基于微带脊间隙波导的毫米波背靠背层间过渡转换结构

    公开(公告)号:CN115020953A

    公开(公告)日:2022-09-06

    申请号:CN202210667130.5

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 本发明公开了一种基于微带脊间隙波导的毫米波背靠背层间过渡转换结构,包括:上层是通过多层印刷电路板技术加工而成的输入输出端口的介质馈电层,由微带线和非等宽基片集成波导谐振腔组成;下层是通过多层印刷电路板技术加工和机械加工制成的而成的微带脊间隙波导传输层,所述的微带脊间隙波导传输线层由上中下三层平面结构组成:上层是具有两个矩形耦合缝隙的金属接地面,中间层是包含微带线和金属化过孔的金属微带脊线,以及围绕在金属微带脊线周围的蘑菇型阵列,最下层是通过机械加工而成的封闭金属腔体。整个过渡转换结构体积小、质量轻,集成度高,在工作带宽内实现宽频带和低损耗传输。本申请可广泛应用于电磁场与微波技术领域。

    一种低噪声放大器及芯片
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114844470A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210309131.2

    申请日:2022-03-28

    Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器及芯片,其中放大器包括:第一电容和第三电感的连接点与第一电感的一端连接;第一晶体管的源极通过第二电感接地,第一晶体管的漏极与第二晶体管的源极连接;第一电感和第二电感构成第一变压器;第二晶体管的漏极通过第五电感连接到电源,第二晶体管的漏极与第三晶体管的栅极连接;第三晶体管的源极通过第七电感接地,第三晶体管的漏极通过第八电感与第四晶体管的源极连接;第五电感和第七电感构成第二变压器;第四晶体管的漏极通过第九电感连接到电源;第八电感和第九电感构成第三变压器。本发明基于变压器耦合结构来实现毫米波频段上宽带低噪声放大器,有效减小了电路的面积,可广泛应用于半导体技术领域。

    一种可变增益线性功率放大器及芯片

    公开(公告)号:CN113328712B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202110581243.9

    申请日:2021-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种可变增益线性功率放大器及芯片,其中放大器包括:可变增益放大器;后失真功率放大器,包括驱动级放大器和级联功率级放大器,所述可变增益放大器的输出端与所述驱动级放大器的输入端连接,所述驱动级放大器的输出端与所述级联功率级放大器的输入端连接;根据所述级联功率级放大器的增益扩张失真特性补偿所述驱动级放大器的增益压缩失真特性,以使后失真功率放大器的增益曲线获得更高的1dB压缩点。本发明利用了后级低偏置C类放大器本身产生的增益扩张失真特性来补偿前级高偏置A类放大器所产生的增益压缩失真,在不引入额外预失真器的情况下实现了1dB压缩点的提高,避免了预失真器带来的额外损耗,可广泛应用于放大器电路。

    一种低噪声放大器及芯片
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114221624A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202111334476.5

    申请日:2021-11-11

    Abstract: 本发明公开了一种低噪声放大器及芯片,其中低噪声放大器包括:噪声抵消电路,包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管;其中,第一晶体管与第二晶体管组成了一个噪声抵消环路,为整体电路提供平坦的低噪声系数和输入匹配;增益调节电路,包括第五晶体管、第六晶体管和增益调谐单元;通过调节第六晶体管的栅极偏置来实现增益控制,可以更灵活地控制增益变化,且电路结构简单。另外,在第二晶体管处使用了gm‑boosting技术,降低了对第二晶体管M2尺寸的要求。本发明可广泛应用于微波低噪声放大器技术领域。

    线性化电路、功率放大器、芯片以及设备

    公开(公告)号:CN118117977B

    公开(公告)日:2024-11-29

    申请号:CN202410197808.7

    申请日:2024-02-22

    Abstract: 本发明公开了一种线性化电路、功率放大器、芯片以及设备,属于移动通信领域;其中,线性化电路包括功率检测单元、变容管单元以及开关电感单元;所述功率检测单元以及所述开关电感单元与所述变容管单元连接,所述功率检测单元提供的随功率变化的偏置电压来控制流经所述开关电感单元的电流大小以及所述变容管单元的等效电容大小;实现所述功率放大电路的等效输入电容随功率变化平坦化。本发明还提供一种自适应宽带功率放大器,结合线性化电路可以有效提高功率放大器的线性度。

    基于辐射体-平衡电路互联的结构、一体化结构及设备

    公开(公告)号:CN118367361A

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN202410531605.7

    申请日:2024-04-29

    Abstract: 本发明公开了基于辐射体‑平衡电路互联的结构、一体化结构及设备,其中结构包括多个周期排列的矩形孔格单元,每个矩形孔格单元包括四个侧壁,两个相邻内壁上设有“辐射体‑平衡电路”互联的电路作为基本谐振单元,另两个相邻内壁上设有金属地;当作为电磁透波结构时,所述基本谐振单元使用“辐射体‑平衡电路‑辐射体”互联的结构;当作为电磁吸波结构时,所述基本谐振单元使用“辐射体‑平衡电路‑匹配负载”互联的结构。本发明提供了电磁透波和吸波结构一种新的设计思路,与现有技术相比透波结构能够实现多阶响应的滤波特性,具有宽带滤波的性能;另外,本发明的结构简单,加工容易,可以大规模生产,可广泛应用于电磁透波和吸波技术领域。

    一种三维异构集成的毫米波系统封装结构

    公开(公告)号:CN116895614B

    公开(公告)日:2024-03-29

    申请号:CN202310917977.9

    申请日:2023-07-25

    Abstract: 本发明提供了一种三维异构集成的毫米波系统封装结构,由上层天线板和下层芯片载板组装构成,上层天线板为一体化结构,内部设置有封装天线及馈电网络,下层芯片载板为模块化结构,设置有异构集成的第一芯片组和第二芯片组,各芯片组包含同种或不同工艺的若干颗芯片。第二芯片组位于第一芯片组的下方,两组芯片的有源面相对,但在垂直方向上错开排布;上层天线板和下层芯片载板均设置有若干金属化过孔,通过金属化过孔实现任意层互连;第一芯片组利用金属互连,通过金属化过孔和/或焊球与第二芯片组电性连接。本发明集成天线、射频控制芯片和射频前端芯片,进行整体化生产设计,提高集成度和封装的良率,满足不同天线的封装需求。

    一种毫米波基片集成波导喇叭一维立体布局扫描相控阵

    公开(公告)号:CN113506985B

    公开(公告)日:2022-09-20

    申请号:CN202110730160.1

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 本发明公开了一种毫米波基片集成波导喇叭一维立体布局扫描相控阵。本发明包括包括n个基片集成波导子阵列和n+1块金属隔板;一个基片集成波导子阵列包括k个H面喇叭单元天线和一个k路基片集成波导功率分配器,其中,k路基片集成波导功率分配器作为k个H面喇叭单元天线的馈电网络,k路基片集成波导功率分配器的k个输出端口分别与k个H面喇叭单元天线相连接。本发明在扫描方向上的单元间距可以做到小于0.4λ0(f0=29.5GHz),并且大扫描角度范围内保持较低的副瓣电平。本发明的馈电网络易于实现,并且由于其非等功率分配的特性既能够实现高增益的k×1基片集成波导子阵列,也能够实现非扫描平面方向图较低的副瓣电平。

    一种双频高效率功率放大器及芯片

    公开(公告)号:CN114978061A

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202210536527.0

    申请日:2022-05-17

    Abstract: 本发明公开了一种双频高效率功率放大器及芯片,其中放大器包括:输入级电路、第一放大电路、第二放大电路和输出级电路,第一放大电路和第二放大电路的电路结构相同,且相对称;第一放大电路包括依次连接的第一双频匹配电路、第一放大晶体管、第二双频匹配电路、第二放大晶体管以及第三双频匹配电路;第一双频匹配电路的输入端连接输入级电路的输出端,第三双频匹配电路的输出端连接输出级电路的输入端。本发明采用了两路两级对称结构,第一级放大电路为增益级,能提供电路足够的增益,第二级放大电路为功率级,能提供电路足够高的输出功率;且末级两路功率合成结构实现了3W的输出功率。本发明可广泛应用于无线通信技术领域。

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