；墨水防污系统用于回收供墨时喷墨头滴落的溢流墨水；在喷墨打印系统停止打印工作时，中央控制系统控制防堵供墨系统停止供墨并抽空喷墨头流道内的墨水，以达到防堵目的。本发明既可有效解决多数系列打印机不经常使用引起的墨水干燥堵塞喷头及输送管的问题，也可节省打印机自清洗喷墨头所耗费的大量昂贵墨水。
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公开(公告)号：CN112768140B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011608047.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化铝防护银纳米线透明电极及其制备方法与应用。所述方法如下：将退火处理后的银纳米线透明导电膜作为阴极，铂电极作为阳极，银|氯化银电极作为参比电极，含九水合硝酸铝的溶液作为电解液，通过三电极系统恒电压模式在银纳米线透明导电膜上电沉积氧化铝保护层，漂洗，退火得到氧化铝防护银纳米线透明电极。本发明通过控制反应速率改良电沉积工艺，将氧化铝精准沉积在银纳米线表面，不影响透光区域，并通过沉积过程促进银纳米线之间的接触，以高平整度的表面避免了包覆层的光吸收，实现了稳定性与光电性能的提升，极大简化了银纳米线防护工艺与柔性透明电极的制备成本，促进了柔性电子的发展。
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公开(公告)号：CN114388364A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111580209.6
申请日：2021-12-22
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/44 , H01L29/423 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种通过界面补偿消除柔性集成器件残余应力的方法。所述方法为：(1)通过氧气等离子处理衬底，提高衬底分子键合能力，实现PI与缓冲层的高粘附性；(2)利用沉积速率较温和的等离子体增强化学气相沉积制备SiOx/SiNx叠层薄膜，作为PI缓冲层、栅绝缘层和钝化层；SiOx/SiNx叠层薄膜与铜合金残余应力种类相反，可以相互补偿抵消，减少残余应力；(3)铜合金电极在高温退火后，微量掺杂的CrZr被排出晶格，在半导体/电极界面处与铟锌反应吸收能量，可以将部分界面残余应力的机械能转化为化学能，可以进一步消除残余应力。本发明所提出的工艺路径可以从制备器件的源头消除残余应力，是一种行之有效的方法。
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公开(公告)号：CN113211980B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202110430569.1
申请日：2021-04-21
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 本发明公开了一种用于印刷OLED器件的压电控制系统及优化方法，系统通过上位机控制主像素墨滴喷射系统喷射有机材料，以在OLED基板表面上印刷形成机发光层，同时，空位像素监测系统实时采集印刷过程中OLED基板的像素群图像，并将像素群图像发送给上位机；上位机找出图像中的空位像素点以及空位像素点在OLED基板中的对应位置，并控制空位像素补偿系统对OLED基板中的空位像素点对应位置进行填补印刷，以消除有机发光层中的缺陷，达到优化印刷OLED制程的目的，避免了印刷OLED过程中由于少数空位像素导致的器件良品率低下的问题，可有效提升印刷OLED的工艺稳定性，进一步推进印刷OLED技术替代蒸镀技术的进度。
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公开(公告)号：CN113823735A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110972240.8
申请日：2021-08-24
Applicant: 华南理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种自整流且可电致阻变的电存储器及其制备方法。本发明所述自整流且可电致阻变的电存储器，包括N型单晶硅半导体层、P型SnO半导体层和图案化镍电极；其中P型SnO半导体层部分覆盖在N型单晶硅半导体层表面，图案化镍电极设置在P型SnO半导体层表面和未覆盖的N型单晶硅半导体层表面。本发明电存储器具有极高的整流比和开关比，信息存储的可靠性高，同时可以实现低功耗驱动。
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